Un diodo Zener presenta una caída Vz que varía según Vz(I)=Vz0 + rz·I. Si Vz0= $$4.7$$ V y rz= $$6\Omega$$ , ¿qué análisis describe mejor el efecto de la resistencia dinámica?

Para un circuito rectificador con un diodo ideal y carga resistiva, la señal de entrada es Vs(t)= $$12\,\sin(\omega t)$$ . ¿Cuál es el valor RMS de salida tras el rectificador de media onda?

En un BJT en activa, la ecuación Ic = $$\beta\,\mathrm{Ib}$$ se combina con Vce = Vcc − Ic·Rc. Si el estudiante interpreta el gráfico de carga, ¿qué punto determina el límite de saturación?

Un transistor muestra $$\beta=120$$ pero el gráfico Ic−Vce exhibe Early effect. ¿Qué parámetro debe analizar el estudiante para corregir el modelamiento matemático?

Un diodo tiene capacitancia $$\mathrm{Cd}(V)=C_0/(1+V/\varphi)^n$$ . ¿Cuál interpretación es correcta al aumentar V?

Un LED rojo tiene Vf= $$1.8$$ V a $$20$$ mA. Si se requiere $$30$$ mA, el datasheet indica resistencia dinámica rd= $$12\Omega$$ . ¿Qué Vf debe esperarse?

Para un BJT en emisor común, la gráfica de ganancia AC disminuye después de fβ. Si fβ= $$12$$ kHz, ¿qué implica esto?

La ecuación de potencia en un diodo es $$P_d=V_d\cdot I_d$$ . Si $$V_d=0.72$$ V y la hoja técnica indica $$P_d$$ máx= $$500$$ mW, ¿cuál es la corriente máxima permitida?

En un multiplicador de voltaje basado en diodos, la caída Vf afecta la salida. Para un sistema de 4 etapas y Vf= $$0.65$$ V, ¿cuál es la caída total estimada?

El estudiante analiza un gráfico de I−V para un fotodiodo. La pendiente en inversa representa:

Para un transistor en región activa, la ecuación $$g_m = I_c/VT$$ indica:

Un diodo Schottky con Vf= $$0.32$$ V se simula en un circuito donde se requiere minimizar pérdidas. ¿Cuál ventaja se analiza?

El estudiante interpreta la gráfica de recuperación inversa de un diodo. La variable crítica para conmutación es:

En un puente rectificador, si cada diodo cae $$0.7\text{ V}$$ , ¿cuál es la caída total por conducción?

Para un BJT en saturación, la ecuación $$V_{CE(\text{sat})}=V_{BE}-V_{BC}$$ indica:

Si un diodo tiene $$R_L=220\,\Omega$$ y $$V_s=12\text{ V}$$ , ¿cuál es el valor aproximado de corriente considerando $$V_f=0.7\text{ V}$$ ?

En un gráfico de potencia vs. temperatura para un BJT, el estudiante observa una pendiente negativa. Esto implica:

Para un diodo cuya ecuación inversa es $$I_r=I_s\cdot e^{(-V/V_T)}$$ , ¿qué comportamiento se espera al aumentar temperatura?

En un BJT Darlington, la caída $$V_{BE}$$ total es:

La curva de transferencia de un BJT muestra $$I_c$$ vs. $$V_{BE}$$ . Si la pendiente inicial es muy pronunciada, ¿qué indica?

Un diodo semiconductor se utiliza en un circuito alimentado con una señal senoidal de alta frecuencia. Durante el análisis experimental, se observa que el dispositivo presenta pérdidas en la respuesta y reducción en la velocidad de conmutación.

¿Cuál de los siguientes parámetros explica mejor la limitación del rendimiento del diodo en estas condiciones?

En un transistor BJT configurado como amplificador en emisor común, el análisis del plano de carga permite estudiar la relación entre corriente y voltaje en la región activa del dispositivo.

Si el punto de operación QQQ se desplaza hacia la región de saturación, ¿cuál de las siguientes interpretaciones describe mejor el comportamiento del amplificador?

Cuando un diodo semiconductor se encuentra en conducción directa, una aproximación lineal $$V_d\approx V_0+r_d\cdot I$$ de su curva característica permite simplificar el análisis del circuito eléctrico.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones explica mejor el efecto de utilizar una aproximación lineal para modelar el comportamiento del diodo en esta región?:

En un circuito recortador (clipper) con diodos, un estudiante analiza la señal de salida y observa que parte de la onda de entrada es limitada al superar cierto nivel de voltaje.

¿Cuál de los siguientes factores explica mejor la amplitud máxima que alcanza la señal de salida en el circuito?

En un BJT, la ecuación $$r\pi=\beta/g_m$$ implica:

Un diodo PIN está conformado por una región tipo P, una región intrínseca y una región tipo N. Este tipo de dispositivo se emplea frecuentemente en aplicaciones de alta frecuencia y sistemas de conmutación debido a sus características eléctricas particulares.

Durante el análisis del dispositivo, un estudiante observa que la presencia de la región intrínseca modifica el comportamiento de la unión respecto a un diodo PN convencional.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones explica mejor el efecto producido por la región intrínseca en un diodo PIN?

En un sistema de comunicaciones y conmutación electrónica se comparan dos dispositivos semiconductores: un diodo PN convencional y un diodo PIN. Ambos permiten el paso de corriente en polarización directa; sin embargo, su estructura interna produce diferencias importantes en aplicaciones de alta frecuencia.

El diodo PN convencional está formado únicamente por una unión entre materiales tipo P y tipo N. En este dispositivo, la región de agotamiento es relativamente estrecha, por lo que la capacitancia de unión puede aumentar el efecto de almacenamiento de carga y limitar la velocidad de respuesta cuando trabaja con señales de alta frecuencia.

Por otro lado, el diodo PIN incorpora una región intrínseca (I) entre las capas P y N. Esta zona incrementa el ancho de la región de agotamiento y reduce la capacitancia de unión. Como consecuencia, el dispositivo presenta mejor comportamiento en aplicaciones de radiofrecuencia, conmutación rápida y control de señales, ya que puede responder con mayor eficiencia a variaciones rápidas de voltaje.

Durante una práctica de laboratorio, un estudiante observa que el diodo PIN mantiene una respuesta más estable y rápida frente a señales senoidales de alta frecuencia en comparación con el diodo PN convencional.

A partir de las características estructurales de ambos dispositivos, ¿cuál de las siguientes afirmaciones explica mejor este comportamiento?

En el análisis de pequeña señal de un transistor BJT utilizado como amplificador $$C_\mu$$ , se consideran diferentes capacitancias internas asociadas a las uniones del dispositivo. Entre ellas, la capacitancia de unión base-colector adquiere gran importancia cuando el circuito trabaja con señales de alta frecuencia.

Durante una práctica de laboratorio, un estudiante observa que al aumentar la frecuencia de la señal de entrada, la ganancia del amplificador comienza a disminuir y aparece un retraso en la respuesta de salida. Al analizar el modelo AC del transistor, concluye que este comportamiento está relacionado con los efectos capacitivos internos del BJT.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones explica mejor el efecto de la capacitancia interna en el análisis AC del transistor?

Para un diodo térmicamente compensado, la relación $$V_d(T)=V_{d0}-kT$$ indica:

Un amplificador operacional se configura en modo inversor utilizando una resistencia de entrada de 2 kΩ2\,k\Omega2kΩ y una resistencia de realimentación de 10 kΩ10\,k\Omega10kΩ. Durante la práctica, un estudiante observa que la señal de salida cambia de fase respecto a la entrada y presenta una amplitud mayor.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones explica mejor el comportamiento del circuito?

En un circuito con amplificador operacional configurado como no inversor, un estudiante conecta una señal senoidal de baja amplitud y observa que la señal de salida conserva la fase original.

¿Cuál es la mejor explicación para este comportamiento?

En un laboratorio de electrónica analógica, un estudiante analiza un circuito integrador basado en amplificador operacional y aplica una señal cuadrada a la entrada. En la salida observa una señal triangular.

¿Cuál es la explicación más adecuada para este comportamiento?

Un sistema de adquisición de datos requiere invertir y amplificar una señal proveniente de un sensor. Para ello, se implementa un amplificador operacional en configuración inversora con Rf=20 kΩR_f=20\,k\OmegaRf​=20kΩ y Rin=5 kΩR_{in}=5\,k\OmegaRin​=5kΩ.

Durante las pruebas, el estudiante observa que una señal de entrada de 0.5 V0.5\,V0.5V produce una salida negativa de mayor amplitud.

¿Cuál de las siguientes explicaciones interpreta correctamente el comportamiento del circuito?

En un sistema biomédico se necesita amplificar una señal muy pequeña sin modificar su fase. El ingeniero selecciona una configuración no inversora con amplificador operacional.

Durante la simulación, el estudiante concluye que la salida conserva la forma de la señal original y aumenta su amplitud.

¿Cuál es la mejor justificación para este comportamiento?

Un sistema de automatización industrial recibe señales de temperatura, presión y luminosidad. Para procesarlas conjuntamente, se utiliza un amplificador operacional en configuración sumadora.

Durante el análisis del circuito, un estudiante observa que la salida depende simultáneamente de todas las entradas conectadas.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones explica mejor este comportamiento?

En un laboratorio de electrónica analógica, un estudiante aplica una señal cuadrada a un integrador con amplificador operacional y observa una señal triangular en la salida.

¿Cuál de las siguientes interpretaciones explica mejor el fenómeno observado?

Un sensor entrega una señal de 0.2 V, pero un sistema de adquisición requiere una señal de salida de −2 V. Para ello, se implementa un amplificador operacional en configuración inversora con resistencias adecuadas.

¿Cuál de las siguientes interpretaciones explica mejor el funcionamiento del circuito?

En un sistema de instrumentación, un amplificador operacional en configuración inversora utiliza una resistencia de entrada de 4 kΩ y una resistencia de realimentación de 20 kΩ. A la entrada se aplica una señal de 0.6 V.

A partir del análisis del circuito, ¿cuál es el valor más probable del voltaje de salida?

Un amplificador operacional no inversor se diseña con Rf=18 kΩ y R1=2 kΩ. Si el voltaje de entrada es 0.4 V, ¿qué voltaje se espera en la salida?

Un circuito sumador inversor posee Rf=10 kΩ y tres entradas iguales de R1=R2=R3=10 kΩ. Las señales aplicadas son:

V1=1V,V2=2V,V3=−1V

¿Cuál será el voltaje de salida del circuito?

En un circuito con un amplificador operacional en configuración inversora, si se aplica una señal de entrada de 1 V y se utilizan resistencias de realimentación de 15 kΩ y de entrada de 5 kΩ, ¿cuál será el voltaje de salida?

Un diodo Zener se utiliza para regular un voltaje de 5 V. Si la corriente a través del diodo es de 20 mA, ¿cuál es la potencia disipada en el diodo?

En un transistor BJT, si la corriente de base $$I_b=10\,\mu A$$ y el factor de amplificación $$\beta=100$$ , ¿cuál es la corriente de colector $$I_c$$ ?