Worksheetscau hoi 3.4
Total questions: 30
Worksheet time: 5mins
Cực thân (back-gate) của MOSFET có thể được dùng như cực điều khiển kênh dẫn không?
Có, có thể dùng như cực điều khiển thứ hai
Không, chỉ nối đất và bỏ qua hoàn toàn
Chỉ dùng trong chế độ ngắt hoàn toàn
Chỉ dùng khi kênh bị đảo mạnh
Khi λ = 0, độ lợi điện áp của tầng khuếch đại dùng back-gate phụ thuộc đại lượng nào?
Transconductance g_m và điện trở tải R_D
Điện áp nguồn và điện áp ngõ vào
Điện dung cổng và điện trở kênh
Chiều dài kênh và hệ số λ
Lý do nào khiến một số công nghệ CMOS không dùng điện trở mà dùng transistor mắc diode làm tải?
Điện trở khó chế tạo chính xác và tốn diện tích
Điện trở rẻ và dễ điều chỉnh hơn MOSFET
Điện trở cho độ tuyến tính cao nhất mọi lúc
MOSFET mắc diode gây nhiễu lớn hơn điện trở
MOSFET mắc diode (gate–drain nối tắt) luôn hoạt động ở vùng nào?
Vùng bão hòa với V_DS = V_GS − V_TH
Vùng tuyến tính với V_DS nhỏ nhất
Vùng ngắt với dòng kênh bằng không
Vùng triode khi V_GS dưới ngưỡng
Trở kháng của MOSFET mắc diode trong mô hình tín hiệu nhỏ là gì khi xét cả hiệu ứng thân?
r_d = 1/(g_m + g_mb)
r_d = 1/g_m
r_d = 1/g_ds
r_d = 1/(g_m − g_mb)
Nếu không xét hiệu ứng thân, trở kháng của MOSFET mắc diode bằng gì?
r_d = 1/g_m
r_d = 1/(g_m + g_mb)
r_d = 1/g_ds
r_d = 1/(g_mb)
Vì sao trở kháng tại cực source của transistor M1 giảm khi có hiệu ứng thân?
Xuất hiện thêm g_mb làm tổng độ dẫn tăng
Do V_TH giảm làm dòng triode tăng
Vì g_ds triệt tiêu hoàn toàn g_m
Do cổng–nguồn bị phân cực ngược
MOSFET mắc diode có hành vi tín hiệu lớn giống toán tử nào?
Quan hệ bậc hai theo điện áp
Quan hệ tuyến tính tuyệt đối
Quan hệ logarit tự nhiên
Quan hệ bậc ba theo điện áp
Một tải transistor mắc diode tương đương với loại linh kiện tín hiệu nhỏ nào?
Một điện trở hai cực nhỏ
Một nguồn dòng lý tưởng
Một tụ điện tuyến tính
Một diode PN lý tưởng
Vì sao MOSFET mắc diode luôn bão hòa?
V_DS = V_GS > V_GS − V_TH nên thỏa điều kiện
V_DS luôn nhỏ hơn V_GS − V_TH
V_GS luôn nhỏ hơn điện áp ngưỡng
V_DS độc lập hoàn toàn với V_GS
Thêm g_mb vào mô hình tương đương làm thay đổi điều gì?
Giảm trở kháng nhìn vào và tăng độ dẫn
Tăng trở kháng nhìn vào vô hạn
Loại bỏ hoàn toàn ảnh hưởng của g_m
Làm điện áp ngưỡng không đổi tuyệt đối
Vì sao transistor mắc diode có trị số điện trở nhỏ ở chế độ tín hiệu nhỏ?
Vì gm lớn nên rd≈1/gm nhỏ
Vì gmb bằng không với mọi công nghệ
Vì dòng rò làm giảm điện trở đáng kể
Vì điện dung cổng triệt tiêu điện trở kênh
Trong khuếch đại nguồn chung, tăng điện trở tải RD giúp tăng đại lượng nào?
Độ lợi điện áp vi sai của tầng
Dòng phân cực cổng ở chế độ DC
Dải thông tần số góc cao nhất
Hệ số tuyến tính vùng triode mở rộng
File nêu rõ có thể dùng cực thân như một cực điều khiển kênh dẫn.
Đúng trong mọi cấu hình mạch
Đúng trong một số điều kiện bias
Sai vì thân luôn nối mass
Sai vì thân không ảnh hưởng kênh
Khi λ = 0, độ lợi điện áp của tầng CS được tính theo:
Av = gm·ro
Av = −gm·RD
Av = RD/gm
Av = 1/ro
Thiết kế tầng CS thường bắt đầu bằng việc chọn:
Transistor lớn, dòng lớn
Transistor nhỏ, dòng phân cực thấp
Điện trở tải nhỏ
Nguồn cấp lớn
Tại sao trong công nghệ CMOS thường dùng MOSFET mắc diode thay cho điện trở?
MOSFET rẻ hơn và nhanh hơn
Điện trở khó chế tạo chính xác và chiếm diện tích lớn
Điện trở gây nhiễu cao trong CMOS
MOS bền hơn điện trở kim loại
MOSFET mắc diode (gate–drain nối tắt) luôn ở vùng:
Tuyến tính gần ohmic
Ngắt với dòng nhỏ
Bão hòa với VGD = 0
Quá độ do nạp điện
Để đạt độ lợi |A_v|≈10 cho khuếch đại CS với điện trở tải R_D, điều kiện gần đúng cần là:
g_m/R_D=10
g_m·R_D=10
g_m=10
R_D=10 Ω
Tham số W/L ảnh hưởng mạnh nhất đến yếu tố nào của MOSFET trong thiết kế khuếch đại?
Điện trở tải
Công suất nguồn
Dòng phân cực và transconductance
Điện dung đầu ra
Vì sao chọn dòng phân cực thấp trong thiết kế mạch nano ở giai đoạn đầu?
Giảm tần số
Giảm nhiễu
Giảm công suất
Tăng kích thước transistor
MOSFET mắc diode tương đương với phần tử nào ở tín hiệu nhỏ?
Tụ điện
Nguồn dòng
Điện trở hai cực
Biến áp
Điều kiện để MOS mắc diode hoạt động như một điện trở AC nhỏ-signal là:
Biến thiên tín hiệu lớn
Không có phân cực DC
Có phân cực DC và tín hiệu nhỏ
Không cần phân cực
Lý do MOS mắc diode có điện trở nhỏ-signal r_d nhỏ là:
Vì g_m lớn
Vì V_th nhỏ
Vì λ=0
Vì không có dòng
Tăng R_D trong tầng khuếch đại nguồn chung sẽ:
Tăng độ lợi
Giảm độ lợi
Không ảnh hưởng
Tăng dòng phân cực
Mục đích chính của mô phỏng khi chọn W/L là gì?
Tính điện trở chính xác
Vẽ hàm g_m theo I_D
Chỉnh lại V_th
Đo điện dung
Khi xét body effect, thông số cần thêm vào mô hình là:
g_d
g_mb
r_o
C_gs
Một transistor mắc diode có vai trò tương tự:
Load tuyến tính
Load phi tuyến
Load cố định
Load phụ thuộc nhiệt độ
Trong thiết kế, điện trở tải lớn thường bị giới hạn bởi:
Nhiễu
Biên độ swing đầu ra
Kích thước chip
Điện áp đánh thủng
Quan hệ giữa dòng Id và điện áp trong MOS mắc diode dẫn đến hành vi kiểu:
Tuyến tính
Bình phương
Mũ
Logarit
