wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Рабочий лист: вопросы по электронным компонентам

Total questions: 105

Worksheet time: 53mins

Name
Class
Date
1.

Какая единица измерения характеризует ёмкость конденсатора?

a)

микрофарад

b)

кОм

c)

MW

d)

mV

e)

V*F

2.

Условное графическое обозначение какого элемента схемы показано на рисунке? Укажите элемент по символу.

a)

конденсатор переменной ёмкости

b)

электролитический конденсатор

c)

терморезистор

d)

подстроечный конденсатор

e)

переменный резистор

3.

Какую ёмкость имеет конденсатор, изображённый на рисунке с маркировкой «104»?

a)

0,1 микрофарад

b)

104 пикофарад

c)

1004 нанофарад

d)

1 микрофарад

e)

1 фарад

4.

При последовательном соединении двух конденсаторов их общая ёмкость

a)

меньше ёмкости каждого из них

b)

равна сумме ёмкостей каждого из них

c)

больше ёмкости каждого из них

d)

равна нулю

e)

равна общей сумме

5.

Какой вид конденсатора изображён на рисунке?

a)

электролитический

b)

бумажный

c)

подстроечный

d)

керамический

e)

танталовый электролитический конденсатор

6.

Что означает надпись «63В» на конденсаторе, изображённом на рисунке?

a)

номинальное напряжение

b)

минимальное напряжение, при котором конденсатор начинает накапливать заряды

c)

мощность конденсатора

d)

год выпуска

e)

только для использования воздушном судне

7.

Какая формула используется при вычислении общей ёмкости двух конденсаторов, соединённых параллельно? Выберите букву формулы на рисунке.

a)

a

a

b)

b

b

c)

c

c

d)

d

d

e)

e

e

8.

Какой параметр характеризует выпрямительный диод?

a)

максимально допустимый постоянный прямой ток

b)

минимальное сопротивление по постоянному току

c)

минимальная индуктивность

d)

электроёмкость

e)

p-n-p или n-p-n переходы

9.

Как называется данный вывод полупроводникового диода?

a)

катод

b)

анод

c)

база

d)

коллектор

e)

p-n – переход

10.

Условное обозначение какого элемента схемы показано на рисунке? Определите элемент по символу.

a)

стабилитрон

b)

выпрямительный диод

c)

светодиод

d)

фотодиод

e)

тиристор

11.

В каких единицах измеряется напряжение пробоя диода?

a)

V

b)

A

c)

Om

d)

W

e)

kOm

12.

Какой из графиков зависимости силы тока от напряжения соответствует ВАХ полупроводникового диода? Выберите букву правильного графика.

a)

a

a

b)

b

b

c)

c

c

d)

d

d

e)

e

e

13.

Какую величину (приблизительно) имеет падение напряжения на выпрямительном диоде при его прямом включении и источнику напряжения 10 V10\,V ?

a)

1 V1\,V

b)

100 V100\,V

c)

0,1 V0{,}1\,V

d)

10 V10\,V

e)

50 Гц

14.

Что изображено на рисунке?

a)

галетный переключатель

b)

реле

c)

кнопочный переключатель

d)

тумблер

e)

переменный конденсатор

15.

Условное графическое обозначение какого переключателя изображено на рисунке? Определите тип переключателя по символу.

a)

кнопочный выключатель с возвратом посредством повторного нажатия на кнопку

b)

движковый переключатель

c)

тумблер с контактами без фиксации

d)

кулачковый переключатель

e)

реле

16.

Какое позиционное обозначение соответствует кнопочному выключателю?

a)

SB3

b)

SD2

c)

PA7

d)

VS1

e)

РП-1

17.

Какую особенность имеет переключатель, изображённый на рисунке

a)

Подвижный контакт может одновременно замыкать или размыкать две электрические цепи

b)

Контакты автоматически возвращаются в исходное положение при перегрузке цепи

c)

Размыкающие контакты срабатывают с опережением замыкающего контакта

d)

Возврат в исходное положение производится путём вытягивания кнопки

e)

Переключатель типа РП-2-2

18.

Какой выключатель изображён на фотографии: металлический корпус с рычажком и резьбовой втулкой.

a)

Тумблер

b)

Тумблер X

c)

Кнопочный выключатель

d)

Движковый выключатель

e)

Реле

19.

Какую особенность имеют переключатели с зависимой фиксацией?

a)

Кнопка из фиксированного положения «включено» возвращается в исходное положение при нажатии одной из соседних кнопок

b)

Возвращение кнопки в исходное положение происходит после окончания нажатия

c)

Кнопка фиксируется в положении «включено» специальным устройством

d)

Кнопка возвращается в исходное положение при повторном нажатии

e)

Для удержания требуется постоянное напряжение в цепи

20.

Цифровой мультиметр в режиме прозвонки подключили к выводам выключателя с разомкнутыми контактами. Какое изображение экрана соответствует правильному показанию? Выберите букву изображения.

a)

b

b)

a

c)

c

d)

d

e)

e

21.

Какое буквенно-графическое обозначение указывает, что контакты выключателя автоматически возвращаются в исходное положение при превышении напряжения допустимого значения?

a)

U>

b)

U↑

c)

U→

d)

U←

22.

К каким выводам переключателя П2К нужно подключить провода, чтобы использовать его для включения или выключения питания электронного устройства? Используйте выводы, обозначенные на схеме.

a)

2 и 3

b)

1 и 3

c)

2 и 5

d)

1 и 4

e)

3 и 6

23.

Какой тип контактов показан на условном графическом обозначении (наклонный подвижный контакт, пружинный возврат к исходному положению)?

a)

Контакты без фиксации

b)

Сдвоенные контакты

c)

Контакты с возвратом

d)

Контакты с двойным замыканием

e)

Игольчатый контактор

24.

Условное графическое обозначение какого переключателя показано (несколько фиксированных положений по окружности)?

a)

Галетный переключатель

b)

Движковый переключатель

c)

Кнопочный выключатель

d)

Кулачковый переключатель

e)

Автомат

25.

Условное графическое обозначение каких контактов приведено (фиксация в среднем нейтральном положении между двумя крайними)?

a)

Контакты переключателя с фиксацией в среднем (нейтральном) положении

b)

Контакты галетного переключателя

c)

Контакты переключателя с безобрывным переключением

d)

Контакты переключателя без фиксации

e)

Указатель переключения

26.

Какие носители заряда присутствуют в полупроводниках p-типа?

a)

Дырки

b)

Электроны

c)

Ионы

d)

Фотоны

e)

+/−

27.

Полупроводниковый диод имеет

a)

Один p-n переход

b)

Не имеет p-n перехода

c)

Два p-n перехода

d)

В переходе плохое проводимость

e)

Два положительных полюса

28.

Полупроводниковый диод имеет ВАХ с

a)

Прямую ветви

b)

Обратную ветви

c)

Семейством ветвей

d)

Двумя ветвями

e)

Одной ветвью

29.

Выпрямительный диод служит для

a)

Преобразования переменного тока в постоянный

b)

Увеличения напряжения или тока

c)

Управления внешними устройствами

d)

Увеличения аналоговых сигналов

e)

Увеличения цифровых сигналов

30.

Какие полупроводниковые приборы применяются для получения неизменяющегося напряжения?

a)

Стабилитроны

b)

Варикаты

c)

динисторы

d)

тиристоры

e)

конденсаторные токи

31.

Полупроводниковый прибор, сопротивление которого изменяется при воздействии на него оптического излучения

a)

фоторезистор

b)

транзистор

c)

конденсатор

d)

тиристор

e)

оптоволокно

32.

Какими носителями электрического заряда создаётся ток в полупроводниках?

a)

электронами

b)

дырками

c)

только электронами

d)

тиристорами

e)

конденсаторные положительные токи

33.

Каким типом проводимости обладают полупроводники с акцепторной примесью?

a)

в основном дырочной

b)

в основном электронной

c)

электронной и дырочной

d)

токовым проводимости

e)

конденсаторные токи

34.

К полупроводнику p–n типа подключён источник тока, как показано на рисунке. Будет ли амперметр регистрировать ток в цепи?

a)

нет

b)

да

c)

определённого ответа дать нельзя

d)

схема включение амперметра правильно

e)

регистрация токи актуально

35.

На рисунке представлены три варианта включения полупроводниковых диодов в электрическую цепь с одним и тем же источником тока. В каком случае сила тока в цепи будет иметь максимальное значение? На иллюстрациях показаны варианты a), b), c).

a)

b

b)

a

c)

c

d)

a и b

36.

Каким типом проводимости обладают чистые полупроводники?

a)

электронной

b)

дырочной

c)

только электронной

d)

схема включение амперметра правильно

e)

регистрация токи актуально

37.

Каким типом проводимости обладают полупроводники с донорной примесью?

a)

в основном электронной

b)

в основном дырочной

c)

электронной и дырочной

d)

p и n переход не существует

e)

n переход сильно заряжается

38.

Чем объясняется малая толщина базы в транзисторе?

a)

необходимо, чтобы попадающие в базу с эмиттера основные носители зарядов не успевали комбинировать

b)

необходимо, чтобы попадающие в базу с эмиттера основные носители зарядов успели рекомбинировать

c)

необходимо, чтобы база не создавала большого сопротивления

39.

Элемент какой группы следует ввести в полупроводник, относящийся к IV группе, чтобы получить в нём проводимость n‑типа?

a)

V

b)

I

c)

II

d)

III

e)

IV

40.

Элемент какой группы следует ввести в полупроводник, относящийся к IV группе, чтобы получить проводимость p‑типа?

a)

III

b)

I

c)

II

d)

IV

e)

V

41.

Добавление элемента V группы привело к возникновению проводимости n‑типа. К какой группе относится полупроводник?

a)

IV

b)

I

c)

II

d)

III

e)

V

42.

Какие носители тока являются основными в полупроводниках p‑типа?

a)

дырки

b)

электроны

c)

доноры

d)

акцепторы

43.

Какие носители тока являются неосновными в полупроводниках n‑типа?

a)

электроны

b)

дырки

c)

доноры

d)

акцепторы

e)

силы тока

44.

В полупроводнике ток, переносимый электронами — Iэ, и ток, переносимый дырками — Iд. Если полупроводник обладает собственной проводимостью, то какое соотношение токов будет верным?

a)

Iэ=IдI_\text{э}=I_\text{д}

b)

Iэ>IдI_\text{э}>I_\text{д}

c)

Iэ<IдI_\text{э}<I_\text{д}

d)

акцепторы

e)

силы тока

45.

На рисунке показаны оба возможных включения p–n перехода. Укажите, в каком случае p–n переход включён в прямом направлении. На иллюстрациях отмечены варианты a), b), c), d), e).

a)

a

b)

b

c)

c

d)

d

46.

Расчёт резистора для светодиода производится по следующей формуле.

a)

R=US−ULIR=\frac{U_S-U_L}{I}

b)

R=VS−VLI2R=\frac{V_S-V_L}{I^2}

c)

R+I=US−ULR+I=U_S-U_L

d)

R=I2 ∣VS−UL∣R=I^2\,\lvert V_S-U_L\rvert

e)

R=∣US−UL∣ I2R=\lvert U_S-U_L\rvert\,I^2

47.

Что происходит с запрещённой зоной при дефектах кристаллической решётки полупроводника с примесями?

a)

уменьшается запрещённая зона

b)

увеличивается запрещённая зона

c)

появляется трещина

d)

начинается крошиться

e)

исчезают все примеси с запрещённой зоны

48.

Атом, поглотивший один или несколько квантов лучистой энергии, называется

a)

возбуждённым

b)

дыркой

c)

p–n переходом

d)

заряженным

e)

полупроводником

49.

Чем сопровождается переход в чистом полупроводнике электрона из валентной зоны в зону проводимости?

a)

появлением дырки в валентной зоне

b)

появлением дырки в запрещённой зоне

c)

появлением дырки в зоне проводимости

d)

заполненных энергетических зон

e)

пропускает электрический ток

50.

Что называется p–n переходом?

a)

особая область, возникающая на границе двух полупроводников с различным типом проводимости область полупроводника, которая не пропускает электрический ток

b)

область полупроводника, которая пропускает электрический ток

c)

область полупроводника p‑типа, которая пропускает электрический ток в одном направлении

d)

область полупроводника n‑типа, которая пропускает электрический ток

e)

дырки в зоне проводимости

51.

Выберите правильное утверждение.

a)

валентная зона — верхняя из заполненных энергетических зон

b)

валентная зона — нижняя из заполненных энергетических зон

c)

валентная зона — средняя из заполненных энергетических зон

d)

акцепторно‑электронной

e)

электронно‑акцепторной

52.

Не полностью занята валентная зона характерна для

a)

проводников

b)

изоляторов

c)

полупроводников

d)

p–n перехода

e)

акцептора

53.

Дефекты кристаллической решётки полупроводника и наличие примесей

a)

уменьшают запрещённую зону

b)

увеличивают запрещённую зону

c)

становятся акцептором

d)

приводят к трещине

e)

вызывают пробой

54.

Для изготовления полупроводниковых кристаллов используют германий и

a)

кремний

b)

фосфор

c)

металл

d)

атомы

e)

чистый песок

55.

Пятивалентная донорная примесь в четырёхвалентном кристалле создаёт какую электропроводность

a)

электронную

b)

зонную

c)

ковалентную

d)

атомную

e)

токовую

56.

Электропроводность полупроводника p‑типа называется

a)

дырочной

b)

ковалентной

c)

атомной

d)

электрической

e)

прямым включением

57.

Электропроводность чистого кристалла, вызванная генерацией пар свободных зарядов, способных перемещаться под действием приложенного напряжения, называется

a)

собственной

b)

динамической

c)

автоматической

d)

высокочастотной

e)

ампером

58.

В собственном полупроводнике количество свободных электронов равно количеству

a)

дырок

b)

5 ⁣∗ ⁣45\!*\!4

c)

атомов

d)

101210^{12}

e)

101910^{19}

59.

Элемент электротехники, создающий в цепи ёмкостное сопротивление, называется

a)

конденсатор

b)

резистор

c)

выпрямительный диод

d)

варикаты

e)

контактные переключатели

60.

Область полупроводника, расположенная близко к металлургической границе между слоями p и n, называется.

a)

p–n переход

b)

валентный слой

c)

зона контакта

d)

фазовый переход

e)

запирающий слой

61.

Как называется атом, если электрон переходит на очень удалённую орбиту и отрывается от атома?

a)

ионизированным

b)

варикапом

c)

p–n переходом

d)

атомом

e)

диодом

62.

Чем является один p–n переход и два омических контакта?

a)

полупроводниковым диодом

b)

с высоким сопротивлением

c)

резистором

d)

только p–n переходом

e)

катодом

63.

Энергетическое состояние атома — это

a)

полная энергия электронов

b)

энергия ядра

c)

суммарная энергия ядра и электронов

d)

электроны

e)

масса

64.

Выберите правильное утверждение.

a)

зона проводимости — разрешённая энергетическая зона, расположенная непосредственно над валентной зоной

b)

зона проводимости — разрешённая энергетическая зона, расположенная под валентной зоной

c)

зона проводимости — запрещённая энергетическая зона, расположенная непосредственно над валентной зоной

d)

не изменится

65.

Примесь, создающая в четырёхвалентном кристалле электронную электропроводность, называется

a)

донорной

b)

акцепторной

c)

ковалентной

d)

ионной

66.

Трёхвалентная примесь в полупроводнике называется

a)

акцепторной

b)

примесной

c)

донорной

d)

электронными

e)

германиевой

67.

Процесс спонтанного перехода части электронов из зоны проводимости в валентную зону называется

a)

рекомбинацией пар

b)

валентной зоной

c)

зоной проводимости

d)

собственным полупроводником

e)

однородным полупроводником

68.

Чистый и однородный полупроводник, в котором количество свободных электронов (n−p) равно количеству дырок (p), называется каким полупроводником

a)

собственным

b)

ковалентным

c)

зонным

d)

чистым

e)

однородным

69.

Элемент электротехники, создающий в цепи активное сопротивление, называется

a)

резистор

b)

сопротивление

c)

металл

d)

R

e)

полупроводник

70.

При подключении к полупроводнику прямого напряжения зона p−n‑перехода

a)

сужается

b)

расширяется

c)

не изменяется

d)

расширяется со стороны p‑слоя

e)

сужается со стороны n‑слоя

71.

Для изготовления полупроводниковых кристаллов используют кремний и

a)

германий

b)

металл

c)

стекло

d)

полупроводники

e)

Al и Fe

72.

Ионизированный атом, захватывая свободный электрон, становится

a)

нейтральным

b)

возбуждённым

c)

положительно заряженным

d)

отрицательно заряженным

e)

ослабленным

73.

Для изготовления полупроводниковых кристаллов используют

a)

Ge

b)

Si

c)

Fe

d)

Cu

e)

Al

74.

Элемент электронной техники, создающий в цепи ёмкостное сопротивление, называется

a)

конденсатор

b)

диодный мост

c)

фильтр

d)

контур

e)

сопротивление

75.

При подключении к полупроводнику обратного напряжения зона p−n‑перехода

a)

расширяется

b)

сужается

c)

не изменяется

d)

p−n‑переход имеет постоянную ширину

e)

расширяется со стороны n‑слоя

76.

Сколько электронов на внешних валентных оболочках у атомов германия и кремния?

a)

по 4 электрона

b)

по 2 электрона

c)

1 электрон

d)

3 электрона

e)

5 электронов

77.

Какие материалы называются полупроводниками?

a)

те, которые по своим свойствам занимают промежуточное положение между диэлектриками

b)

те, которые по своим свойствам занимают промежуточное положение между проводниками

c)

те, которые проводят ток в одном направлении

d)

те, которые имеют малое удельное сопротивление

e)

металлы с незаполненной d‑орбитой

78.

С увеличением температуры сопротивление

a)

проводника увеличивается

b)

полупроводников уменьшается

c)

проводника уменьшается, а ток увеличивается

d)

выделяет пузырьки

e)

меньше нуля

79.

Электропроводность полупроводника, вызванная различными примесями, называется

a)

примесной

b)

соединённой

c)

переходной

d)

электрической цепью

e)

резистором

80.

Чему равна энергетическая ширина запрещённой зоны германия?

a)

0,67 эВ

b)

0,47 эВ

c)

0,74 эВ

d)

1,1 эВ

e)

1,54 эВ

81.

Напряжение какого знака возникает на фотодиоде в вентильном режиме его работы при световом потоке?

a)

плюс на p‑области и минус на n‑области

b)

плюс на n‑области и минус на p‑области

c)

полярность напряжения определяется длиной волны светового потока

d)

полярность напряжения определяется интенсивностью светового потока

e)

полярность напряжения зависит от полярности приложенного внешнего напряжения

82.

Располагается уровень Ферми у невырождённых примесных полупроводников n‑типа

a)

в запрещённой вблизи зоны проводимости

b)

посредине запрещённой зоны

c)

в валентной зоне

d)

в зоне проводимости

e)

в запрещённой вблизи валентной зоны

83.

Укажите величину барьерной ёмкости p−n‑перехода конденсатора

a)

1000 пФ

b)

0,1 мкФ

c)

10 пФ

d)

1000 нФ

e)

0,033 мкФ

84.

Чему равна энергетическая ширина запрещённой зоны кремния?

a)

1,1 эВ

b)

0,47 эВ

c)

0,74 эВ

d)

0,67 эВ

e)

1,54 эВ

85.

Что такое модуляция толщины базы коллекторным напряжением?

a)

изменение толщины базы при изменении коллекторного напряжения вследствие изменения ширины коллекторного перехода

b)

влияние коллекторного напряжения на толщину базы в области вывода базы

c)

изменение толщины базы из‑за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода

86.

Чтобы получить полупроводник n-типа, атомы какого элемента нужно внедрить внутрь полупроводника?

a)

фосфора

b)

золота

c)

серебра

d)

железа

e)

индия

87.

Для чего применяются опорные диоды?

a)

для выпрямления переменного тока

b)

для генерирования незатухающих колебаний

c)

для стабилизации напряжения

d)

для усиления слабых сигналов

e)

для преобразования частоты

88.

Где больше концентрация подвижных носителей: в области p-n-перехода или в прилегающих к нему областях полупроводника?

a)

в прилегающих к p-n-переходу областях полупроводника

b)

в области p-n-перехода

c)

в прилегающей p-области

d)

в прилегающей n-области

e)

примерно одинаково

89.

Чтобы получить полупроводник p-типа, атомы какого элемента нужно внедрить внутрь полупроводника?

a)

индия

b)

золота

c)

серебра

d)

фосфора

e)

железа

90.

Какой величины ёмкость электролитического конденсатора сглаживающего фильтра обычно применяется?

a)

100–1000 мкФ

b)

100–1000 пФ

c)

1–10 мкФ

d)

100–1000 нФ

e)

0,01–0,033 мкФ

91.

От чего зависит проводимость примесных полупроводников?

a)

от концентрации примесей

b)

от полярности приложенного напряжения

c)

от направления протекающего тока

d)

от вида примесей

e)

нет правильного ответа

92.

Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников p-типа?

a)

с валентностью меньшей, чем у исходного материала

b)

четырёхвалентные

c)

пятивалентные

d)

с валентностью в два раза большей, чем у исходного материала

e)

правильного ответа нет

93.

Что такое p-n-переход?

a)

объединённый подвижными носителями заряда участок между двумя полупроводниками с разным типом проводимости

b)

область между полупроводниками различных типов, соприкасающихся между собой

c)

скачок потенциала на границе различных полупроводников

d)

барьер Шоттки

e)

фототок намного меньше прямого тока и трудно фототок выделить на фоне прямого тока

94.

Какое включение p-n-перехода называется обратным?

a)

плюс внешнего источника к n-области, минус — к p-области

b)

способствующее движению подвижных носителей к p-n-переходу

c)

плюс внешнего источника к p-области, минус — к n-области

d)

уменьшающее скачок потенциала на p-n-переходе

e)

правильного ответа нет

95.

Какой двойной слой заряда образует барьерную ёмкость p-n-перехода?

a)

отрицательных ионов

b)

положительных ионов

c)

отрицательных ионов и дырок

d)

положительных ионов и электронов

e)

двойной слой молекул

96.

Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников n-типа?

a)

пятивалентные

b)

трёхвалентные

c)

с валентностью в два раза больше, чем у исходного материала

d)

с валентностью в два раза меньше, чем у исходного материала

e)

правильного ответа нет

97.

Какова зависимость тока через p-n-переход от величины приложенного внешнего напряжения?

a)

I=I0(eU/UT−1)I=I_0(e^{U/U_T}-1)

b)

I=aU3/2I=aU^{3/2}

c)

I=I0(1−eU/UT)I=I_0(1-e^{U/U_T})

d)

I=U5/2I=U^{5/2}

e)

ток от напряжения не зависит

98.

Как изменяется диффузионная ёмкость p-n-перехода при обратном включении?

a)

уменьшается

b)

увеличивается

c)

не изменяется

d)

толщина перехода сначала увеличивается, затем за счёт увеличения падения напряжения уменьшается

e)

сначала уменьшается, затем за счёт увеличения тока увеличивается

99.

Укажите значение подвижности для дырок.

a)

μh=0,025 м2/В⋅с\mu_h=0{,}025\ \text{м}^2/\text{В}\cdot\text{с}

b)

μh=0,25 м2/В⋅с\mu_h=0{,}25\ \text{м}^2/\text{В}\cdot\text{с}

c)

μh=0,75 м2/В⋅с\mu_h=0{,}75\ \text{м}^2/\text{В}\cdot\text{с}

d)

μh=1,2 м2/В⋅с\mu_h=1{,}2\ \text{м}^2/\text{В}\cdot\text{с}

e)

μh=0,12 м2/В⋅с\mu_h=0{,}12\ \text{м}^2/\text{В}\cdot\text{с}

100.

Укажите значение подвижности для электронов.

a)

μe=0,12 м2/В⋅с\mu_e=0{,}12\ \text{м}^2/\text{В}\cdot\text{с}

b)

μe=0,025 м2/В⋅с\mu_e=0{,}025\ \text{м}^2/\text{В}\cdot\text{с}

c)

μe=0,25 м2/В⋅с\mu_e=0{,}25\ \text{м}^2/\text{В}\cdot\text{с}

d)

μe=0,75 м2/В⋅с\mu_e=0{,}75\ \text{м}^2/\text{В}\cdot\text{с}

e)

μe=1,2 м2/В⋅с\mu_e=1{,}2\ \text{м}^2/\text{В}\cdot\text{с}

101.

Почему фотодиод невыгодно использовать в прямом включении?

a)

трудно фототок выделить на фоне прямого тока

b)

мал допустимый прямой ток

c)

мало прямое сопротивление

d)

возникает туннельный эффект

e)

возникает перегрев диода

102.

Какое положительное напряжение стабилизирует стабистор?

a)

0,7 В0{,}7\ \text{В}

b)

10 В10\ \text{В}

c)

1,5 В1{,}5\ \text{В}

d)

1,2 В1{,}2\ \text{В}

e)

5 В5\ \text{В}

103.

На каких частотах работает диод Шоттки?

a)

10–15 ГГц

b)

10–20 кГц

c)

1–30 МГц

d)

500–1000 Гц

e)

100–300 кГц

104.

На каких длинах волн работает светодиод?

a)

456–920 нм

b)

400–600 мкм

c)

50–100 мм

d)

800–900 мкм

e)

20–120 нм

105.

Из какого полупроводникового материала изготавливается полупроводниковый лазер?

a)

арсенида галлия

b)

фосфида галлия

c)

нитрида кремния

d)

оксида кремния

Similar Resources on Wayground

AP Bio Unit 1 (Chemistry of Life) Review

100 questions

AP Bio Unit 1 (Chemistry of Life) Review

quiz

Worksheet

•

10th Grade - University

Ген2 Т-Т

100 questions

Ген2 Т-Т

quiz

Worksheet

•

University

Философия

100 questions

Философия

quiz

Worksheet

•

University

T2.5.- Componentes Cargadores: Introducción

104 questions

T2.5.- Componentes Cargadores: Introducción

quiz

Worksheet

•

2nd Grade - University

HEMATOLOGY ASSESSMENT EXAM SEMINAR 1&2

110 questions

HEMATOLOGY ASSESSMENT EXAM SEMINAR 1&2

quiz

Worksheet

•

University

Physique partie 2

100 questions

Physique partie 2

quiz

Worksheet

•

9th Grade - University

Tryout PPPK SD

100 questions

Tryout PPPK SD

quiz

Worksheet

•

University

Ujian Tengah Semester

100 questions

Ujian Tengah Semester

quiz

Worksheet

•

University