wayground logo

Free Printable Worksheets

NEW

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

QUIZ: Lithography

Total questions: 10

Worksheet time: 11mins

Name
Class
Date
1.

Xác định độ tương phản (γ) của photoresist với Q0 = 40 mJ/cm², Qf = 100 mJ/cm². Giá trị gần đúng của γ là?

a)

1.5

b)

2.5

c)

5.0

d)

10.0

2.

Khác biệt cơ chế mask EUV (13.5 nm) so với mask DUV (193 nm)?

a)

DUV dùng phản xạ, EUV dùng truyền qua

b)

DUV truyền qua, EUV phản xạ

c)

EUV làm từ Fused Silica, DUV từ Mo/Si

d)

DUV dùng Crôm hấp thụ, EUV không hấp thụ

3.

Trong mô hình Fraunhofer Projection Lithography, thấu kính chiếu ảnh hưởng thế nào đến tần số không gian?

a)

A. Tăng cường tần số cao

b)

B. Bộ lọc thông dài

c)

C. Bộ lọc thông cao

d)

D. Bộ lọc thông thấp

4.

Kỹ thuật in chi tiết nhỏ hơn bước sóng λ gọi là gì?

a)

Fraunhofer Approximation

b)

Subwavelength Lithography

c)

Rayleigh Limit

d)

Ray Tracing

5.

Trong Proximity Lithography (mask cách wafer khoảng nhỏ g), nhiễu xạ nào được dùng?

a)

Fresnel (near-field)

b)

Fraunhofer (far-field)

c)

Kirchhoff

d)

Không cần mô hình

6.

Theo công thức Rayleigh R = k1 * λ / NA. Khi tăng NA, ảnh hưởng đến R và DOF?

a)

R giảm, DOF tăng

b)

R tăng, DOF tăng

c)

R giảm, DOF giảm

d)

R tăng, DOF giảm

7.

Kỹ thuật RET nào dùng dịch pha 180° để tăng độ tương phản?

a)

OPC

b)

Multi-Patterning

c)

Phase Shifting Masks (PSM)

d)

Immersion Lithography

8.

Mục đích chính của Post-Exposure Bake (PEB) trong DUV/EUV resist?

a)

Bay hơi dung môi

b)

Hoàn tất phản ứng bằng khuếch tán axit và xúc tác polymer

c)

Làm cứng resist

d)

Giảm hiệu ứng sóng đứng

9.

Tại sao E-beam direct writing không dùng cho sản xuất hàng loạt?

a)

Độ phân giải thấp

b)

Overlay kém

c)

Mask phản xạ đất

d)

Throughput thấp, phơi wafer mất hàng chục phút

10.

Trong Nanoimprint Lithography (NIL), khác biệt cơ bản Thermal NIL và UV NIL?

a)

Thermal NIL in 1:1, UV NIL in thu nhỏ 4X

b)

Thermal NIL dùng nhiệt & áp suất, UV NIL dùng khuôn trong suốt + UV

c)

Thermal NIL cần khuôn trong suốt, UV NIL cần khuôn kim loại

d)

UV NIL có thông lượng thấp hơn nhiều Thermal NIL