Font size
WorksheetsDIODE BÁN DẪN: Cơ bản và Tính toán
Total questions: 150
Worksheet time: 1hrs 15mins
Diode bán dẫn có nội trở rất cao khi phân cực thuận
Đúng
Sai
Diode bán dẫn k có cực tính
Đúng
Sai
Diode bán dẫn được chế tạo từ các chất bán dẫn tạp chất
Đúng
Sai
Phương trình dùng để tính công suất tỏa ra trên diode
P_D=U_D×I_D
P_D=U_D×R_D
PD=UD2×ID
các phương án đều sai
Tại sao lại có hiện tượng nghèo hạt dẫn tại vùng tiếp giáp
Lỗi trong quá trình sản xuất
Các phương án đều sai
Do dòng trôi của các hạt dẫn trong điện trường
Sự khuếch tán của hạt dẫn đa số cho phép sự tái hợp xảy ra khá triệt để tại vùng tiếp giáp
Diode sẽ KHÔNG bị hỏng bởi nguyên nhân nào
Điện áp giữa hai đầu diode quá lớn
Tần số của dòng điện chạy qua diode quá lớn
Dòng điện chạy qua diode quá lớn
Không có phương án nào đúng
Những dòng điện nào sẽ xuất hiện khi hai khối bán dẫn loại N và loại P ghép tiếp xúc nhau
Dòng trôi của hạt dẫn và ion
Dòng điện tự do và điện tử hóa trị
Dòng trôi và dòng khuếch tán của cả điện tử lẫn lỗ trống
Dòng khuếch tán của lỗ trống và dòng trôi của điện tử
Trong bán dẫn loại N, hạt dẫn đa số là hạt gì
Điện tử
Ion dương
Lỗ trống
Không có hạt dẫn nào là đa số
Ý nào dưới đây là giải thích đúng nhất về nội trở xoay chiều của diode
Là lượng biến thiên nội trở của diode khi làm việc với tín hiệu xoay chiều
Là nội trở của diode khi có điện áp đặt vào hai đầu diode
Là lượng biến thiên nội trở của diode chuyển từ phân cực thuận sang ngược
Là lượng biến thiên nội trở của diode theo thời gian
Trong mạch nhìn như một nửa chu kì bằng diode lý tưởng, khi diode ở trạng thái phân cực ngược, dòng qua tải là
Nhỏ hơn 0
Lớn hơn 0
Bằng 0
Đạt cực đại
Tên ba mô hình tương đương tần số thấp của diode
Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ)
Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa nhiều đoạn (đầy đủ)
Lý tưởng, gần lý tưởng, và thực tế
Lý tưởng, phi tuyến hóa từng đoạn đơn giản, và phi tuyến hóa từng đoạn (đầy đủ)
Chức năng chính của diode zener
Ổn dòng
Ổn áp
Chỉnh lưu
Nhân áp
Với diode, sơ đồ tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ) khác nhau ở điểm nào
Nội trở r_d
Điện áp mở U_D0 và dung kháng khuếch tán (điện dung của tiếp giáp)
Điện áp mở U_D0
Nội trở r_d và điện áp mở U_D0
Một tiếp xúc PN đang được phân cực ngược. Điện dung của tiếp xúc sẽ giảm khi
Điện áp ngược tăng lên
Điện áp ngược giảm đi
Ngừng phân cực cho tiếp xúc
Các phương án đưa ra đều sai
Điện thế nhiệt U_T tại nhiệt độ 55°C có giá trị xấp xỉ
28,3mV
25mV
26,1mV
29,9mV
Số lượng diode tối thiếu trong một mạch chỉnh lưu cầu cần là
1 diode
2 diode
3 diode
4 diode
Ứng dụng nào dưới đây KHÔNG phải ứng dụng đặc trưng của diode
Khuếch đại tín hiệu
Chỉnh lưu nửa chu kì
Hạn mức điện áp
Chỉnh lưu cả chu kì
Khi mạch chỉnh lưu cầu hoạt động:
Có duy nhất 1 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa
Có 2 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa
Có 3 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa
Tất cả các diode đều dẫn thông
Nhiệt độ tăng ảnh hưởng như thế nào đến hoạt động của diode
Dòng ngược bão hòa của diode giảm
Điện áp của diode giảm
Diode không hoạt động được
Dòng điện thuận cực đại tăng
Mạch chỉnh lưu có nhiệm vụ
Biến đổi dòng điện xoay chiều sang dòng điện một chiều
Biến đổi dòng điện một chiều sang dòng điện xoay chiều
Giảm độ nhấp nhô (gợn) của điện áp ra của các bộ nguồn
Lưu trữ năng lượng trong một nửa chu kì và giải phóng trong nửa chu kì còn lại của hình sin
Đặt điện áp dương vào vùng P và điện áp âm vào vùng N của một tiếp xúc PN khiến
Dòng điện qua lớp tiếp xúc tăng lên
Dòng điện qua lớp tiếp xúc giảm đi
Bề rộng vùng nghèo tăng lên
Trở kháng của lớp tiếp xúc tăng lên
Khi diode phân cực thuận, vùng nghèo hạt dẫn sẽ:
Thu hẹp vào ở cả hai phía
Thu hẹp vào ở một phía
Mở rộng ra về cả hai phía
Mở rộng ra về một phía
Cơ bản không thay đổi
Điện áp tiếp xúc tại vùng nghèo của diode chế tạo bằng Si là xấp xỉ
0.7V
0.3V
1.2V
1.5V
Trong bán dẫn tạp chất loại P, một lỗ trống trong mạng tinh thể có xu hướng
Hút lỗ trống lân cận lại gần
Đẩy lỗ trống lân cận ra xa
Lấy một điện tử ở lỗ bên cạnh để lấp đầy vị trí trống của mình
Lấy 1 điện tử nằm gần hạt nhân của nguyên tử tạp chất ra để lấp đầy vị trí trống của mình
Trong tiếp giáp PN, vùng nghèo hạt dẫn mở rộng nhiều hơn sang miền bán dẫn
Kích thước nhỏ hơn
Có nồng độ pha tạp lớn hơn
Có nồng độ pha tạp nhỏ hơn
Kích thước lớn hơn
Loại P
Số lượng diode tối thiếu trong một mạch chỉnh lưu 1 nửa chu kì
1 diode
2 diode
3 diode
3 diode
Để tạo ra bán dẫn thuần, tại sao yêu cầu độ sạch rất cao trong phòng sản xuất
Hạn chế tối đa bụi bay vào mạng tinh thể
Giúp dây truyền sản xuất trơn tru, không bị tác động bởi bên ngoài
Các phương án đưa ra đều sai
Sản xuất bán dẫn có hại cho sức khỏe, độ sạch cao giúp bảo vệ sức khỏe người lao động
Khi diode phân cực ngược, phát biểu nào sau đây đúng
Dòng khuếch tán tăng mạnh còn dòng trôi giảm
Dòng khuếch tán và dòng trôi cùng tăng
Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng nhưng nhanh chóng đạt giá trị bão hòa
Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng nhanh
Đặt điện áp dương vào vùng P, điện áp âm vào vùng N của 1 tiếp giáp PN khiến
Trở kháng của lớp tiếp giáp tăng lên
Dòng điện qua lớp tiếp giáp tăng lên
Dòng điện qua lớp tiếp giáp giảm đi
Bề rộng vùng nghèo hạt dẫn tăng lên
Số diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kì dùng biến áp có điểm giữa
2 diode
1 diode
3 diode
4 diode
Câu 30: Gọi R_D là nội trở một chiều của diode, U_P và I_P lần lượt là điện áp giữa hai đầu và dòng điện chạy qua diode. R_D được tính bằng công thức nào?
R_D=dU_P/dI_P
R_D=U_P/I_P
Các phương án đưa ra đều sai
R_D=P_D/I_P
Câu 31: Nguyên tố nào sau đây được dùng để sản xuất bán dẫn đơn chất?
Kẽm
Silic
Chì
Đồng
Câu 32: Với tính chất dẫn điện ở nhiệt độ thường, nhận định nào sau đây đúng về bán dẫn?
Chất bán dẫn dẫn điện kém hơn chất cách điện
Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất cách điện
Các phương án đưa ra đều sai
Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất dẫn điện
Câu 33: Trong mạng tinh thể Si, liên kết giữa hai nguyên tử Si là gì?
Liên kết dạng thép
Các phương án đưa ra đều sai
Liên kết đồng đều
Liên kết cộng hoá trị
Câu 34: Dòng điện khuếch tán là dòng của các hạt dẫn trong điều kiện nào?
Có sự chênh lệch về nồng độ hạt dẫn giữa hai khối bán dẫn được ghép tiếp xúc với nhau
Có dòng điện ngoài chạy qua khối bán dẫn
Có sự chênh lệch về kích thước giữa hai khối bán dẫn được ghép tiếp xúc với nhau
Có điện trường ngoài đặt vào khối bán dẫn
Câu 35: Khi không có điện trường ngoài, dòng điện trong diode bằng 0 là do nguyên nhân nào?
Các phương án đưa ra đều sai
Điện tử tự do đã kết hợp hết với lỗ trống
Dòng trôi và dòng khuếch tán cân bằng nhau và triệt tiêu lẫn nhau
Mật độ các loại hạt dẫn ở hai bên tiếp giáp đã cân bằng nên không có dòng điện khuếch tán
Câu 36: Để tạo ra điện tử tự do trong mạng tinh thể một khối bán dẫn thuần dạng ở 0 K, phương án nào sai?
Nung nóng khối bán dẫn
Không cần làm vì đã có sẵn nhiều điện tử tự do trong mạng tinh thể
Đặt một nguồn phóng xạ cạnh khối bán dẫn
Chiếu sáng khối bán dẫn bằng ánh sáng có bước sóng ngắn
Câu 37: Diode rò vào vùng đánh thủng do điện khí khi nào?
Điện áp ngược trên diode lớn hơn giá trị đánh thủng
Điện áp thuận trên diode lớn hơn giá trị đánh thủng
Điện áp ngược áp lên diode bằng 0 nhưng diode quá nóng
Dòng điện thuận chạy qua diode quá lớn
Câu 38: Một diode Si phân cực thuận, dòng điện trong diode tăng mạnh khi điện áp thuận bắt đầu vượt quá giá trị nào?
0,7V
0,3V
1,2V
1,5V
Câu 39: Dòng điện trôi là dòng của gì?
Của các điện tử khi có sự chênh lệch về nồng độ
Các phương án đưa ra đều sai
Của các lỗ trống khi có sự chênh lệch về nồng độ
Của cả hai loại hạt dẫn dưới tác động của điện trường
Câu 40: Trong vùng đánh thủng do điện, dòng điện qua diode có đặc điểm nào?
Bằng 0
Là dòng thuận và giảm mạnh theo điện áp
Là dòng ngược bão hoà
Là dòng ngược nhưng tăng mạnh theo điện áp
Câu 41: Tác dụng của tụ điện mắc với tải đầu ra của mạch chỉnh lưu là gì?
Nắn điện áp xoay chiều thành điện áp một chiều
Tăng điện áp đầu ra lên gấp đôi
Giảm độ gợn điện áp đầu ra
Không cho các nhiễu điện tần số cao đi xuống cực âm của nó
Câu 42: Tên gọi thông dụng cho các vùng trên đặc tuyến vôn-ampe của diode là gì?
Phân cực thuận, phân cực ngược, quá dòng, đánh thủng do nhiệt
Phân cực thuận, phân cực ngược, quá dòng, quá nhiệt
Phân cực thuận, phân cực ngược, đánh thủng do điện (zener), đánh thủng do nhiệt
Phân cực thuận, phân cực ngược, đánh thủng do điện (zener), đánh thủng do từ
Câu 43: Trong mạch lỗ cộng hoá trị, mỗi nguyên tử Si của bán dẫn thuần góp bao nhiêu điện tử cho liên kết chung?
2
7
8
1
Câu 44: Tên ba mô hình tương đương tần số thấp của diode là gì?
Lý tưởng, tuyến tính hoá từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hoá từng đoạn đầy đủ
Lý tưởng, tuyến tính hoá từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hoá nhiều đoạn đầy đủ
Lý tưởng, gần lý tưởng, và thực tế
Lý tưởng, phi tuyến hoá từng đoạn đơn giản, và phi tuyến hoá từng đoạn đầy đủ
Câu 45: Diode có nội trở cao khi phân cực thuận hay không?
Sai
Đúng
Câu 46: Trong diode, hạt dẫn đa số là gì?
Lỗ trống
Điện tử bên bán dẫn loại N, lỗ trống bên bán dẫn loại P
Điện tử
Điện tử bên bán dẫn loại P, lỗ trống bên bán dẫn loại N
Câu 47: Bán dẫn tạp chất loại P bao gồm các nguyên tố nào sau đây?
Nhóm III
Nhóm III pha với nhóm IV
Nhóm IV
Nhóm V
Câu 48: Dòng trôi trong diode là dòng của đối tượng nào?
Hạt dẫn thiểu số
Hạt dẫn đa số
Điện tử
Lỗ trống
Câu 49: Trong quá trình sinh ra điện tử và lỗ trống bên trong mạng tinh thể bán dẫn thuần, số lượng hạt dẫn loại nào nhiều hơn?
Điện tử nhiều hơn lỗ trống
Chỉ có điện tử hoặc lỗ trống được sinh ra
Số lượng điện tử và lỗ trống là bằng nhau
Lỗ trống nhiều hơn điện tử
Câu 50: Với một diode có U_Z bằng 4,7V, phát biểu nào sau đây đúng?
Điện áp thuận cực đại là 4,7V
Điện áp mở là 4,7V
Các phương án đều sai
Điện áp đánh thủng do điện là 4,7V
Câu 51: Cho mạch điện như hình vẽ, E=5V, R=8Ω, r_D=1Ω, diode được làm từ Si. Để tính toán các tham số của mạch với sai số không quá 10%, áp dụng sơ đồ tương đương nào của diode là hợp lý nhất?
Tuyến tính hoá từng đoạn đầy đủ
Lý tưởng
Tuyến tính hoá từng đoạn đơn giản
Tần số cao
Câu 52: Đặt điện áp ngược 12V lên mạch điện gồm một diode zener mắc nối tiếp với một điện trở R. Nếu U_Z=3V thì giá trị điện áp đo trên diode zener là bao nhiêu?
12V
3V
9V
6V
Câu 53: Một diode lý tưởng hoạt động giống như gì?
Một công tắc
Một dây dẫn
Một điện trở
Một tụ điện
Câu 55: Diode zener có đặc điểm quan trọng khác với diode thông thường là gì?
Cho phép dòng điện thuận lớn hơn đi qua, phù hợp với ứng dụng công suất lớn
Có vùng đánh thủng do điện (zener) rất dốc, phù hợp với ứng dụng ổn áp
Có dòng ngược bão hoà lớn hơn
Có điện áp mở lớn hơn
Câu 56: Đặc tuyến vôn-ampe của một diode không phụ thuộc vào yếu tố nào?
Loại chất bán dẫn dùng để chế tạo
Các điện trở và tụ điện trong mạch điện mà diode làm việc
Nhiệt độ của diode
Bức xạ ion hoá chiếu của diode
Câu 57: Khi mạch chỉnh lưu cầu hoạt động, trạng thái các diode là gì?
Tất cả các diode dẫn thông
Có 2 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khoá
Chỉ 1 diode dẫn thông
Không diode nào dẫn thông
Trong phân cực thuận, chiều dòng khuếch tán chủ yếu của hạt mang điện là theo hướng nào qua vùng tiếp giáp p–n?
Từ p sang n do gradient nồng độ
Từ n sang p do điện trường ngoài
Từ p sang n do điện trường ngoài
Từ n sang p do gradient nồng độ
Khi phân cực ngược tăng, độ rộng vùng nghèo của diode thay đổi như thế nào?
Giảm nhẹ theo điện áp ngược
Tăng theo căn điện áp ngược
Không đổi theo mọi điện áp
Tăng tuyến tính với điện áp ngược
Ở mô hình diode lý tưởng, điều kiện để diode dẫn là gì?
Điện áp thuận vượt một ngưỡng cố định
Chỉ cần điện áp thuận dương bất kỳ
Dòng rò ngược đạt đến cực đại
Nhiệt độ vượt qua 300 K
Trong mô hình diode có điện áp ngưỡng, điện áp rơi thuận UD được coi như thế nào khi dẫn?
Bằng hằng số độc lập dòng
Tăng theo logarit của dòng
Giảm khi nhiệt độ tăng
Bằng không ở mọi điều kiện
Diode phân cực ngược mạnh tới gần điểm đánh thủng. Dòng chủ yếu trong vùng nghèo lúc này là gì?
Dòng khuếch tán electron
Dòng trôi do điện trường
Dòng khuếch tán lỗ trống
Dòng nhiệt cân bằng
Điện áp đánh thủng Zener phụ thuộc mạnh nhất vào yếu tố nào sau đây?
Diện tích tiếp giáp p–n
Mức pha tạp vùng nghèo
Điện trở dây nối ngoài
Tần số tín hiệu nhỏ
Hệ số nhiệt của điện áp ngưỡng thuận của diode silic có xu hướng như thế nào khi nhiệt độ tăng?
Điện áp thuận tăng nhẹ
Điện áp thuận giảm nhẹ
Không đổi theo nhiệt độ
Điện áp thuận dao động
Trong đặc tuyến I–V thực, điện trở vi sai r_d của diode được định nghĩa là gì?
dU/dI tại điểm làm việc
U/I ở chế độ thuận
ΔU/ΔI với bước lớn
Điện trở nội dây nối
So với mô hình lý tưởng, mô hình có điện trở nối tiếp Rs bổ sung điều gì?
Sụt áp tăng theo dòng
Dòng rò ngược bằng 0
Ngưỡng dẫn giảm xuống
Độ rộng vùng nghèo không đổi
Khi thêm nguồn AC nhỏ chồng lên phân cực DC thuận, nội trở động r_d ảnh hưởng ra sao đến biên độ tín hiệu ra?
Giảm biên độ do chia áp
Tăng biên độ do khuếch đại
Không ảnh hưởng đến biên độ
Làm đảo pha tín hiệu
Dòng khuếch tán xuất hiện chủ yếu do cơ chế nào?
Chênh lệch nồng độ hạt mang
Điện trường ngoài mạnh
Hiệu ứng nhiệt cân bằng
Tái hợp bề mặt tiếp giáp
Trong vùng nghèo, cơ chế vận chuyển chiếm ưu thế khi có điện trường lớn là gì?
Khuếch tán lỗ trống
Trôi của hạt mang
Tự phát bức xạ
Tản nhiệt phonon
Đặc tuyến V–I của diode ở phân cực ngược trước đánh thủng có tính chất gì?
Dòng gần như bằng 0, có dòng rò nhỏ
Dòng tăng tuyến tính với áp ngược
Dòng dao động theo tần số
Dòng lớn không giới hạn
Trong mạch hạn chế mức dưới dùng diode và nguồn chuẩn E, mục tiêu là gì?
Giữ điện áp ra không vượt quá mức âm
Tăng hệ số khuếch đại tín hiệu
Ổn định dòng DC qua tải
Giảm nhiễu nhiệt của diode
Khi nhiệt độ tăng từ 25°C lên 60°C, tham số UT=kT/q thay đổi thế nào?
Tăng từ 25mV lên khoảng 28mV
Giảm từ 25mV xuống 22mV
Không đổi ở mọi nhiệt độ
Tăng lên khoảng 40mV
Một diode Zener làm việc trong vùng đánh thủng ổn định sẽ có điện áp ra như thế nào khi dòng thay đổi trong phạm vi cho phép?
Gần như không đổi
Tăng tỷ lệ với dòng
Giảm theo logarit dòng
Dao động theo tần số
Trong mạch hạn chế mức trên–dưới đối xứng, số diode cần tối thiểu là bao nhiêu?
Hai diode mắc đối xứng
Một diode duy nhất
Ba diode nối tiếp
Bốn diode cầu
Điện áp mở UD của diode trong mô hình thực phụ thuộc mạnh vào tham số nào của phương trình Shockley?
Dòng bão hòa IS
Điện trở tải RL
Điện cảm dây nối
Tần số nguồn
Trong vùng nghèo, nếu điện trường ngoài cùng chiều với điện trường tiếp xúc, hiện tượng gì xảy ra?
Tăng chiều rộng vùng nghèo
Giảm chiều rộng vùng nghèo
Không đổi vùng nghèo
Xảy ra cộng hưởng
Một transistor lưỡng cực có cấu trúc gồm 3 tiếp xúc PN.
Đúng
Sai
Tiếp xúc PN có sự tham gia của miền base và miền emitter được gọi là tiếp xúc Base-Emitter.
Đúng
Sai
Trong BJT, hạt dẫn đa số trong miền emitter là hạt dẫn đa số trong miền base.
Đúng
Sai
Dòng điện emitter (IE) là tổng của dòng điện collector (IC) và dòng điện base (IB).
Đúng
Sai
Hệ số khuếch đại dòng điện dc của BJT có giá trị nhỏ hơn 20 đến 200 hoặc lớn hơn.
Đúng
Sai
Trong cùng một mạch điện, dòng điện collector là lớn nhất khi BJT bão hòa.
Đúng
Sai
Một BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại, có thể coi βdc= βac= β.
Đúng
Sai
Dòng điện base (IB) của BJT rất nhỏ so với dòng điện collector (IC) và dòng điện emitter (IE).
Đúng
Sai
BJT làm việc ở chế độ cắt dòng khi tiếp xúc base-emitter phân cực thuận.
Đúng
Sai
Hệ số khuếch đại có giá trị bằng điện áp đầu ra chia cho dòng điện đầu vào.
Đúng
Sai
Thuật ngữ bipolar liên quan tới việc dùng cả lỗ trống và điện tử như là các hạt mang điện trong cấu trúc BJT.
Đúng
Sai
Hệ số β của BJT là
Hệ số khuếch đại dòng điện
Hệ số truyền đạt dòng điện base
Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter
Hệ số khuếch đại công suất
Có mấy phương pháp phân cực cho BJT
2
3
4
1
Về mặt lý thuyết, nếu tăng UCE trong khi UBE của BJT được giữ nguyên thì
Dòng điện base giảm nhẹ do tỉ lệ hạt dẫn tái hợp tại miền base giảm
Dòng điện base k đổi
Dòng điện base tăng nhẹ do tỉ lệ hạt dẫn tái hợp tại miền base tăng
Dòng điện base tăng tỷ lệ thuận với độ tăng của UCE
Trong 1 BJT loại NPN, các miền được tạo nên từ bán dẫn loại N là
base và emitter
base và collector
emitter và collector
base
Thông thường, đặc điểm miền emitter của 1 BJT là
Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất mạnh nhất
Có kích thước trung bình, được pha tạp chất mạnh nhất
Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất trung bình
Có kích thước trung bình, được pha tạp chất ít nhất
Điển hình miền base của một BJT thông thường là
Có kích thước lớn nhất và được pha tạp chất mạnh nhất
Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp trung bình
Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp nhẹ nhất
Mỏng nhất và được pha tạp chất mạnh nhất
Đặc điểm miền collector của 1 BJT thông thường là
Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất mạnh nhất
Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất ít nhất
Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất trung bình
Có kích thước trung bình, được pha tạp chất mạnh nhất
Dòng điện emitter của 1 BJT được tạo ra do
Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực thuận, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B rồi phần lớn chuyển sang C
Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực ngược, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B rồi một phần nhỏ chuyển sang C
Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực thuận, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C
Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực ngược, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C
Khi đang hoạt động, dòng điện base của BJT được tạo ra do
Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E
Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, tất cả đàn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B
Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, một lượng nhỏ các hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B
Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E
Dòng điện collector của 1 BJT được tạo do
Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền B hút sang miền C
Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền B bị hút sang miền C
Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền C khuếch tán sang miền B
Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền C khuếch tán sang miền B
Thông thường, điện áp giữa cực base và emitter của BJT khi tiếp giáp này được phân cực thuận có giá trị xấp xỉ
0.3V
0.7V
0.3V hoặc 0.7V tùy thuộc vào vật liệu bán dẫn là Ge hay Si
0.3V và 0.7V
Khi tiếp xúc emitter-base của BJT phân cực thuận, độ rộng vùng nghèo hạt dẫn của tiếp xúc này sẽ
Tăng lên
Giảm đi
Không đổi
Ban đầu không đổi sau đó tăng lên
Để một BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại, điện thế của cực base phải
Cao hơn cực emitter
Thấp hơn cực emitter
Cao hơn cực collector
Thấp hơn cực emitter và cao hơn cực collector
Để một BJT loại PNP làm việc ở chế độ khuếch đại, điện thế của cực base phải
Cao hơn cực emitter
Thấp hơn cực emitter
Thấp hơn cực collector
Cao hơn cực emitter và thấp hơn cực collector
Thông tin nào sau đây thể hiện BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại
Điện áp ở cực E lớn hơn điện áp ở cực C và nhỏ hơn điện áp ở cực B
Điện áp ở cực E lớn hơn điện áp ở cực C và điện áp ở cực B
Điện áp ở cực E nhỏ hơn điện áp ở cực C và điện áp ở cực B
Điện áp ở cực E nhỏ hơn điện áp ở cực C và lớn hơn điện áp ở cực B
Đối với BJT loại NPN, thông tin nào sau đây thể hiện nó làm việc ở chế độ khuếch đại
Điện áp ở cực C lớn hơn điện áp ở cực B và điện áp ở cực E
Điện áp ở cực C nhỏ hơn điện áp ở cực B và nhỏ hơn điện áp ở cực E
Điện áp ở cực C nhỏ hơn điện áp ở cực B và lớn hơn điện áp ở cực E
Điện áp ở cực C nhỏ hơn điện áp ở cực B và điện áp ở cực E
Khi một BJT đang hoạt động trong vùng khuếch đại, giá trị của dòng điện ở cực emitter luôn
Lớn hơn dòng điện collector và base
Nhỏ hơn dòng điện collector và base
Bằng dòng điện collector và base
Không phụ thuộc base và collector
Trong một BJT, dòng điện ở cực emitter so với dòng điện ở cực base và cực collector như thế nào?
Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base
Nhỏ hơn giá trị dòng điện ở cực collector
Lớn hơn giá trị dòng điện ở collector
Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base và lớn giá trị dòng điện ở collector
Khi BJT đang hoạt động trong vùng khuếch đại, giá trị của dòng điện ở collector luôn
Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base
Bằng giá trị dòng điện ở cực emitter
Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base và nhỏ hơn giá trị dòng điện ở emitter
Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực emitter
Trong một BJT, hệ số α được định nghĩa là
Hệ số khuếch đại dòng điện
Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter
Hệ số khuếch đại công suất
Hệ số truyền tải dòng điện base
Điện áp trên tiếp xúc BE của BJT loại Si khi phân cực thuận là
0V
0.7V
0.3V
VBB
Đối với một BJT, nếu dòng điện collector bằng 0.95 lần dòng điện emitter thì α bằng
0.05
20
1.05
0.95
Hệ số β của BJT là
Hệ số khuếch đại dòng điện
Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter
Hệ số khuếch đại công suất
Hệ số truyền tải dòng điện base
Khi BJT hoạt động ở chế độ bão hòa, điện áp giữa cực C và cực E thường
Nằm trong khoảng từ 0.3V đến điện áp của nguồn cung cấp
Nhỏ và không quá 0.3V
Bằng điện áp giữa cực B và cực E
Xấp xỉ điện áp của nguồn cung cấp
Có thể dùng đặc tuyến ra của BJT mắc theo mô hình E chung (CE) để giải thích cho đặc tuyến ra của mô mắc theo mô hình nào dưới đây?
B chung (CB)
C chung (CC)
C chung (CC) và B chung (CB)
Các phương án đưa ra đều sai
BJT có điểm làm việc tĩnh (một chiều) phụ thuộc vào nhiệt độ mạnh nhất khi được phân cực theo cách nào trong số sau đây
Phân cực base
Phân cực emitter
Phân cực bằng phân áp
Phân cực bằng hồi tiếp collector
Với một BJT tín hiệu nhỏ, các điện trở re, rB, rC trong mô hình tương đương thường có giá trị sắp xếp theo thứ tự tăng dần từ trái sang phải
re, rB, rC
rB, re, rC
rC, rB, rC
re, rC, rB
Một BJT được làm từ Si, có β=150, đang ở trong mạch điện như hình vẽ. Nếu vì một lý do nào đó mà β tăng lên, dòng collector sẽ
Tăng lên
Giảm đi
Không đổi
Không kết luận được
Phương pháp phân cực cho BJT trong hình là
Phân áp
Phân cực base (Phân cực cố định)
Phân cực emitter
Phân cực hồi tiếp collector
Một BJT được làm từ Si đang ở trong mạch như hình. Nếu vì một lý do nào đó mà β tăng lên, dòng base sẽ
Giảm đi
Tăng lên
Không đổi
Ban đầu không đổi, sau đó giảm mạnh
BJT trong hình vẽ được làm từ Si. Nếu Vcc tăng gấp đôi, dòng điện base sẽ
Giảm đi một nửa
Tăng lên gấp đôi
Gần như không đổi
Ban đầu tăng lên, sau đó giảm đi
BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si. Biết Vcc=10V, Rc=1kΩ, Uin=0V. Tính Uout
0V
10V
0.3V
9V
BJT trong hình vẽ đang làm việc ở chế độ khuếch đại. Biết re=50Ω, Rc=1kΩ và biên độ thành phần tín hiệu xoay chiều tại cực B là Vb=100mV. Tính biên độ điện áp xoay chiều tại cực C (Vout)
0V
2V
4.76V
6.71V
Trong một BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền emitter có đặc điểm
Có độ dày trung bình và có nồng độ pha tạp trung bình
Có độ dày trung bình và có nồng độ pha tạp lớn nhất
Có kích thước lớn nhất và nồng độ pha tạp nhỏ nhất
Có kích thước trung bình và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất
Trong một BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền base có đặc điểm
Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp lớn nhất
Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất
Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất
Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp trung bình
Trong một BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền collector có đặc điểm
Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp lớn nhất
Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất
Có kích thước nhỏ nhất và có nồng độ pha tạp trung bình
Có kích thước trung bình và có nồng độ pha tạp lớn nhất
Dòng điện emitter của một BJT được tạo ra do
Tiếp xúc BE được phân cực thuận, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B rồi phần lớn chuyển sang C
Tiếp xúc BE được phân cực ngược, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền C rồi nhận hồi chuyển sang B
Tiếp xúc BE được phân cực thuận, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C
Tiếp xúc BE được phân cực ngược, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C
Dòng điện base của BJT được tạo ra do
Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E
Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, tất cả hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B
Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, một lượng nhỏ các hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B
Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E và tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền E
Dòng điện collector của một BJT được tạo ra do
Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền B bị hút sang miền C
Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền B bị hút sang miền C
Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền C khuếch tán sang B
Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền C khuếch tán sang miền B
Tham số nào liên quan đến việc tính hệ số ổn định của BJT khi đang hoạt động
α
IB
UBE
cả β, UBE và IC
Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ của BJT tăng hoặc giảm, tham số bị thay đổi
β
UBE
IC
cả β, UBE và IC
Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ của BJT tăng lên, tham số nào sau đây giảm đi
β
UBE
IC
cả β, UBE và IC
Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ tăng lên, tham số nào sau đây tăng lên?
Ic
UBE
IB
UBE và IB
Đối với BJT ở chế độ khuếch đại, để điểm làm việc tĩnh nằm giữa đường tải tĩnh (một chiều), điều kiện nào đúng?
Uc đạt cực đại và Ic=Ic(max)/2
Uc bằng một nửa điện áp nguồn và Ic=Ic(max)
Các phương án đều sai
Uc bằng một nửa điện áp nguồn và Ic=Ic(max)/2
Mạch phân cực BJT Si như hình. Nếu điều chỉnh RB để Ic tăng lên thì UCE sẽ như thế nào?
Không đổi
Tăng lên
Giảm đi
Không kết luận được
Trong hình mạch BJT Si với VCC=9V, VBB=3.5V, RC=1kΩ, RB=200kΩ, β=100. UCE gần bằng bao nhiêu?
0V
9V
7.6V
4.85V
Trong mạch BJT Si với VCC=VBB=10V, RC=1.5kΩ, RB=470kΩ, β=180. UCE xấp xỉ?
0V
10V
5.3V
4.7V
Mạch BJT Si: VCC=10V, RC=1kΩ, Uin=5Vdc. Để tạo ra IB nhỏ hơn 50µA, RB không được nhỏ hơn giá trị nào?
100kΩ
86kΩ
50kΩ
94kΩ
Mạch BJT Si: VCC=10V, RC=1kΩ, Uin=5Vdc. Trong thực tế, dòng Ic bão hòa của BJT là bao nhiêu?
Khoảng 9.7mA
Đúng bằng 10mA
Xấp xỉ 0mA
Khoảng 100mA
BJT ở chế độ bão hòa. Nếu IB tăng lên, Ic sẽ như thế nào?
Giảm đi
Tăng lên
Gần như không đổi
Ban đầu tăng lên, sau đó giảm đi
Mạch BJT Si: VCC=10V, RE=1kΩ, Uin=5V. Nếu giảm RC thì hệ số khuếch đại điện áp (AV) của mạch cực đại sẽ?
Không đổi
Giảm đi
Tăng lên
Không kết luận được
Mạch khuếch đại BJT theo mô hình cực chung (C chung) có đặc điểm nào đúng?
Khuếch đại điện áp gần 1 và hệ số khuếch đại dòng gần β
Khuếch đại điện áp gần β và hệ số khuếch đại dòng gần 1
Khuếch đại điện áp lớn hơn 1 và hệ số khuếch đại dòng lớn hơn β
Khuếch đại điện áp lớn hơn β và hệ số khuếch đại dòng lớn hơn 1
BJT khuếch đại với hồi tiếp emitter qua RB, RC, RE nối tới các cực tương ứng. Giải pháp nào giúp ổn định điểm làm việc tĩnh?
Giảm giá trị RB
Tăng giá trị điện trở RE
Mắc nối tiếp với RE một tụ điện
Mắc song song với RE một tụ điện
Một BJT Si được phân cực bằng mạch điện như hình. IE xấp xỉ bao nhiêu?
0.28mA
2.8mA
0.28A
2.8A
BJT Si phân cực bằng mạch chia áp như hình. Điện áp trên cực C so với đất xấp xỉ?
13.5V
13V
3.2V
10.7V mai lọc dây lại
Mạch BJT Si phân cực bằng chia áp. Nếu tăng giá trị R2, điện áp trên cực B sẽ như thế nào?
Tăng lên
Giảm đi
Không đổi
Không kết luận được
Trong vùng khuếch đại tuyến tính, phương trình đúng giữa các dòng của BJT là gì?
IC=β×IB
IC=β×IE
IB=β×IC
IB=β×IE
BJT đang hoạt động với IE=10mA và IC=9.95mA. Dòng IB xấp xỉ bao nhiêu?
1mA
19.95mA
0.5mA
0.05mA
Trong BJT NPN, các miền được tạo nên từ bán dẫn loại N là gì?
Base và emitter
Base và collector
Emitter và collector
Base
Để BJT làm việc ở chế độ khuếch đại tín hiệu biên độ nhỏ, điều kiện tiếp xúc phân cực nào đúng?
Tiếp xúc E-B thuận, C-B thuận
Tiếp xúc E-B thuận, C-B ngược
Tiếp xúc E-B ngược, C-B ngược
Tất cả phương án đều sai
Mạch E chung có khả năng và đặc điểm nào đúng?
Khuếch đại dòng điện, khuếch đại điện áp, điện áp ra ngược pha với điện áp vào
Khuếch đại dòng điện, khuếch đại điện áp, điện áp ra cùng pha với điện áp vào
Không khuếch đại dòng điện, khuếch đại điện áp, điện áp ra cùng pha
Không khuếch đại dòng điện, khuếch đại điện áp, điện áp ra ngược pha
Nếu UBE=0V và UCB=UCE=EC (điện áp nguồn cung cấp), kết luận đúng nhất là gì?
BJT đang khuếch đại
BJT đang bão hòa
BJT đang cắt dòng
BJT bị hỏng
Trong BJT NPN, hạt dẫn đa số trong cực Base là gì?
Các điện tử tự do
Các lỗ trống
Các điện tử từ tụ dơ
Các phương án đều sai
