Quiz sul MOSFET

La struttura dei MOSFET ad arricchimento a canale n consiste in una zona di semiconduttore di tipo p, detto _______ o corpo (body), con due regioni drogate di tipo n.

La struttura dei MOSFET ad arricchimento a canale n consiste in una zona di semiconduttore di tipo p, con due regioni drogate di tipo n. Le due regioni sono __________e drogate;

La struttura dei MOSFET ad arricchimento a canale n consiste in una zona di semiconduttore di tipo p, , con due regioni drogate di tipo n. Lo spazio fra le regioni di source e drain è detto _______.

Quando il MOSFET conduce, si ha un flusso di cariche attraverso il canale, da source a drain, che le raccoglie. La regione del canale è ricoperta da un sottile strato di ______.

Quando il MOSFET conduce, si ha un flusso di cariche attraverso il canale, da source a drain, che le raccoglie. La regione del canale è ricoperta da un sottile strato di ossido; esso è, a sua volta, ricoperto da una _________, a cui fa capo il terminale di Gate (G).

Se VGS è molto inferiore a VT, anche applicando VDS:

• • la corrente di drain aumenta

• • le giunzioni si polarizzano direttamente

• • non c’è passaggio di corrente

• • il canale si allarga

Cosa accade quando VGS < VT (ma non VGS << VT)? (3 risposte corrette)

• • Si forma un canale conduttivo

• • La tensione di gate genera un campo elettrico che respinge le lacune

• • Si crea una regione di svuotamento unita a source e drain

• • La corrente di drain cresce linearmente

• • Rimangono solo ioni accettori, senza lacune libere

In un MOSFET a canale n a riempimento, in assenza di di polarizzazione di gate, dato che le regioni di tipo n sono molto più drogate del substrato, la regione di _________ si sviluppa in misura più estesa nel substrato .

In un MOSFET a canale n ad arricchimento, quale tra le seguenti affermazioni descrive correttamente la condizione al limite della formazione del canale conduttivo?

• • Il canale si forma completamente solo quando VDS è maggiore di VGS.

• • Quando VGS = VT, inizia la formazione di un canale conduttivo sotto il gate.

• • Il canale è sempre presente, ma non è conduttivo se VGS < VT

• • Il canale conduttivo si forma quando VDS = 0

Cosa accade al canale di un MOSFET a canale n ad arricchimento quando VGS è costante e VDS aumenta oltre il valore di VGS − VT?

• • La corrente si azzera perché il canale si interrompe.

• • Il canale si restringe in prossimità del source, riducendo la corrente.

• • Il canale si restringe in prossimità del drain fino al pinch-off, e la corrente si stabilizza.

• • Il MOSFET entra in interdizione e blocca il passaggio di corrente.