wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Diode Bán Dẫn

Total questions: 86

Worksheet time: 43mins

Name
Class
Date
1.

Diode bán dẫn có nội trở rất cao khi phân cực thuận

a)

Sai

b)

Đúng

2.

Phương trình dùng để tính công suất tỏa ra trên diode

a)

P_D = U_D x I_D

b)

P_D = U_D x R_D

c)

Các phương án đều sai

d)

PD=UD2xIDP_D=U_D^2xI_D

3.

Tại sao lại có hiện tượng nghèo hạt dẫn tại vùng tiếp giáp

a)

Các phương án đều sai

b)

Lỗi trong quá trình sản xuất

c)

Sự khuếch tán của hạt dẫn đa số cho phép sự tái hợp xảy ra khá triệt để tại vùng tiếp giáp

d)

Do dòng trôi của các hạt dẫn trong điện trường

4.

Diode sẽ KHÔNG bị hỏng bởi nguyên nhân nào

a)

Điện áp giữa hai đầu diode quá lớn

b)

Dòng điện chạy qua diode quá lớn

c)

Tần số của dòng điện chạy qua diode quá lớn

d)

Không có phương án nào đúng

5.

Những dòng điện nào sẽ xuất hiện khi hai khối bán dẫn loại N và loại P ghép tx vs nhau

a)

Dòng trôi và dòng khuếch tán của cả điện tử lẫn lỗ trống

b)

Dòng điện tử tự do và điện tử hóa trị

c)

Dòng khuếch tán của lỗ trống và dòng trôi của điện tử

d)

Dòng trôi của hạt dẫn và ion

6.

Trong bán dẫn loại N, hạt dẫn đa số là hạt gì

a)

Không có hạt dẫn nào là đa số

b)

Lỗ trống

c)

Ion dương

d)

Điện tử

7.

Y nào dưới đây là giải thích đúng nhất về nội trở xoay chiều của diode

a)

Là lượng biến thiên nội trở của diode theo thời gian

b)

Là nội trở của diode khi có điện áp đặt vào hai đầu diode

c)

Là lượng biến thiên nội trở của diode chuyển từ phân cực thuận sang ngược

d)

Là lượng biến thiên nội trở của diode khi làm việc với tín hiệu xoay chiều

8.

Trong mạch chỉnh lưu một nửa chu kì bằng diode lý tưởng, khi diode ở trạng thái phân cực ngược, dòng qua tải là

a)

Nhỏ hơn 0

b)

Lớn hơn 0

c)

Bằng 0

d)

Đạt cực đại

9.

Tên ba mô hình tương đương tần số thấp của diode

a)

Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa nhiều đoạn (đầy đủ)

b)

Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ)

c)

Lý tưởng, gần lý tưởng, và thực tế

d)

Lý tưởng, phi tuyến hóa từng đoạn đơn giản, và phi tuyến hóa từng đoạn (đầy đủ)

10.

Chức năng chính của diode zener

a)

Ổn dòng

b)

Ổn áp

c)

Chỉnh lưu

d)

Nhân áp

11.

Với diode, sơ đồ tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ) khác nhau ở điểm nào

a)

Điện áp mở U_D0 và dung kháng khuếch tán (điện dung của tiếp giáp)

b)

Nội trở rđ và điện áp mở U_D0

c)

Điện áp mở U_D0

d)

Nội trở rđ

12.

Một tiếp xúc PN đang được phân cực ngược. Điện dung của tiếp xúc sẽ giảm khi

a)

Điện áp ngược tăng lên

b)

Ngừng phân cực cho tiếp xúc

c)

Các phương án đưa ra đều sai

d)

Điện áp ngược giảm đi

13.

Điện thế nhiệt Ur tại nhiệt độ 55°C có giá trị xấp xỉ

a)

28,3mV

b)

25mV

c)

26,1mV

d)

29,9mV

14.

Hỗ trợ dòng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu cầu cần là (bridge)

a)

1 diode

b)

2 diode

c)

3 diode

d)

4 diode

15.

Ứng dụng nào dưới đây KHÔNG phải ứng dụng đặc trưng của diode

a)

Chỉnh lưu cả chu kì

b)

Khuếch đại tín hiệu

c)

Chỉnh lưu nửa chu kì

d)

Hạn mức điện áp

16.

Khi mạch chỉnh lưu cầu hoạt động:

a)

Tất cả các diode đều dẫn thông

b)

Có 3 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

c)

Có 2 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

d)

Có duy nhất 1 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

17.

Nhiệt độ tăng ảnh hưởng như thế nào đến hoạt động của diode

a)

Diode không hoạt động được

b)

Điện áp mở của diode giảm

c)

Dòng ngược bão hòa của diode giảm

d)

Dòng điện thuận cực đại tăng

18.

Mạch chỉnh lưu có nhiệm vụ

a)

Ổn áp

b)

Giảm độ nhấp nhô (gợn) của điện áp ra của các bộ nguồn

c)

Biến đổi dòng điện một chiều sang dòng điện xoay chiều

d)

Biến đổi dòng điện xoay chiều sang dòng điện một chiều

19.

Đặt điện áp dương vào vùng P và điện áp âm vào vùng N của một tiếp xúc PN khiến

a)

Dòng điện qua lớp tiếp xúc tăng lên

b)

Dòng điện qua lớp tiếp xúc giảm đi

c)

Bề rộng vùng nghèo tăng lên

d)

Trở kháng của lớp tiếp xúc tăng lên

20.

Khi diode phân cực thuận, vùng nghèo hạt dẫn sẽ:

a)

Mở rộng ra về một phía

b)

Mở rộng ra về cả hai phía

c)

Cơ bản không thay đổi

d)

Thu hẹp vào ở một phía

e)

Thu hẹp vào ở cả hai phía

21.

Điện áp tiếp xúc tại vùng nghèo của diode chế tạo bằng Si là xấp xỉ

a)

0.7V

b)

0.3V

c)

1.2V

d)

1.5V

22.

Trong bán dẫn tạp chất loại P, một lỗ trống trong mạng tinh thể có xu hướng

a)

Lấy một điện tử ở liên kết bên cạnh để lấp đầy vị trí trống của mình

b)

Đẩy lỗ trống lân cận ra xa

c)

Lấy 1 điện tử nằm gần hạt nhân của nguyên tử tạp chất ra để lấp đầy vị trí trống của mình

d)

Hút lỗ trống lân cận lại gần

23.

Trong tiếp giáp PN, vùng nghèo hạt dẫn mở rộng nhiều hơn sang miền bán dẫn

a)
  1. Kích thước nhỏ hơn

b)
  1. Có nồng độ pha tạp lớn hơn

c)
  1. Có nồng độ pha tạp nhỏ hơn

d)
  1. Kích thước lớn hơn

e)

loại P hoặc loại N

24.

Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu 1 nửa chu kì

a)

2 diode

b)

3 diode

c)

1 diode

d)

4 diode

25.

Để tạo ra bán dẫn thuần, tại sao yêu cầu độ sạch rất cao trong phòng sản xuất

a)

Hạn chế tối đa bụi bay vào mạng tinh thể

b)

Sản xuất bán dẫn có hai chỗ sức khỏe, độ sạch cao giúp bảo vệ sức khỏe người lao động

c)

Các phương án đưa ra đều sai

d)

Giúp dây chuyền sản xuất trơn tru, không bị tác động bởi bên ngoài

26.

Khi diode phân cực ngược, phát biểu nào sau đây đúng

a)

Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng nhanh

b)

Dòng khuếch tán tăng mạnh còn dòng trôi giảm

c)

Dòng khuếch tán và dòng trôi cùng tăng

d)

Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng nhưng nhanh chóng đạt giá trị bão hòa

27.

Đặt điện áp dương vào vùng P, điện áp âm vào cùng N của 1 tiếp giáp PN khiến

a)

Dòng điện qua lớp tiếp giáp giảm đi

b)

Dòng điện qua lớp tiếp giáp tăng lên

c)

Bề rộng vùng nghèo hạt dẫn tăng lên

d)

Trở kháng của lớp tiếp giáp tăng lên

28.

Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kì dùng biến áp có điểm giữa

a)

4 diode

b)

3 diode

c)

2 diode

d)

1 diode

29.

Giới hạn nội trở một chiều của diode, UR và IR lần lượt là điện áp giữa hai đầu và dòng điện chạy qua diode. RD được tính bằng công thức

a)

Các phương án đưa ra đều sai

b)

RD=Up/Ip

c)

Rp=Ip/Up

d)

Rp=dUp/dIb

30.

Nguyên tố nào sau đây được dùng để sản xuất bán dẫn đơn chất

a)

Chì

b)

Silic

c)

Đồng

d)

Kẽm

31.

Về tính chất dẫn điện ở nhiệt độ thường, nhận định nào sau đây đúng

a)

Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất dẫn điện

b)

Chất bán dẫn dẫn điện kém hơn chất cách điện

c)

Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất cách điện

d)

Các phương án đưa ra đều sai

32.

Trong mạng tinh thể Si, liên kết giữa hai nguyên tử Si là

a)

Các phương án đưa ra đều sai

b)

Liên kết dạng thép

c)

Liên kết cộng hóa trị (Covalent Bond)

d)

Liên kết đồng đều

33.

Dòng điện khuếch tán là dòng của các hạt dẫn trong điều kiện

a)

Có sự chênh lệch về nồng độ hạt dẫn giữa hai khối bán dẫn được ghép tiếp xúc với nhau

b)

Có dòng điện ngoài chạy qua khối bán dẫn

c)

Có sự chênh lệch về kích thước giữa hai khối bán dẫn được ghép tiếp xúc với nhau

d)

Có điện trường ngoài đặt vào khối bán dẫn

34.

Khi không có điện trường ngoài, dòng điện trong diode bằng 0 là do nguyên nhân nào

a)

Mật độ các loại hạt dẫn ở hai bên tiếp giáp đã cân bằng nên không có dòng điện khuếch tán

b)

Dòng trôi và dòng khuếch tán cân bằng nhau và triệt tiêu lẫn nhau

c)

Điện tử tự do đã kết hợp hết với lỗ trống

d)

Các phương án đưa ra đều sai

35.

Để tạo ra điện tử tự do trong mạng tinh thể một khối bán dẫn thuần đang ở 0 OK, phương án nào SAI

a)

Chiếu sáng khối bán dẫn bằng ánh sáng có bước sóng ngắn

b)

Đặt một nguồn phóng xạ cạnh khối bán dẫn

c)

Không cần làm gì vì đã có sẵn nhiều điện tử tự do trong mạng tinh thể

d)

Nung nóng khối bán dẫn

36.

Diode rơi vào vùng đánh thủng do điện khi nào?

a)

Điện áp ngược đặt lên diode bằng 0 nhưng diode quá nóng

b)

Điện áp ngược trên diode lớn hơn giá trị đánh thủng

c)

Dòng điện thuận chạy qua diode quá lớn

d)

Điện áp thuận trên diode lớn hơn giá trị đánh thủng

37.

Mở một diode Si phân cực thuận, dòng điện tăng mạnh khi điện áp thuận vượt ngưỡng xấp xỉ bao nhiêu?

a)

1,5V

b)

1,2V

c)

0,3V

d)

0,7V

38.

Dòng điện trôi là dòng của gì trong bán dẫn?

a)

Các điện tử khi có sự chênh lệch về nồng độ

b)

Các phương án đưa ra đều sai

c)

Các lỗ trống khi có sự chênh lệch về nồng độ

d)

Của cả hai loại hạt dẫn dưới tác động của điện trường

39.

Trong vùng đánh thủng do điện, dòng điện qua diode:

a)

Là dòng thuận và giảm mạnh theo điện áp

b)

Là dòng ngược tăng mạnh theo điện áp

c)

Bằng 0

d)

Là dòng ngược bão hòa

40.

Tác dụng của điện mắc song song với tải ở mạch chỉnh lưu là gì?

a)

Giảm độ gợn điện áp đầu ra

b)

Tăng điện áp đầu ra lên gấp đôi

c)

Biến điện áp xoay chiều thành điện áp một chiều

d)

Không cho các nhiễu điện tần số cao đi xuống cực âm

41.

Tên gọi thông dụng cho các vùng trên đặc tuyến vôn-ampe của diode gồm những vùng nào?

a)

Phân cực thuận, phân cực ngược, quá dòng, quá nhiệt

b)

Phân cực thuận, phân cực ngược, quá dòng, quá nhiệt

c)

Phân cực thuận, phân cực ngược, đánh thủng do điện (zener), đánh thủng do nhiệt

d)

Phân cực thuận, phân cực ngược, đánh thủng do điện (zener), đánh thủng do từ

42.

Trong mỗi liên kết cộng hóa trị, mỗi nguyên tử Si của bản dẫn thuần góp bao nhiêu điện tử cho liên kết chung?

a)

8

b)

2

c)

1

d)

7

43.

Tên ba mô hình tương đương tuyến tính tần số thấp của diode là:

a)

Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa nhiều đoạn (đầy đủ)

b)

Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ)

c)

Lý tưởng, gần lý tưởng, và thực tế

d)

Lý tưởng, phi tuyến hóa từng đoạn đơn giản, và phi tuyến hóa từng đoạn (đầy đủ)

44.

Diode có nội trở cao khi phân cực thuận?

a)

Sai

b)

Đúng

c)

Tùy theo vật liệu

d)

Đúng với diode zener

45.

Trong diode, hạt dẫn đa số là gì?

a)

Điện tử bên bán dẫn loại P, lỗ trống bên bán dẫn loại N

b)

Điện tử

c)

Lỗ trống

d)

Điện tử bên bán dẫn loại N, lỗ trống bên bán dẫn loại P

46.

Bán dẫn tạp chất loại P bao gồm các nguyên tố thuộc nhóm nào?

a)

Nhóm III

b)

Nhóm III pha với nhóm IV

c)

Nhóm IV

d)

Nhóm V

47.

Dòng trôi trong diode là dòng của:

a)

Hạt dẫn thiểu số

b)

Lỗ trống

c)

Hạt dẫn đa số

d)

Điện tử

48.

Trong quá trình sinh ra điện tử và lỗ trống bên trong mạng tinh thể bán dẫn thuần, số lượng hạt nào nhiều hơn?

a)

Chỉ có điện tử hoặc lỗ trống được sinh ra

b)

Điện tử nhiều hơn lỗ trống

c)

Lỗ trống nhiều hơn điện tử

d)

Số lượng điện tử và lỗ trống là bằng nhau

49.

Nếu một diode ổn áp có Uz bằng 4,7V, phát biểu nào sau đây là đúng?

a)

Các phương án đều sai

b)

Điện áp đánh thủng do điện là 4,7V

c)

Điện áp mở là 4,7V

d)

Điện áp thuận cực đại là 4,7V

50.

Cho mạch điện như hình vẽ, E=5V, R=8Ω, rD=1Ω, diode được làm từ Si. Để tính toán các tham số của mạch với sai số không quá 10%, áp dụng sơ đồ tương đương nào của diode là hợp lý nhất?

a)

Tần số cao

b)

Tuyến tính hóa từng đoạn đầy đủ

c)

Lý tưởng

d)

Tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản

51.

Đặt điện áp ngược 12V lên mạch gồm một diode zener nối tiếp với điện trở R. Nếu Uz=3V thì giá trị điện áp đo trên diode zener bằng bao nhiêu?

a)

9V

b)

3V

c)

6V

d)

12V

52.

Một diode lý tưởng hoạt động giống như gì?

a)

Một công tắc

b)

Một điện trở

c)

Một nguồn áp

d)

Một tụ điện

53.

Diode zener có đặc điểm quan trọng khác với diode thông thường là gì?

a)

Có điện áp mở lớn hơn

b)

Cho phép dòng điện thuận lớn phù hợp công suất lớn

c)

Có vùng đánh thủng do điện rất dốc, phù hợp ổn áp

d)

Có dòng ngược bảo hòa lớn hơn

54.

Đặc tuyến vôn-ampe của một diode KHÔNG phụ thuộc vào yếu tố nào?

a)

Bức xạ ion hoá chiếu của diode

b)

Các điện trở và tụ điện trong mạch làm việc

c)

Loại chất bán dẫn dùng để chế tạo

d)

Nhiệt độ của diode

55.

Khi mạch chỉnh lưu cầu hoạt động, trạng thái đúng là:

a)

Có 3 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khoá

b)

Có 2 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khoá

c)

Tất cả các diode dẫn thông

d)

Có 1 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khoá

56.

Bản chất sự di chuyển của lỗ trống trong điện trường là:

a)

Ion âm

b)

Điện tử tự do nhưng theo chiều ngược lại

c)

Lỗ trống không di chuyển

d)

Điện tử hoá trị nhưng theo chiều ngược lại

57.

Ý nào diễn tả đúng nhất về nội trở xoay chiều của diode:

a)

Là lượng biến thiên nội trở của diode theo thời gian

b)

Là lượng biến thiên nội trở của diode khi diode chuyển từ pc thuận sang pc ngược

c)

Là lượng biến thiên nội trở của diode khi làm việc với tín hiệu xoay chiều

d)

Là nội trở của diode khi có điện áp đặt vào hai đầu diode

58.

Trên đường đặc tuyến vôn-ampe của diode, điểm 1 là 3.75 ohm và điểm 2 là 200 kohm. Nhận định hợp lý nhất về vị trí của hai điểm này:

a)

Điểm 1 ở nhánh phân cực thuận, điểm 2 ở vùng đánh thủng

b)

Điểm 1 ở nhánh phân cực thuận, điểm 2 ở nhánh phân cực ngược

c)

Cả hai điểm đều ở nhánh phân cực thuận

d)

Điểm 1 ở góc toạ độ, điểm 2 ở nhánh phân cực ngược

59.

Bán dẫn P có thêm mức năng lượng nào so với bán dẫn thuần?

a)

Mức năng lượng của vùng dẫn

b)

Mức năng lượng của tạp chất cho

c)

Mức năng lượng của tạp chất nhận

d)

Mức năng lượng của vùng hoá trị

60.

Phát biểu nào sau đây là sai khi so sánh mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kì sử dụng nội biến áp có điểm giữa (1) với mạch chỉnh lưu cầu (2)?

a)

Số lượng diode của (1) ít hơn của (2)

b)

Hao hụt điện áp đỉnh vào của (1) thấp hơn của (2)

c)

Điện áp ngược đặt lên diode trong (1) thấp hơn trong (2)

d)

Loại biến áp cấp điện cho (1) yêu cầu phức tạp hơn loại cấp cho (2)

61.

Công thức nào dùng để tính nội trở xoay chiều của diode?

a)

rd = dUd/dId

b)

rd = U_D/I_D

c)

Các phương án đưa ra đều sai

d)

rd = m × Ur/Is

62.

Trong mạch nguồn một diode nối tiếp điện trở R, ký hiệu U_N là điện áp của nguồn, U_D là điện áp mở, r_a là nội trở của diode. Đồ tuyến tính hoá từng đoạn đơn giản của diode nên áp dụng khi:

a)

U_D là đáng kể so với U_N và r_a là đáng kể so với R

b)

U_D là đáng kể so với U_N và r_a là rất nhỏ so với R

c)

U_D là rất nhỏ so với U_N và r_a là đáng kể so với R

d)

U_D là rất nhỏ so với U_N và r_a là rất nhỏ so với R

63.

Mạch điện trong hình về lá mạch thể hiện điều gì?

a)

Hạn chế mức dưới -E mắc kiểu nối tiếp

b)

Hạn chế mức trên -E mắc kiểu song song

c)

Hạn chế mức dưới -E mắc kiểu song song

d)

Hạn chế mức trên -E mắc kiểu nối tiếp

64.

Đặc tuyến hiển thị mối liên hệ giữa Uout và Uin trong hình vẽ biểu diễn:

a)

Hạn chế mức dưới

b)

Chỉnh lưu cầu

c)

Hạn chế mức trên

d)

Chỉnh lưu 1 nửa chu kì

65.

Khi nhiệt độ của diode (m=1) tăng từ 25°C (U_T=25mV, I_S=1nA, U_D=0.5V) lên 60°C (U_T=28.7mV, I_S=200nA, U_D=0.45V), dòng điện qua diode tăng xấp xỉ:

a)

1.2 lần

b)

2.7 lần

c)

5 lần

d)

12 lần

66.

Một diode với m=1; U_T=25mV; I_S=1nA; U_D=0.4V. Dòng điện chạy qua diode xấp xỉ:

a)

8.9mA

b)

3mA

c)

14mA

d)

6.2mA

67.

Diode đang hoạt động trong vùng đánh thủng do điện (vùng zener). Khi điện áp vào tăng trong phạm vi cho phép để không làm hỏng diode thì:

a)

Dòng I_Z giảm

b)

Điện áp trên Rt giảm đi

c)

Dòng I giảm

d)

Dòng It không đổi

68.

Tại 25°C, 1 diode có P_D(max)=1W, U_D=0,7V. Dòng điện tối đa cho phép qua diode giảm xấp xỉ mấy lần để nhiệt độ tăng lên 60°C (P_D(max)=0,4W, U_D=0,55V)?

a)

4 lần

b)

2 lần

c)

2,8 lần

d)

1,3 lần

69.

Cho các đặc tuyến trong hình vẽ. Hình nào thể hiện đặc tuyến của mạch hạn chế mức dưới âm?

a)

Hình D

b)

Hình B

c)

Hình C

d)

Hình A

70.

Một diode có các thông số: U_D=0,8V, U_T=25mV, I_s=1nA, I_D=20mA. Nội trở 1 chiều của diode là bao nhiêu?

a)

20Ω

b)

30Ω

c)

40Ω

d)

60Ω

71.

Diode đang phân cực thuận bằng nguồn điện một chiều. Khi cấp thêm một thành phần điện áp xoay chiều có biên độ 0,1V vào diode, dòng điện qua diode biến thiên trong khoảng 20mA. Nội trở động của diode xấp xỉ:

a)

b)

0,1Ω

c)

20Ω

d)

10Ω

72.

Diode bị phân cực ngược khi:

a)

Điện trường ngoài đủ nhỏ, chiều điện trường là không quan trọng

b)

Từ trường ngoài ngược chiều với điện trường tiếp xúc ở vùng nghèo

c)

Dòng điện ngoài có xu hướng chạy cùng chiều với dòng khuếch đại

d)

Điện trường ngoài cùng chiều với điện trường tiếp xúc ở vùng nghèo

73.

Mạch điện trong hình vẽ là:

a)

Hạn chế trái phải

b)

Hạn chế cả trên và dưới

c)

Hạn chế trên

d)

Hạn chế dưới

74.

Cho một diode với thông số: m=1; U_T=25mV; I_s=1nA; I_D=500mA. Điện áp trên diode xấp xỉ:

a)

0,8V

b)

0,5V

c)

0,1V

d)

1,2V

75.

Điện thế nhiệt U_T tại nhiệt độ 55°C có giá trị xấp xỉ:

a)

28,1mV

b)

25mV

c)

29,9mV

d)

26,1mV

76.

Bán dẫn loại P có đặc điểm gì khác so với bán dẫn thuần?

a)

Không khác bán dẫn thuần

b)

Thiếu 1 điện tử lớp ngoài cùng của tạp chất nhóm 3 ở trong 1 liên kết cộng hoá trị

c)

Có 1 điện tử loại của tạp chất nhóm 5 tham gia vào liên kết cộng hoá trị nào

d)

Tạp chất cung cấp điện tử tự do sẵn

77.

Nếu một diode ổn áp có U_Z bằng 4,7V, phát biểu nào sau đây là đúng?

a)

Điện áp đánh thủng do điện là 4,7V

b)

Các phương án đều sai

c)

Điện áp thuận cực đại là 4,7V

d)

Điện áp mở là 4,7V

78.

Dòng trôi là dòng:

a)

Của các electron khi có sự chênh lệch về nồng độ

b)

Của các lỗ trống khi có sự chênh lệch về nồng độ

c)

Của cả 2 loại hạt dẫn dưới tác động của điện trường

d)

Các phương án đều sai

79.

Mạch điện trong hình vẽ là mạch:

a)

Hạn chế mức trên mắc kiểu nối tiếp

b)

Hạn chế mức dưới mắc kiểu nối tiếp

c)

Hạn chế mức trên mắc kiểu song song

d)

Hạn chế mức dưới mắc kiểu song song

80.

Diode có thể tạo ra điện áp một chiều ổn định

a)

Sai

b)

Đúng

81.

Khi một diode trong mạch chỉnh lưu dùng 2 diode bị hỏng thì điện áp ra của mạch như thế nào? Biết rằng điện áp vào dạng hình sin.

a)

Bằng 0V

b)

Không ảnh hưởng

c)

Một nửa chu kì

d)

Bị giảm biên độ

82.

Điện áp DC đặt thiết lập điều kiện hoạt động của một linh kiện bán dẫn được gọi là:

a)

Pin

b)

Sự suy giảm điện áp

c)

Điện thế hàng rào

d)

Phân cực

83.

Khi một diode được phân cực thuận, nó sẽ:

a)

Đáp án B và D

b)

Giống như một chuyển mạch đóng

c)

Giống như một chuyển mạch hở

d)

Dẫn dòng điện

e)

Chặn dòng điện

84.

Đối với một Diode, hai điều kiện phân cực là:

a)

Chặn và không chặn

b)

Hở và đóng

c)

Dương và Âm

d)

Thuận và ngược

85.

Quá trình biến đổi điện áp chỉnh lưu 1/2 chu kỳ hoặc cả chu kỳ thành điện áp một chiều ổn định được gọi là:

a)

Lọc xoay chiều

b)

Loại bỏ độ gợn

c)

Chuyển đổi AC sang DC

d)

Giảm dao động điện

86.

Diode Zener thường được sử dụng như:

a)

Thành phần hạn chế dòng điện

b)

Thành phần phân phối công suất

c)

Thành phần tạo điện áp tham chiếu

d)

Biến trở