Font size
WorksheetsCâu hỏi về Transistor lưỡng cực BJT
Total questions: 184
Worksheet time: 2hrs 50mins
Hạt dẫn đa số trong phần gốc của transistor lưỡng cực npn là:
A.Lỗ trống
B.Điện tử tự do
C.Cả lỗ trống và điện tử tự do
D. không phải cả hai loại hạt trên
Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ khuếch đại, lớn tiếp xúc cực phát-cực gốc có đặc điểm:
phân cực thuận
không dẫn điện
phân cực ngược
hoạt động trong vùng đánh thúng
Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ khuếch đại, lớp tiếp xúc cực góp-cực gốc có đặc điểm:
phân cực ngược
phân cực thuận
hoạt động trong vùng đánh thủng
không dẫn điện
Phần gốc của các transistor lưỡng cực pnp rất mỏng và:
có mật độ pha tạp thấp
là kim loại
có mật độ pha tạp cao
được pha tạp
Trong một transistor lưỡng cực loại npn hoạt động ở chế độ khuếch đại, các điện tử thuộc phần phát có đủ năng lượng để vượt qua hang rào thế năng của:
tất cả các vùng trên
lớp tiếp xúc góp-gốc
vùng tái hợp
lớp tiếp xúc phát-gốc
Khi một điện tử do tái hợp với một lỗ hổng trong phần gốc của transistor lưỡng cực thì điện tử tự do này sẽ trở thành:
một điện tử hóa trị
một điện tử vùng dẫn
một điện tử tự do khác
một hạt dẫn đa số
Dòng điện cục góp Ic có đặc trưng là:
nó xấp xỉ bằng dòng điện cực phát I
nó được đo bằng Mihampe kế
nó rất nhỏ
nó bằng dòng cực I góc chia cho hệ số β
Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ ngắt thì:
tiếp xúc phát-gốc phân cực ngược, tiếp xúc góp-gốc phân cực ngược
tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận, tiếp xúc góp-gốc phân cực thuận
tiếp xúc phát-gốc phân cực ngược, tiếp xúc góp-gốc phân cực thuận
tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận, tiếp xúc góp-gốc phân cực ngược
Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ bão hòa thì:
tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận, tiếp xúc góp-gốc phân cực thuận
tiếp xúc phát-gốc phân cực ngược, tiếp xúc góp-gốc phân cực thuận
tiếp xúc phát-gốc phân cực ngược, tiếp xúc góp-gốc phân cực ngược
khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ khuếch đại thì:
tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận, tiếp xúc góp-gốc phân cực ngược
tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc phân cực ngược
tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc phân cực thuận
các trường hợp trên đều đúng
nguyên lý phân cực của cả 2 loại transistor lưỡng cực pnp và npn là:
nguồn cung cấp bên ngoài đặt lên các điện cực ngược chiều
nguồn cung cấp bên ngoài đặt lên các điện cực cùng chiều
nguồn cung cấp bên ngoài đặt lên các điện cực bằng 0
nguồn cung cấp bên ngoài đặt lên các điện cực không xác định
trong vùng tích cực của transistor lưỡng cực chế tạo từ Si, điện áp gốc-phát bằng:
0,7V
1V
0V
0,3V
trong vùng bão hóa của transistor lưỡng cực chế tạo từ Si, điện áp góp -phát bằng:
xấp xỉ 0,2V
0V
1V
0,7V
một transistor lưỡng cực được phân cực với các điện áp tĩnh Ube=0,7V; Uce=0,2V. hỏi transistor này đang hoạt động ở chế độ nào?
bão hòa
tích cực
ngắt
không thuộc cả 3 chế độ trên
một transistor lưỡng cực được phân cực với các điện áp tĩnh Ube=0V; Uce≈Ec. hỏi transistor này đang hoạt động ở chế độ nào?
ngắt
bão hòa
tích cực
không thuộc cả 3 chế độ trên
Transistor lưỡng cực được coi như chuyển mạch khi nó hoạt động ở các chế độ:
Lỗ trống
Điện tử tự do
Cả lỗ trống và điện tử tự do
không phải cả hai loại hạt trên
trong transistor lưỡng cực loại pnp hạt dẫn cơ bản nào tạo ra dòng điện cực góp
lỗ trống
ion
điện tử tự do
tất cả c
trong transistor lưỡng cực loại pnp hạt dẫn cơ bản nào tạo ra dòng điện cực góp
lỗ trống
ion
điện tử tự do
tất cả các loại trên
quan hệ giữa hệ số α và β được mô tả bởi biểu thức
β=α/(1-α)
β=(1-α)/ α
β=α/(1+α)
β=(1+α)/ α
quan hệ giữa dòng điện cực góp và dòng điện cực gốc được mô tả bởi biểu thức:
I_c = (β+1)I_B + βI_CBO
I_C = βI_B +I_CBO
I_C = β+( β+1)I_CBO
I_C = aI_B +(a+1)I_CBO
quan hệ giữa dòng điện cực góp và dòng điện cực phát được mô tả bởi biểu thức:
I_c = aI_E +I_cBo
I_c = aI_E -I_CBO
I_c = aI_E
I_c = a(I_E +I_cBo)
một transistor lưỡng cực có dòng điện cực phát là 10mA, dòng điện cực góp là 9,95 mA. Hỏi dòng điện cực gốc là bao nhiêu?
0,05mA
0,5mA
19,95mA
≈1mA
một transistor lưỡng cực có dòng điện cực phát là 5mA, dòng điện cực góp là 0,02 mA. Hỏi hệ số β bằng bao nhiêu
250
50
100
25
một transistor lưỡng cực có hệ số B là 1,25 và dòng điện cực gốc là 30 μA. Hỏi dòng điện cực góp bằng bao nhiêu
3,75mA
375μA
3,75A
37,6mA
trong sơ đồ sau transistor lưỡng cực được mắc theo cách nào?
phát chung (CE)
góp chung (CC)
gốc chung CB
darlington
trong mạng 4 cực dưới đây, transistor được mắc theo cách nào?
phát chung (CE)
góp chung (CC)
gốc chung (CB)
darlington
nếu hệ số khuếch đại dòng điện β=200 và dòng điện cực góp là 100mA thì dòng điện cực gốc sẽ là :
0,5mA
20A
2A
2mA
nếu hệ số khuếch đại dòng điện β=200 và dòng điện cực góp là 100mA thì dòng điện cực gốc sẽ là :
0,5mA
20A
2A
2mA
hãy cho biết transistor trong sơ đồ sau được phân cực theo cách nào?
phân cực bằng cầu phân áp
phân cực hồi tiếp điện áp ổn định nhiệt
phân cực theo kiểu hồi tiếp điện áp
phân cực bằng dòng cố định
hãy cho biết transistor trong sơ đồ sau được phân cực theo cách nào?
phân cực bằng cầu phân áp ổn định nhiệt
phân cực theo kiểu hồi tiếp điện áp
phân cực hồi tiếp điện áp có ổn định nhiệt
phân cực bằng cầu phân áp
hãy cho biết transistor trong sơ đồ sau được phân cực theo cách nào?
phân cực hồi tiếp điện áp ổn định nhiệt
phân cực bằng cầu phân áp
phân cực bằng dòng cố định
phân cực theo kiểu hồi tiếp điện áp
mạch điện được mắc theo kiểu Darlingion, transistor Q1 có hệ số β1=90 transistor Q2 có hệ số β2=70 hỏi hệ số khuếch đại dòng điện của cả mạch β bằng bao nhiêu?
6300
20
320
160
cho mạch điện như hình vẽ, cho UB=10V, RB=100kΩ Rc=3,6kΩ Vc=10V hãy xác định dòng cực gốc IB
93μA
100μA
100mA
93mA
cho mạch điện như hình vẽ. cho Ic=1mA, Rc=3,6KΩ, Vc=10V. hãy xác định điện áp UCE (hình 33)
6,4V
0,64V
10V
9V
cho mạch điện như hình vẽ. transistor chế tạo từ Silic có hệ số β=100 và ICB0=0mA, UBE=0V. hãy xác định dòng điện Ic . hình 33 Rc=3k Rb=200k Vc=10V Ub=5v
25μA
2,5mA
3,1mA
3,3mA
cho mạch điện như hình vẽ Ic=10mA, Ec=10V, Rc=470Ω, RB=100KΩ.Hãy xác định điện áp UCE
5,3V
6,3V
4,7V
4V
cho mạch điện như hình vẽ. hãy xác định điện trở tương đương của cực gốc
5kΩ
20KΩ
10KΩ
7,5KΩ
cho mạch điện như hình vẽ. hãy xác định điện trở tương đương của cực gốc
5,866KΩ
170Ω
58,66KΩ
14KΩ
Câu 38: cho mạch điện như hình vẽ. hãy xác định điện trở tương đương của cực gốc
5,866KΩ
170Ω
58,66KΩ
14KΩ
Câu 39: cho mạch điện như hình vẽ. xác định điện áp U
7,5V
10V
5V
6V
Câu 40: cho sơ đồ mạch điện như hình vẽ. hãy cho biết transistor làm việc ở chế độ nào?
bão hòa
ngắt
tích cực
không phải cả 3 chế độ trên
Câu 41:tại sao trong mạch khuếch đại tín hiệu nhoe kiểu CB trở kháng dấu vào nhỏ
là điện trở mặt ghép EB
tín hiệu xoay chiều đầu vào nhỏ
điện trở miền cực phát E nhỏ
cực gốc B nối đất
Câu 42: hệ số khuếch đại dòng điện của mạch khuếch đại CB bằng
-α
-1
β
-R
Câu 43: hệ số khuếch đại dòng điện của mạch khuếch đại CE bằng
β
-1
-α
R
Câu 44: mạch khuếch đại CE có đặc điểm
đảo pha tín hiệu
hệ số khuếch đại điện áp thấp
trở kháng đầu ra cao
hệ số khuếch đại dòng điện thấp
Câu 45: trong mạch khuếch đại CC hệ số khuếch đại nào lớn nhất
hệ số khuếch đại dòng điện
hệ số khuếch đại điện áp
trở kháng đầu ra
hệ số khuếch đại công suất
Câu 46: trong sơ đồ tương đương tham số hỗn hợp h để xác định hệ số h11 ta phải
ngắt mạch đầu ra
hở mạch đầu ra
ngắt mạch đầu vào
hở mạch đầu vào
Câu 47: trong sơ đồ tương đương tham số hỗn hợp h để xác định hệ số h12 ta phải
hở mạch đầu vào
hở mạch đầu ra
ngắt mạch đầu vào
ngắt mạch đầu ra
Câu 48: tại sao khi phân tích mạch khuếch đại của BJT trong chế độ tín hiệu nhỏ ta có thể ngắt mạch các nguồn một chiều tới đất, bởi vì
không ảnh hưởng đến việc tính toán tham số của mạch
tín hiệu đầu vào xuay chiều rất nhỏ
các tụ điện cản trở dòng điện một chiều
không cần đến nguồn một chiều trong mạch
Câu 49: cho các tham số của sơ đồ mạch tạo thiên áp bằng dòng cố định E=12V, R_B=220kΩ, Rc=2,2KΩ,B=80. Tìm đi
Câu 49: cho các tham số của sơ đồ mạch tạo thiên áp bằng dòng cố định E=12V, R B =220kΩ, Rc=2,2KΩ,B=80. Tìm điểm làm việc tĩnh Q(I BQ , I CQ ,U CEQ )
51,4μA; 4,1 mA; 2,98V
51,4μA; 4,4 mA; 2,32V
65,4μA; 5,2 mA; 1,56V
50,0μA; 4,0 mA; 3,2V
Câu 50: cho các tham số của sơ đồ mạch tạo thiên áp bằng dòng cố định E=14V, R B =220kΩ, Rc=2,2KΩ,B=80. Tìm điểm làm việc tỉnh Q(I BQ , I CQ ,U CEQ
60,5μA; 4,8 mA; 3,44V
54,5μA; 4,4 mA; 2,32V
60,5μA; 5,2 mA; 1,56V
Câu 59: điều kiện để BJT loại PNP dẫn:
VE>VB>VC
VC>VB>VE
VC>VE>VB
VB>VE>VC
Câu 60: điều kiện để BJT loại PNP dẫn:
VBE>0; VBC<0
VBE<0; VBC<0
VBE>0; VBC>0
VBE<0; VBC>0
Câu 61: điều kiện để BJT loại PNP dẫn:
VBE<0; VBC>0
VBE<0; VBC<0
VBE>0; VBC<0
VBE>0; VBC>0
Câu 62: khi BJT dẫn điện có dòng:
IE>IC>IB
IC>IB>IE
IC=IB=IE
IB>IE>IC
Câu 63: BJT mắc kiểu cực phát chung được gọi là mắc kiểu
CE
CC
CB
CS
Câu 64: BJT mắc kiểu cực gốc chung được gọi là mắc kiểu
CB
CC
CE
CG
Câu 65: BJT mắc kiểu cực thu chung được gọi là mắc kiểu
CC
CB
CE
CD
Câu 66: Khi BJT mắc kiểu CB thì tín hiệu ngõ ra so với tín hiệu ngõ vào là:
cùng pha, tín hiệu vào cực E, ra cực C
đảo pha, tín hiệu vào cực B, ra cực E
cùng pha, tín hiệu vào cực B, ra cực E
đảo pha, tín hiệu vào cực B, ra cực C
Câu 67: Khi BJT mắc kiểu CE thì tín hiệu ngõ ra so với tín hiệu ngõ vào là:
đảo pha, tín hiệu vào cực B, ra cực C
cùng pha, tín hiệu vào cực E, ra cực C
cùng pha, tín hiệu vào cực B, ra cực E
đảo pha, tín hiệu vào cực B, ra cực E
Câu 68: mạch khuếch đại mắc kiểu CB có hệ số khuếch đại:
dòng điện gần bằng 1
điện áp gần bằng 1
dòng điện hệ số khuếch đại áp
dòng điện hệ số khuếch đại áp gần bằng 1
Câu 69: khi BJT loại NPN dẫn, đa số electron di chuyển từ:
B đến E
E đến C
C đến E
E đến B
Câu 70 khi BJT loại PNP dẫn, đa số electron di chuyển từ:
B đến E
E đến C
C đến E
E đến B
Câu 71: BJT có hệ số β được gọi là hệ số khuếch đại:
dòng điện
điện áp
công suất
pha
Câu 72: tọa độ điểm làm việc tĩnh Q của BJT được xác định bởi
IB, IC, VCE
VGS, ID, VDS
IB, IC, VBE
IG, ID, VDS
Câu 73: BJT có điểm làm việc ở trạng thái tĩnh Q(0,3mA; 2mA; 6V) nghĩa là:
IBQ=0,3mA; ICQ=2mA; VCEQ=6V
IBQ=2mA; ICQ=0,3mA; VBEQ=6V
IBQ=0,3mA; ICQ=2mA; VBEQ=6V
IBQ=0,3mA; IEQ=2mA; VCEQ=6V
Câu 74: mạch điện tạo thiên áp như hình vẽ là mạch phân cực BJT dùng:
thiên áp bằng dòng Emitter
thiên áp bằng dòng cố định
thiên áp bằng phân áp
thiên áp bằng hồi tiếp Collector
Câu 75: mạch điện tạo thiên áp như hình vẽ là mạch phân cực BJT dùng
thiên áp bằng hồi tiếp Collector
thiên áp bằng dòng cố định
thiên áp bằng phân áp
thiên áp bằng dòng Emitter
Câu 76: mạch điện tạo thiên áp như hình vẽ là mạch phân cực BJT dùng
thiên áp bằng hồi tiếp collector
thiên áp bằng dòng cố định
thiên áp bằng phân áp
thiên áp bằng dòng emitter
Câu 77: mạch điện tạo thiên áp như hình vẽ là mạch phân cực BJT dùng:
thiên áp bằng dòng cố định
thiên áp bằng phân áp
thiên áp bằng hồi tiếp Collector
thiên áp bằng dòng Emitter
Câu 78: mạch phân cực BJT dạng thiên áp bằng dòng Emitter có biểu thức xác định điện thế tại các cực của BJT:
Câu 78: mạch phân cực BJT dạng thiên áp bằng dòng Emitter có biểu thức xác định điện thế tại các cực của BJT:
VE=IE•RE; VB=VE+VBE; VC=VCC-IE•RC
VE=IE•RE; VB=VE+VBE; VC=IC•RC
VE=IE•RE; VB=IB•RB; VC=IC•RC
VE=IE•RE; VB=IB•RB; VC=VCC-Ic•RC
Câu 79: mạch phân cực BJT dạng thiên áp bằng dòng Collector có biểu thức xác định điện thế tại các cực của BJT:
VE=IE•RE; VB=VE+VBE; VC=VCC-Ic•RC
VE=IE•RE; VB=VE+VBE; VC=IC•RC
VE=IE•RE; VB=IB•RB; VC=IC•RC
VE=IE•RE; VB=IB•RB; VC=VCC-Ic•RC
Câu 80: mạch phân cực BJT dạng thiên áp bằng phân áp có biểu thức xác định điện thế tại các cực của BJT:
VE=IE•RE; VB=VE+VBE; VC=VCC-IE•RC
VE=IE•RE; VB=VE+VBE; VC=IC•RC
VE=IE•RE; VB=IB•RB; VC=IC•RC
VE=IE•RE; VB=IB•RB; VC=VCC-IC•RC
Câu 81: mạch phân cực BJT dạng thiên áp bằng dòng Emitter có RB=570k; RC=2,5k; RE=0,5k, VCC=12v, VBE=0,6v; β=100. Điện thế tại các cực của BJT là:
VE=1V; VB=1,6V; VC=7V
VE=0V; VB=0,6V; VC=8,4V
VE=0V; VB=0,6V; VC=6V
VE=2,4V; VB=3V; VC=10,8V
Câu 82: mạch phân cực BJT dạng thiên áp bằng phân áp có RB1=56k, RB2=9,5k; RC=2,5k; VCC=12v; VBE=0,6v; β=100. Điện thế tại các cực của BJT là
VE=1V; VB=1,6V; VC=7V
VE=0V; VB=0,6V; VC=8,4V
VE=0V; VB=0,6V; VC=6V
VE=0V; VB=0,6V; VC=10,8V
Câu 83: mạch phân cực BJT dạng thiên áp bằng phân áp có RB=570k; RC=2,5k; VCC=12v; VBE=0,6v; β=100. Điện thế tại các cực của BJT là
VE=1V; VB=1,6V; VC=7V
VE=0V; VB=0,6V; VC=8,4V
VE=0V; VB=0,6V; VC=6V
VE=0V; VB=0,6V; VC=10,8V
Câu 84: mạch phân cực BJT dạng thiên áp bằng phân áp có RB=270k; RC=2,5k; VCC=12v; VBE=0,6v; β=100. Điểm làm việc tĩnh của BJT:
Q(0,02mA;2mA;6,0V)
Q(0,2mA;20mA;6,0V)
Q(0,06mA;6mA;8,4V)
Q(0,048mA;4,8mA;8,4V)
Câu 85: mạch phân cực BJT dạng dùng một nguồn với cầu phân thế có RB1=56k; RB2=9,7k; RC=2,5k; VCC=0,6V; β=100. Điểm phân cực của BJT:
Câu 85: mạch phân cực BJT dạng dùng một nguồn với cầu phân thế có RB1=56k; RB2=9,7k; RC=2,5k; VCC=0,6V; β=100. Điểm phân cực của BJT:
A.Q(20μA;2mA;6V)
B. Q(2μA;2mA;6V)
C. Q(60μA;6mA;8,4V)
D. Q(48μA;4,8mA;8,4V)
Câu 86: mạch phân cực BJT dạng dùng một nguồn với cầu phân thế có RB1=48k; RB2=12k; RC=1,5k; VCC=0,6V; β=80. Điểm phân cực của BJT:
A. Q(60μA;4,8mA;8,4V)
B. Q(20μA;1,6mA;6V)
C. Q(0,06mA;48mA;8,4V)
D. Q(48μA;4,8mA;6V)
Câu 87 mạch phân cực BJT dạng thiên áp bằng phân áp có RB=520k; RC=2,5k; RE=0,5k; VCC=12v; VBE=0,6v; β=100. Điểm làm việc tĩnh của BJT:
Câu 88: mạch phân cực BJT dạng thiên áp bằng phân áp có RB=520k; RC=2,5k; RE=0,5k; VCC=12v; VBE=0,6v; β=100. Phương trình đường tải tĩnh:
A. IC=-0,33•10^-3VCE+4•10^-3
B. -0,33•VCE+4
C. IC=-0,5•VCE+9
D. IC=-0,5•10^-3VCE+9•10^-3
Câu 89: mạch phân cực BJT dạng thiên áp bằng phân áp có RB=320k; RC=4,5k; RE=1,5k; VCC=12v; VBE=0,6v; β=100. Phương trình đường tải tĩnh:
Câu 90: mạch phân cực BJT dạng thiên áp bằng phân áp có RB=320k; RC=4,5k; RE=1,5k; VCC=12v; VBE=0,6v; β=100. Phương trình đường tải tĩnh:
A. IC=-0,2•10^-3VCE+2,4•10^-3
B. -0,2•VCE+2,4
C. IC=-0,5•10^-3VCE+2,4•10^-3
D. -0,5•VCE+2,4
Câu 91 mạch phân cực BJT dạng thiên áp bằng phân áp có RB1=48k; RB2=12k; RC=6,5k; RE=1,5k; VCC=18v; VBE=0,6v; β=80. Phương trình đường tải tĩnh:
A. IC=-0,5•10^-3VCE+9•10^-3
B. -0,5•VCE+2
C. IC=-0,33•10^-3VCE+4•10^-3
D. -0,33•VCE+4
Câu 92 mạch phân cực BJT dạng thiên áp bằng phân áp có RB=520k; RC=6,5k; RE=1,5k; VCC=12v. Phương trình đường tải tĩnh:
A. IC=-0,13•10^-3VCE+1,5•10^-3
B. -0,13•VCE+1,5
C. IC=-0,33•10^-3VCE+4•10^-3
D. -0,33•VCE+4
Câu 93: mạch phân cực BJT dạng dung một nguồn điện với điện trở hối tiếp RB; VCC=12v; β=100. Điểm phân cực Q(20μA;2mA;6V). ta chọn RB có giá trị:
A.270kΩ
B.520Ω
C.270Ω
D.520kΩ
mạch phân cực BJT dạng dung một nguồn điện với điện trở hối tiếp RB; VCC=12v; β=100. Điểm phân cực Q(20μA;2mA;6V). ta chọn RB có giá trị
270kΩ
520Ω
270Ω
520kΩ
mạch phân cực BJT dạng dung một nguồn điện với điện trở hối tiếp RB; VCC=12v;VBE=0,6v; β=100. Điểm phân cực Q(20μA;2mA;6V). ta chọn RB có giá trị
270kΩ
520Ω
270Ω
520kΩ
mạch phân cực BJT dạng dung một nguồn điện với điện trở hối tiếp RB; VCC=12v;VBE=0,6v; β=100. Điểm phân cực Q(20μA;2mA;6V). tính giá trị của (RC+RE):
3kΩ
3MΩ
FET có đặc trưng cơ bản là:
một cấu kiện được điều khiển bằng điện áp
một cấu kiện được điều khiển bằng dòng điện
có hệ số khuếch đại điện áp cao
có trở kháng vào thấp
để tạo ra dòng điện mạch, một transistor đơn hạt sử dụng:
chỉ điện tử tự do hoặc lỗ trống
chỉ điện tử tự do
chỉ lỗ trống
cả điện tử tự do và lỗ trống
trở kháng vào của FET:
vô cùng lớn
gần bằng 0
gần bằng 1
không thể đoán được
điện áp cực cống G của FET dung để điều khiển:
tất cả các thành phần
điện áp “ngắt”
dòng điện cực máng
độ rộng của kênh
chuyển tiếp pn giữa nguồn và cực cổng của JFET cần phải:
phân cực ngược
phân cực thuận
hoặc phân cực thuận, hoặc phân cực ngược
không phải các điều trên
các hạt dẫn trong JFET kênh p là:
các lỗ trống
các điện tử tự do
các điện tử tự do và các lỗ trống
có thể là điện tử tự do hoặc lỗ trống
MOSFET kênh có sẵn hoạt động như:
một JFET
Một MOSFET kênh cảm ứng
một nguồn dòng
một transistor lưỡn
MOSFET kênh có sẵn hoạt động như:
một JFET
Một MOSFET kênh cảm ứng
một nguồn dòng
một transistor lưỡng cực
điện áp nào có tác dụng làm cho MOSFET kênh cảm ứng hoạt động:
điện áp lưỡng U GSth
điện áp khuỷu U BO
điện áp ngắt U GS ngắn
điện áp bão hòa U DB
khi một JFET hoạt động ở chế độ ngắt thì các chuyển tiếp pn sẽ:
chạm vào nhau
dẫn điện
cách xa nhau
chồng lẫn lên nhau
trong một JFET kênh n khi điện áp cực cống G càng âm hơn thì kênh dẫn nằm giữa hau lớp tiếp xúc tở nên:
hẹp hơn
đường cong parabol
đường cong hypebol
không thay đổi
ở vùng thuần trở của đặc tuyến ra của FET, dòng điện tỉ lệ với điện áp theo quy luật:
đường thẳng
đường cong parabol
đường cong hypebol
không thay đổi
ở vùng bão hòa của đặc tuyến ra của FET, dòng điện tỉ lệ với điện áp theo quy luật:
không thay đổi
đường thẳng
đường cong parabol
đường cong hypebol
vật liệu chế tạp cực nguồn và máng của MOSFET kênh cảm ứng loại n là:
bán dẫn tạp n
bán dẫn thuần
kim loại
bán dẫn tạp p
trở kháng vào của JFET có giá trị trong khoảng:
10^14 ÷ 10^16 Ω
10^6 ÷ 10^8 Ω
10^9 ÷ 10^10 Ω
10^11 ÷ 10^13 Ω
trở kháng vào của MOSFET có giá trị trong khoảng:
10^14 ÷ 10^16 Ω
10^6 ÷ 10^8 Ω
10^9 ÷ 10^10 Ω
10^11 ÷ 10^13 Ω
vật liệu kênh dẫn của JFET kênh n là chất:
bán dẫn tạp n
bán dẫn tạp p
bán dẫn thuần
hợp kim
để MOSFET kênh cảm ứng loại p hoạt động ta phải cấp nguồn điện phân cực sao cho:
|U GS|>=|U GSth| và U DS<0
|U GS|<=|U GSth| và U DS<0
|U GS|>=|U GSth| và U DS<0
|U GS|<=|U GSth| và U DS<0
một JFET có I Dbh=10mA và U DShh=2V thì điện trở 1 chiều R DS bằng:
200Ω
400Ω
2Ω
5Ω
Câu 18: một JFET có I Dbh =10mA và U DShh =2V thì điện trở 1 chiều R DS bằng:
200Ω
400Ω
2Ω
5Ω
Câu 19: một JFET có điện điện cực máng bão hòa I Dbh =200mA và điện áp máng bão hòa U DShh =5V. hỏi điện trở 1 chiều của JFET ở vùng thuần trở là bao nhiêu:
250Ω
100Ω
250KΩ
2,5KΩ
Câu 20: công thức tính dòng điện cực máng của transistor trưởng là:
A.I D =I DO [1- U GS /U GSngắt ] 2
B. I D =kI DO [1- U GS /U GSngắt ] 2
C. I D =I DO [1- U GS /U GSngắt ]
D. I D =I DO [1+ U GS /U GSngắt ] 2
Câu 21: trong công thức tính dòng điện cực máng I D =KI DO của JFET, hệ số K bằng:
[I-U GS /U GSngắt ] 2
[U GS /U GSngắt ] 2
[I+U GS /U GSngắt ] 2
[I+U GS /U GSngắt ]
Câu 22: trong sơ đồ mắc cực nguồn chung, hệ số khuếch đại điện áp lớn nhất của FET có thể đạt được là:
150÷300
10÷30
<1
5÷10
Câu 23: trong sơ đồ mắc cực máng chung, hệ số khuếch đại điện áp lớn nhất của FET có thể đạt được là:
<1
150÷300
10÷30
5÷10
Câu 24: đặc tuyến truyền đạt của FET: I D =f(U GS ) khi U DS không đối là một:
đường cong hypebol
đường cong parabol
đường thẳng
đường không xác định trước
Câu 25: hãy cho biết transistor trong sơ đồ mạch sau được mắc theo cách nào:
cực máng chung
cực cổng chung
cực nguồn chung
cực phát chung
Câu 26: hãy cho biết transistor trong sơ đồ mạch sau được mắc theo cách nào:
cực nguồn chung
cực cổng chung
cực máng chung
cực phát chung
Câu 27: hãy cho biết transistor trong sơ đồ mạch sau được phân cực theo cách nào:
tự phân cực
phân cực cố định
phân cực hồi tiếp
phân cực phân áp
Câu 28: hãy cho biết transistor trong sơ đồ mạch sau được phân cực theo cách nào:
phân cực phân áp
phân cực hồi tiếp
phân cực cố định
tự phân cực
Câu 29: cho mạch điện như hình vẽ. xác định điện áp máng nguồn
Transistor trong sơ đồ mạch sau được phân cực theo cách nào
phân cực phân áp
phân cực hồi tiếp
phân cực cố định
tự phân cực
Cho mạch điện như hình vẽ. Xác định điện áp máng nguồn U DS
9V
17V
5V
11V
Cho mạch điện như hình vẽ. Xác định điện áp máng nguồn U DS
13,8V
11V
1,2V
4V
Cho mạch điện như hình vẽ. Xác định điện áp máng nguồn U DS
7,5V
9V
11V
0V
Cho mạch điện như hình vẽ. Xác định điện áp máng nguồn U DS
10V
20V
15V
5V
Cho mạch điện như hình vẽ. Xác định điện áp máng nguồn I D
7,5mA
20mA
17mA
7,5A
Cho mạch điện như hình vẽ. Xác định điện áp máng nguồn I D
0,25mA
5,55mA
0,5mA
4,72A
Cho mạch điện như hình vẽ biết I D =15mA. Xác định điện áp trên cực cống G:
10V
0V
15V
5V
Để điều khiển dòng điện cực máng I D trong JFET kênh loại dẫn loại P ta phải cấp điện áp
V GS lớn hơn hoặc bằng 0
V GS nhỏ hơn hoặc bằng 0
V GS lớn hơn 0
V GS nhỏ hơn 0
Trong JFET kênh dẫn loại N khi giảm điện áp đặt lên cực cổng V GS thì điện áp thắt kênh V p sẽ:
giảm
tăng
không đỏi
bằng 0
Trong transistor trưởng FER thì dòng điện cực cống I G luôn:
bằng 0
lớn hơn 0
nhỏ hơn 0
phụ thuộc vào điện áp cực cống V GS
Tại sao lại gọi MOSFET là transistor trưởng có cực cửa cách ly:
giữa cực cổng G và kênh dẫn có một lớp oxit silic SiO2 mỏng
giữa cực máng D và kênh dẫn có một lớp oxit silic SiO2 mỏng
giữa cực nguồn S và kênh dẫn có một lớp oxit silic SiO2 mỏng
giữa các điện cực và kênh dẫn có một lớp oxit silic SiO2 mỏng
Loại transistor trưởng nào có thể làm việc được cả chế độ làm nghèo và chế độ làm giàu kênh dẫn:
D-MOSFET
E-MOSFET
JFET
cả 3 loại trên
Mạch thiên áp bằng hồi tiếp điện áp Transistor trưởng D-MOSFET áp dụng cho
(a)
chế độ làm nghèo và chế độ làm giàu kênh dẫn:
D-MOSFET
E-MOSFET
JFET
cả 3 loại trên
mạch thiên áp bằng hồi tiếp điện áp Transistor trưởng D-MOSFET áp dụng cho
chết độ làm giàu kênh dẫn
chế độ làm nghèo kênh dẫn
cả chế độ làm nghèo và làm giàu kênh dẫn
không dung cho D-MOSFET
mạch thiên áp tự cấp( tự phân cực ) không dung được cho Transistor trưởng E-MOSFET kênh N bởi vì
VGS<0
VGS>0
VGS=0
không xác định VGS
chế độ làm nghèo kênh dẫn loại N có nghĩa là:
số lượng điện tử trong kênh dẫn giảm xuống
số lượng lỗ trống trong kênh dẫn giảm xuống
số lượng động từ trong kênh dẫn giảm xuống
số lượng động từ trong kênh dẫn tang lên
chế độ làm giàu kênh dẫn loại P có nghĩa là
lỗ trống trong phần đế bán dẫn loại N bị kéo vào kênh dẫn
điện tử trong phần đế bán dẫn loại N bị kéo vào kênh dẫn
lỗ trống trong kênh dẫn loại P bị đẩy ra khỏi kênh dẫn
lỗ trống trong kênh dẫn loại P bị tái hợp bởi điện tử trong đế bán dẫn loại N
trong cấu trúc tụ
VG>VT
VG=VT
VG>0
VG=0
JFET là
Transistor hiệu ứng trưởng điều khiển bằng mặt ghép pn phản cực ngược
Transistor hiệu ứng trưởng điều khiển bằng điện áp
Transistor hiệu ứng trưởng kênh dẫn có sẵn
Transistor hiệu ứng trưởng điều khiển bằng mặt ghép pn phân cực thuận
JFET có hiệu điện thế giữa cực cổng và cực nguồn là:
VGS
VGD
VDS
VDG
JFET kênh N có mối nối P-N được phân cực nghịch khi:
VGS<0
VDS<0
VDS>0
VGS>0
JFET kênh P có mối nối P-N được phân cực nghịch khi:
VGS>0
VDS<0
VDS>0
VGS<0
khi JFET kenh N dẫn có chiều dòng điện ID từ
D về S
S về G
S về D
G về S
N được phân cực nghịch khi:
A.VGS>0
B. VDS<0
C. VDS>0
D. VGS<0
khi JFET kenh N dẫn có chiều dòng điện ID từ
A. D về S
B. S về G
C. S về D
D. G về S
khi JFET kenh P dẫn có chiều dòng điện ID từ
A. D về S
B. S về G
C. S về D
D. G về S
JFET kênh N có VGS càng âm thì điện trở kênh dẫn:
A. tăng
B. giảm
C. không đổi
D. bằng vô cùng
JFET kênh N có VGS càng âm thì dòng điện ID:
A. giảm
B. tăng
C. không đổi
D. bằng 0
JFET kênh P có VGS càng dương thì có dòng điện ID:
A. giảm
B. tăng
C. không đổi
D. bằng vô cùng
các kiểu mắc cơ bản của MOSFET là :
A. cổng chung, mảng chung, nguồn chung
B. nền chung, thu chung, phát chung
C. cổng chung, thu chung, phát chung
D. nền chung, thoát chung, nguồn chung
tọa độ điểm làm việc tĩnh Q của JFET được xác định bởi:
A. VGS, ID, VDS
B. IS, ID, VGS
C. IG, IS, VDS
D. IG, ID, VDS
JFET có điểm phân cực Q(-2V; 2mA; 5V) nghĩa là
A. VGSQ=-2V; IDQ=2mA; VDSQ=5V
B. VGSQ=-2V; IGQ=2mA; VDSQ=5V
C. VGSQ=-2V; ISQ=2mA; VDSQ=5V
D. VGDQ=-2V; IGQ=2mA; VDSQ=5V
D-MOSFET là:
A. Transistor hiệu ứng trưởng kênh dẫn có sẵn
B. Transistor hiệu ứng trưởng điều khiển bằng điện áp
C. Transistor hiệu ứng trưởng kênh dẫn không có sẵn
D. Transistor hiệu ứng trưởng điều khiển bằng mặt ghép pn phân cực ngược
cấu tạo của MOSFET kênh dẫn loại N khác với cấu tạo của MOSFET kênh cảm ứng loại N
A. kênh dẫn có sẵn loại N
B. kênh dẫn không có sẵn loại N
C. kênh dẫn có sẵn loại P
D. kênh dẫn không có sẵn loại P
phương pháp tạo thiên áp bằng điện áp cố định có thể dung cho
A.cả 3 loại trên
B.D-MOSFET
C.E-MOSFET
D. JFET
phương pháp tạo thiên áp bằng điện áp tự cấp có thể dung cho
A. JFET và D-MOSFET
B. JFET và E-MOSFET
C. D-MOSFET và E-MOSFET
D. cả 3 loại trên
phương pháp tạo thiên áp bằng hồi tiếp điện áp có thể dung cho
MOSFET có hiệu điện thế giữa cực cổng và các cực nguồn là:
VGS
VGD
VDS
VDG
MOSFET có hiệu điện thế giữa cực máng và các cực nguồn là:
VDS
VGS
VGD
VDG
khi MOSFET kênh dẫn sẵn loại P dẫn có chiều dòng điện ID từ:
D về S
S về G
S về D
G về S
khi MOSFET kênh dẫn sẵn loại N dẫn có chiều dòng điện ID từ:
D về S
S về G
S về D
G về S
thysistor có thể sử dụng như
một công tắc chuyển mạch
1 bộ khuếch đại
1 điện trở
1 nguồn sáng
dể kích thích thyristor dẫn điện ta sử dụng:
1 dòng điện
tranristor lưỡng cực
hồi tiếp âm
hồi tiếp dương
dòng điện nhỏ nhất có thể bật thyristor dẫn điện là
dòng điện kích thích IG
dòng điện duy trì Ia
dòng điện đánh thủng
dòng điện ngược bão hòa
dòng anode nhỏ nhất giữ cho thyristor dẫn điện gọi là
dòng điện duy trì
dòng điện ngược bão hòa
dòng điện kích thích
dòng điện đánh thủng
chỉnh lưu sillic có thể điều khiển(SCR) có
3 lớp chuyển tiếp PN
4 lớp chuyển tiếp
dẫn điện gọi là
dòng điện duy trì
dòng điện ngược bão hòa
dòng điện kích thích
dòng điện đánh thủng
chỉnh lưu sillic có thể điều khiển(SCR) có
3 lớp chuyển tiếp PN
4 lớp chuyển tiếp PN
2 lớp chuyển tiếp PN
3 vùng bán dẫn pha tạp
để kích thích cho SCR điều khiển người ta dùng
kích thích cực điều khiển G
dòng điện duy trì
cái ngắt điện
hiệu ứng đánh thủng Pλ
triac tương đương với
2SCR đấu song song và ngược chiều
2SCR đấu song song và cùng chiều
diode có 4 lớp bán dẫn
2 triac mắc song song
khi SCR dã dẫn điện ta ngắt dòng điện điều khiển thi SCR sẽ
tiếp tục dẫn
ngừng dẫn
chuyển sang chế độ ngắt
chuyển sang chế độ bão hòa
những linh kiện bán dẫn nào có thể điều kiển được thời điểm mở
thyristor và triac
thyristor và dirhstor
diac và triac
dirhstor và diac
dirhstor và thyristor có mấy mặt ghép PN
3
2
3
5
bức xạ ánh sáng là 1 bức xạ của bức xạ điện từ có tần số dao động từ
10^14 - 10^15 Hz
10^8 - 10^10 Hz
10^6 - 10^7 Hz
10^19 - 10^20 Hz
vùng hồng ngoại có bước song từ
780nm-100μm
50nm-380 μm
380nm-780nm
100 μm-10mm
led hồng ngoại là diode có khả năng bức xạ
ánh sáng hồng ngoại
ánh sáng nhìn thấy
ánh sáng cực tím
tất cả trên
vùng ánh sáng nhìn thấy có bước sóng khoảng
380nm-780nm
780nm-100 μm
50nm-38nm
100 μm-10mm
Led chỉ thị là diode có khả năng bức xạ
ánh sáng nhìn thấy
ánh sáng hồng ngoại
ánh sáng cực tím
cả 3 ý trên
khi nhiệt dộ làm việc tăng thì độ dài bước song của led sẽ
giảm đi
tăng lên
không thay đổi
tỉ lệ theo hàm mũ
