wayground logo

Free Printable Worksheets

NEW

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

vlsi c1

Total questions: 40

Worksheet time: 20mins

Name
Class
Date
1.

Vi mạch còn được gọi là gì?

a)

Mạch điện tử rời

b)

Mạch tích hợp

c)

Bộ nhớ RAM

d)

Bộ xử lý trung tâm

2.

IC được chế tạo từ vật liệu nào?

a)

Nhựa

b)

Kim loại

c)

Chất cách điện

d)

Bán dẫn

3.

Nếu một transistor nằm trên chất nền loại p, thì đó là loại nào?

a)

PMOS

b)

CMOS

c)

BJT

d)

NMOS

4.

Lớp mặt nạ nào thường được dùng để tạo cực cổng của transistor CMOS?

a)

Metal1

b)

SiO₂

c)

n+ diffusion

d)

Polysilicon

5.

Trong cấu trúc CMOS, n-well thường được nối với điện áp nào?

a)

GND

b)

VDD

c)

Ngõ ra

d)

Clock

6.

Tiếp xúc nào tương ứng với vùng p-substrate và n-well trong layout CMOS?

a)

Contact p và contact n

b)

Contact metal và contact oxide

c)

Contact diffusion và oxide

d)

Contact polysilicon và metal1

7.

Vật liệu nào thường được sử dụng trong lithography để tạo lớp che chắn?

a)

SiO₂

b)

Polysilicon

c)

Photoresist

d)

Metal1

8.

Mục đích chính của quá trình oxidation trong chế tạo CMOS là gì?

a)

Tạo lớp khuếch tán

b)

Tạo lớp kim loại

c)

Tạo lớp dẫn điện

d)

Tạo lớp cách điện SiO₂

9.

Oxidation thường được thực hiện trên loại vật liệu nào?

a)

Silicon

b)

Kim loại

c)

Polysilicon

d)

Photoresist

10.

Mục đích chính của quá trình etching trong chế tạo CMOS là gì?

a)

Tạo lớp dẫn điện

b)

Loại bỏ vật liệu không mong muốn

c)

Phủ lớp kim loại

d)

Tăng độ dày lớp oxit

11.

Mục đích của bước strip photoresist trong chế tạo CMOS là gì?

a)

Phủ kim loại

b)

Loại bỏ lớp cản quang sau khắc

c)

Tạo lớp oxit mới

d)

Tạo vùng khuếch tán

12.

Quá trình tạo N-well thường bắt đầu với loại wafer nào?

a)

Wafer loại intrinsic

b)

Wafer loại N (N-type silicon)

c)

Wafer loại P (P-type silicon)

d)

Wafer loại SOI

13.

Mục đích của lớp oxide đầu tiên trong quy trình tạo N-well là gì?

a)

Tạo lớp dẫn điện

b)

Bảo vệ wafer khỏi bị ăn mòn

c)

Tăng độ phản xạ ánh sáng

d)

Làm lớp chắn cho quá trình quang khắc

14.

Quá trình tạo P-well thường bắt đầu với loại wafer nào?

a)

Wafer loại P (P-type silicon)

b)

Wafer loại intrinsic

c)

Wafer loại N (N-type silicon)

d)

Wafer loại SOI

15.

Miền cổng của transistor thường được tạo từ vật liệu nào?

a)

Polysilicon

b)

Oxide

c)

Kim loại

d)

Silicon tinh khiết

16.

Trước khi phủ polysilicon, lớp nào cần được hình thành trên wafer?

a)

Gate oxide

b)

Photoresist

c)

P-well

d)

N-well

17.

Sau khi tạo polysilicon, bước nào thường được thực hiện tiếp theo?

a)

Tạo lớp passivation

b)

Tạo lớp kim loại liên kết

c)

Phủ lớp chống phản xạ

d)

Tạo vùng khuếch tán source và drain

18.

Miền khuếch tán loại n thường được tạo trong vùng nào của wafer?

a)

N-well

b)

Gate oxide

c)

Field oxide

d)

P-well

e)

Polysilicon

19.

Miền khuếch tán loại p được tạo bằng cách nào?

a)

Tạo lớp nitride

b)

Phủ kim loại trực tiếp

c)

Tạo lớp oxide dày

d)

Phủ polysilicon

e)

Cấy ion loại p vào vùng đã định hình

20.

Tạp chất nào thường được dùng để tạo miền khuếch tán loại p?

a)

Arsenic

b)

Phosphorus

c)

Nitrogen

d)

Boron

e)

Gallium

21.

Miền khuếch tán loại p thường được tạo trong vùng nào của wafer?

a)

N-well

b)

P-well

c)

Polysilicon

d)

Field oxide

e)

Gate oxide

22.

Vai trò của miền khuếch tán loại p trong transistor CMOS là gì?

a)

Tạo cực source và drain cho PMOS

b)

Làm lớp cách điện

c)

Làm lớp dẫn nhiệt

d)

Tạo lớp bảo vệ cơ học

e)

Tạo lớp liên kết kim loại

23.

Mục đích của vùng contact trong vi mạch CMOS là gì?

a)

Tăng độ phản xạ ánh sáng

b)

Kết nối các lớp dẫn điện với nhau

c)

Tạo lớp chống nhiễu

d)

Làm lớp bảo vệ cơ học

e)

Tạo lớp cách điện

24.

Contact thường được đặt ở vị trí nào trong cấu trúc CMOS?

a)

Trên lớp chống phản xạ

b)

Giữa vùng khuếch tán và lớp kim loại

c)

Trên lớp passivation

d)

Giữa lớp oxide và nitride

e)

Dưới lớp nền wafer

25.

Mục đích của bước metalization trong quy trình CMOS là gì?

a)

Tạo lớp chống nhiễu

b)

Tăng độ phản xạ ánh sáng

c)

Tạo các đường dẫn điện kết nối các phần tử

d)

Làm lớp bảo vệ cơ học

e)

Tạo lớp cách điện

26.

Metalization thường được thực hiện sau bước nào?

a)

Phủ lớp photoresist

b)

Tạo lớp passivation

c)

Tạo gate oxide

d)

Tạo contact

e)

Cấy ion cho lớp khuếch tán

27.

Lớp kim loại trong CMOS có vai trò gì?

a)

Tạo lớp bảo vệ cơ học

b)

Làm lớp dẫn nhiệt

c)

Làm lớp cách điện

d)

Tạo lớp chống nhiễu

e)

Kết nối điện giữa các phần tử trong mạch

28.

(lambda = 0.5 micromet) Khoảng cách tối thiểu giữa hai đường kim loại Metal1 là bao nhiêu?

a)

1.5 micromet

b)

0.5 micromet

c)

2.0 micromet

d)

3.0 micromet

e)

1.0 micromet

29.

(lambda = 0.6 micromet) Khoảng cách tối thiểu giữa hai đường polysilicon là bao nhiêu?

a)

3.0 micromet

b)

2.4 micromet

c)

0.6 micromet

d)

3.6 micromet

e)

1.2 hoặc 1.8 micromet

30.

(lambda = 0.4 micromet) Khoảng cách tối thiểu giữa hai vùng diffusion là bao nhiêu?

a)

1.6 micromet

b)

1.2 micromet

c)

0.8 micromet

d)

0.4 micromet

e)

2.4 micromet

31.

(lambda = 0.5 micromet) Kích thước tiếp xúc giữa Metal1 và Diffusion là bao nhiêu?

a)

1.0 micromet

b)

1.5 micromet

c)

3.0 micromet

d)

2.0 micromet

e)

0.5 micromet

32.

(lambda = 0.6 micromet) Kích thước tiếp xúc giữa Metal1 và Polysilicon là bao nhiêu?

a)

1.8 micromet

b)

0.6 micromet

c)

3.6 micromet

d)

2.4 micromet

e)

1.2 micromet

33.

(lambda = 0.45 micromet) Khoảng cách tối thiểu giữa hai via Metal1-Metal2 theo chiều ngang là?

a)

1.35 micromet

b)

1.8 micromet

c)

0.45 micromet

d)

0.9 micromet

e)

2.7 micromet

34.

(lambda = 0.6 micromet) Trong một số trường hợp, khoảng cách dọc giữa các via có thể là bao nhiêu?

a)

0.6 micromet

b)

1.8 micromet

c)

2.4 micromet

d)

1.2 micromet

e)

3.6 micromet

35.

Layout của cổng inverter CMOS bao gồm những thành phần nào?

a)

NMOS, PMOS, polysilicon, diffusion, contact

b)

PMOS, polysilicon, metal

c)

NMOS, PMOS, metal

d)

Diffusion, oxide, metal

e)

NMOS, polysilicon, oxide

36.

Trong layout inverter, PMOS thường được đặt ở đâu?

a)

Dưới lớp kim loại

b)

Trong vùng P-well

c)

Trong vùng N-well

d)

Trên lớp polysilicon

e)

Giữa hai lớp oxide

37.

Trong layout inverter, cực nguồn và cực máng được kết nối bằng gì?

a)

Polysilicon

b)

Nitride

c)

Contact và metal

d)

Oxide

e)

Diffusion

38.

File đầu tiên trong quy trình thiết kế vi mạch là gì?

a)

GDSII

b)

OASIS

c)

Lõi

d)

RTL code

39.

File cuối cùng trong quy trình thiết kế vi mạch dùng để làm gì?

a)

Kiểm tra lỗi phần mềm

b)

Mô phỏng hoạt động vi mạch

c)

Lưu trữ dữ liệu thiết kế

d)

Sử dụng để sản xuất lõi xử lý của chip

40.

Quy trình thiết kế vi mạch bắt đầu từ đâu?

a)

GDSII

b)

Lõi

c)

Layout

d)

RTL code

Similar Resources on Wayground

học mãi

40 questions

học mãi

quiz

Worksheet

•

University

Máy điện KĐB

37 questions

Máy điện KĐB

quiz

Worksheet

•

University

Trieuno2

35 questions

Trieuno2

quiz

Worksheet

•

University

PGTP - Hương liệu

41 questions

PGTP - Hương liệu

quiz

Worksheet

•

University

chap 2

43 questions

chap 2

quiz

Worksheet

•

University

62TH-THVA-N2

40 questions

62TH-THVA-N2

quiz

Worksheet

•

University