Free Printable Cấu kiện điện tử

Worksheets

Cấu kiện điện tử

Total questions: 158

Worksheet time: 1hrs 19mins

Name

Class

Date

Diode bán dẫn có nội trở rất cao khi phân cực thuận.

Đúng

Sai

Diode bán dẫn không có cực tính

Đúng

Sai

Diode bán dẫn được chế tạo từ các chất bán dẫn tạp chất.

Đúng

Sai

Phương trình dùng để tính công suất tỏa ra trên diode

$P_D=U_D\times I_D$

$P_D=U_D\times R_D$

$P_D=U_D^2\times I_D$

các phương án đều sai

Tại sao lại có hiện tượng nghèo hạt dẫn tại vùng tiếp giáp?

Lỗi trong quá trình sản xuất.

Các phương án đều sai.

Do dòng trôi của các hạt dẫn trong điện trường.

Sự khuếch tán của hạt dẫn đa số cho phép sự tái hợp xảy ra khá triệt để tại vùng tiếp giáp.

Diode sẽ KHÔNG bị hỏng bởi nguyên nhân nào?

Điện áp giữa hai đầu diode quá lớn

Tần số của dòng điện chạy qua diode quá lớn

Dòng điện chạy qua diode quá lớn

Không có phương án nào đúng

Những dòng điện nào sẽ xuất hiện khi hai khối bán dẫn loại N và loại P ghép tiếp xúc với nhau?

Dòng trôi của hạt dẫn và ion

Dòng điện tử tự do và điện tử hóa trị

Dòng trôi và dòng khuếch tán của cả điện tử lẫn lỗ trống

Dòng khuếch tán của lỗ trống và dòng trôi của điện tử

Trong bán dẫn loại N, hạt dẫn đa số là hạt gì?

Điện tử

Ion dương

Lỗ trống

Không có hạt dẫn nào là đa số

Ý nào dưới đây là giải thích đúng nhất về nội trở xoay chiều của diode?

Là lượng biến thiên nội trở của diode khi làm việc với tín hiệu xoay chiều.

Là nội trở của diode khi có điện áp đặt vào hai đầu diode.

Là lượng biến thiên nội trở của diode chuyển từ phân cực thuận sang ngược.

Là lượng biến thiên nội trở của diode theo thời gian.

10.

Trong mạch chỉnh lưu một nửa chu kỳ bằng diode lý tưởng, khi diode ở trạng thái phân cực ngược, dòng qua tải là

Nhỏ hơn 0

Lớn hơn 0

Bằng 0

Đạt cực đại

11.

Tên ba mô hình tương đương tần số thấp của diode

Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ)

Lý tưởng, điện trở hằng, và tụ ký sinh tương đương

Tuyến tính hóa nhỏ-signal, điện trở vi sai, và tụ nối tiếp

Lý tưởng, mô hình Ebers–Moll, và mô hình hybrid-pi

12.

Chức năng chính của diode Zener

Ổn dòng

Ổn áp

Chỉnh lưu

Nhân áp

13.

Với diode, sơ đồ tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ) khác nhau ở điểm nào?

Nội trở rd

Điện áp mở UĐ0 và dung kháng khuếch tán (điện dung của tiếp giáp)

Điện áp mở UĐ0

Nội trở rd và điện áp mở UĐ0

14.

Một tiếp xúc PN đang được phân cực ngược. Điện dung của tiếp xúc sẽ giảm khi

Điện áp ngược tăng lên

Điện áp ngược giảm đi

Ngừng phân cực cho tiếp xúc

Các phương án đưa ra đều sai

15.

Điện thế nhiệt Ur tại nhiệt độ 55°C có giá trị xấp xỉ

28,3 mV

25 mV

26,1 nV

29,9 mV

16.

Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu cầu cần là

1 diode

2 diode

3 diode

4 diode

17.

Ứng dụng nào dưới đây KHÔNG phải là ứng dụng đặc trưng của diode?

Khuếch đại tín hiệu

Chỉnh lưu nửa chu kỳ

Hạn mức điện áp

Chỉnh lưu cả chu kỳ

18.

Khi mạch chỉnh lưu cầu hoạt động:

Có duy nhất 1 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

Có 2 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

Có 3 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

Tất cả các diode đều dẫn thông

19.

Nhiệt độ tăng ảnh hưởng như thế nào đến hoạt động của diode?

Dòng ngược bão hòa của diode giảm

Điện áp của diode giảm

Diode không hoạt động được

Dòng điện thuận cực đại tăng

20.

Mạch chỉnh lưu có nhiệm vụ

Biến đổi dòng điện xoay chiều sang dòng điện một chiều

Biến đổi dòng điện một chiều sang dòng điện xoay chiều

Giảm độ nhấp nhô (gợn) của điện áp ra của các bộ nguồn

Lưu trữ năng lượng trong một nửa chu kỳ và giải phóng trong nửa chu kỳ còn lại của hình sin

21.

Đặt điện áp dương vào vùng P và điện áp âm vào vùng N của một tiếp xúc PN khiến

Dòng điện qua lớp tiếp xúc tăng lên

Dòng điện qua lớp tiếp xúc giảm đi

Bề rộng vùng nghèo tăng lên

Trở kháng của lớp tiếp xúc tăng lên

22.

Khi diode phân cực thuận, vùng nghèo hạt dẫn sẽ:

Thu hẹp vào ở cả hai phía

Thu hẹp vào ở một phía

Mở rộng ra về cả hai phía

Mở rộng ra về một phía

Cơ bản không thay đổi

23.

Điện áp tiếp xúc tại vùng nghèo của diode chế tạo bằng Si là xấp xỉ

0.7V

0.3V

1.2V

1.5V

24.

Trong bán dẫn tạp chất loại P, một lỗ trống trong mạng tinh thể có xu hướng

Hút lỗ trống lân cận lại gần

Đẩy lỗ trống lân cận ra xa

Lấy một điện tử ở lân cận để lấp đầy vị trí trống

Lấy một điện tử gần hạt nhân của nguyên tử tạp chất để lấp đầy vị trí trống

25.

Trong tiếp giáp PN, vùng nghèo hạt dẫn mở rộng nhiều hơn sang miền bán dẫn.

Kích thước nhỏ hơn

Có nồng độ pha tạp lớn hơn

Có nồng độ pha tạp nhỏ hơn

Kích thước lớn hơn

26.

Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ

1 diode

2 diode

3 diode

27.

Để tạo ra bán dẫn thuần, tại sao yêu cầu độ sạch rất cao trong phòng sản xuất?

Hạn chế tối đa bụi bay vào mạng tinh thể

Giúp dây chuyền sản xuất trơn tru, không bị tác động bên ngoài

Các phương án đưa ra đều sai

Sản xuất bán dẫn có hại cho sức khỏe, độ sạch cao giúp bảo vệ sức khỏe người lao động

28.

Khi diode phân cực ngược, phát biểu nào sau đây là đúng?

Dòng khuếch tán tăng mạnh còn dòng trôi giảm.

Dòng khuếch tán và dòng trôi cùng tăng.

Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng nhưng nhanh chóng đạt giá trị bão hòa.

Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng nhanh.

29.

Đặt điện áp dương vào vùng P, điện áp âm vào vùng N của một tiếp giáp PN khiến

Trở kháng của lớp tiếp giáp tăng lên

Dòng điện qua lớp tiếp giáp tăng lên

Dòng điện qua lớp tiếp giáp giảm đi

Bề rộng vùng nghèo hạt dẫn tăng lên

30.

Gọi Rp là nội trở một chiều của diode, Up và Ip lần lượt là điện áp giữa hai đầu và dòng điện chạy qua diode. Rp được tính bằng công thức nào?

$R_p = \frac{dU_p}{dI_p}$

$R_p = \frac{U_p}{I_p}$

Các phương án đưa ra đều sai

$R_p = \frac{P_p}{I_p}$

31.

Nguyên tố nào sau đây được dùng để sản xuất bán dẫn đơn chất?

Kẽm

Silic

Chì

Đồng

32.

Về tính chất dẫn điện ở nhiệt độ thường, nhận định nào sau đây là đúng?

Chất bán dẫn dẫn điện kém hơn chất cách điện

Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất cách điện

Các phương án đưa ra đều sai

Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất dẫn điện

33.

Trong mạng tinh thể Si, liên kết giữa hai nguyên tử Si là gì?

Liên kết dạng thế

Các phương án đưa ra đều sai

Liên kết đồng đều

Liên kết cộng hoá trị

34.

Dòng điện khuếch tán là dòng của các hạt dẫn trong điều kiện nào?

Có sự chênh lệch về nồng độ hạt dẫn giữa hai khối bán dẫn được ghép tiếp xúc với nhau

Có dòng điện ngoài chạy qua khối bán dẫn

Có sự chênh lệch về kích thước giữa hai khối bán dẫn được ghép tiếp xúc với nhau

Có điện trường ngoài đặt vào khối bán dẫn

35.

Khi không có điện trường ngoài, dòng điện trong diode bằng 0 là do nguyên nhân nào?

Các phương án đưa ra đều sai

Điện tử tự do đã kết hợp hết với lỗ trống

Dòng trôi và dòng khuếch tán cân bằng nhau và triệt tiêu lẫn nhau

Mật độ các loại hạt dẫn ở hai bên tiếp giáp đã cân bằng nên không có dòng điện khuếch tán

36.

Để tạo ra điện tử tự do trong mạng tinh thể của một khối bán dẫn thuần ở 0 K, phương án nào sai?

Nung nóng khối bán dẫn

Không cần làm gì vì đã có sẵn nhiều điện tử tự do trong mạng tinh thể

Đặt một nguồn phóng xạ cạnh khối bán dẫn

Chiếu sáng khối bán dẫn bằng ánh sáng có bước sóng ngắn

37.

Diode rơi vào vùng đánh thủng do điện khí khi nào?

Điện áp ngược trên diode lớn hơn giá trị đánh thủng

Điện áp thuận trên diode lớn hơn giá trị đánh thủng

Điện áp ngược đặt lên diode bằng 0 nhưng diode quá nóng

Dòng điện thuận chạy qua diode quá lớn

38.

Khi một diode Si phân cực thuận, dòng điện trong diode tăng mạnh khi điện áp thuận đặt vào vượt quá bao nhiêu?

$0{,}7\,\text{V}$

$0{,}3\,\text{V}$

39.

Dòng điện trôi là dòng

Của các điện tử khi có sự chênh lệch về nồng độ

Các phương án đưa ra đều sai

Của các lỗ trống khi có sự chênh lệch về nồng độ

Của cả hai loại hạt dẫn dưới tác động của điện trường

40.

Trong vùng đánh thủng do điện, dòng điện qua diode:

Bằng 0

Là dòng thuận và giảm mạnh theo điện áp

Là dòng ngược bão hòa

Là dòng ngược nhưng tăng mạnh theo điện áp

Là dòng thuận cực lớn làm cho diode hỏng ngay lập tức

41.

Tác dụng của tụ điện mắc // với tải đầu ra của mạch chỉnh lưu

Nắn điện áp xoay chiều thành điện áp một chiều

Tăng điện áp đầu ra lên gấp đôi

Giảm độ gợn điện áp đầu ra

Không cho các nhiễu điện tần số cao đi xuống cực âm của AC

42.

Tên gọi thông dụng cho các vùng trên đặc tuyến vôn-ampe của diode là

Phân cực thuận, phân cực ngược, quá dòng, đánh thủng do nhiệt

Phân cực thuận, phân cực ngược, quá dòng, quá nhiệt

Phân cực thuận, phân cực ngược, đánh thủng do điện (Zener), đánh thủng do nhiệt

43.

Trong mỗi liên kết cộng hóa trị, mỗi nguyên tử Si của bán dẫn thuần góp bao nhiêu điện tử cho liên kết chung?

44.

Tên ba mô hình tương đương tần số thấp của diode

Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ)

Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa nhiều đoạn (đầy đủ)

Lý tưởng, gần lý tưởng, và thực tế

Lý tưởng, phi tuyến hóa từng đoạn đơn giản, và phi tuyến hóa từng đoạn (đầy đủ)

45.

Diode có nội trở cao khi phân cực thuận.

Sai

Đúng

46.

Trong diode, hạt dẫn đa số là

Lỗ trống

Điện tử bên bán dẫn loại N, lỗ trống bên bán dẫn loại P

Điện tử

Điện tử bên bán dẫn loại P, lỗ trống bên bán dẫn loại N

Tất cả các phương án trên

47.

Bán dẫn tạp chất loại P bao gồm các nguyên tố nào sau đây (Trong BTHHH)

Nhóm III

Nhóm III pha với nhóm IV

Nhóm IV

Nhóm V

Nhóm III pha với nhóm V

48.

Dòng trội trong diode là dòng của

Hạt dẫn thiểu số

Hạt dẫn đa số

Điện tử

Lỗ trống

49.

Trong quá trình sinh ra điện tử và lỗ trống bên trong mạng tinh thể bán dẫn thuần, số lượng hạt dẫn loại nào nhiều hơn?

Điện tử nhiều hơn lỗ trống

Chỉ có điện tử hoặc lỗ trống được sinh ra

Số lượng điện tử và lỗ trống là bằng nhau

Lỗ trống nhiều hơn điện tử

50.

Nếu một diode ổn áp có $U_z$ bằng $4{,}7\,\text{V}$ , phát biểu nào sau đây là đúng?

Điện áp thuận cực đại là $4{,}7\,\text{V}$

Điện áp mở là $4{,}7\,\text{V}$

Các phương án đều sai.

Điện áp đánh thủng do điện là $4{,}7\,\text{V}$

51.

Cho mạch điện như hình vẽ: $E=5\,\text{V}$ , $R=8$ , $r_D=?$ , diode được làm từ Si. Để tính toán các tham số của mạch với sai số không quá 10%, áp dụng sơ đồ tương đương nào của diode là hợp lý nhất

Tuyến tính hóa từng đoạn đầy đủ

Lý tưởng

Tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản

Tần số cao

52.

Đặt điện áp ngược $12\,\text{V}$ lên mạch điện gồm một diode zener mắc nối tiếp với một điện trở $R$ . Nếu $U_z=3\,\text{V}$ thì giá trị điện áp đo trên diode zener là

$12\,\text{V}$

$3\,\text{V}$

$9\,\text{V}$

$6\,\text{V}$

53.

Một diode lý tưởng hoạt động giống như

Một công tắc

Một dây dẫn

Một điện trở

Một tụ điện

54.

Diode zener có đặc điểm quan trọng gì khác với diode thông thường

Cho phép dòng điện thuận lớn hơn đi qua, phù hợp với các ứng dụng công suất lớn

Có vùng đánh thủng do điện (zener) rất dốc, phù hợp với ứng dụng ổn áp

Có dòng ngược bão hòa lớn hơn

Có điện áp mở lớn hơn

55.

Đặc tuyến vôn-ampe của một diode KHÔNG phụ thuộc vào

Loại chất bán dẫn dùng để chế tạo

Các điện trở và tụ điện trong mạch điện mà diode làm việc

Nhiệt độ của diode

Bức xạ ion hóa chiếu của diode

56.

Khi mạch chỉnh lưu cầu hoạt động

Tất cả các diode dẫn thông

Có 2 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

57.

Bản chất sự di chuyển của lỗ trống trong điện trường là sự di chuyển của

Ion âm

Điện tử tự do nhưng theo chiều ngược lại

Lỗ trống không di chuyển

Điện tử hóa trị nhưng theo chiều ngược lại

58.

Ý nào dưới đây giải thích đúng nhất về nội trở xoay chiều của diode

Là lượng biến thiên nội trở của diode theo thời gian

Là lượng biến thiên nội trở của diode khi diode chuyển từ phân cực thuận sang phân cực ngược

Là lượng biến thiên nội trở của diode khi làm việc với tín hiệu xoay chiều

Là nội trở của diode khi có điện áp đặt vào hai đầu diode

59.

Tại hai điểm trên đường đặc tuyến vôn-ampe của diode, người ta đo được nội trở một chiều lần lượt là 3,75 Ω (điểm 1) và 200 kΩ (điểm 2). Nhận định nào sau đây là hợp lý nhất về vị trí của hai điểm trên đặc tuyến?

Cả hai điểm đều ở nhánh phân cực thuận

Điểm 1 ở gốc tọa độ, điểm 2 ở nhánh phân cực ngược

Điểm 1 ở nhánh phân cực thuận, điểm 2 ở nhánh phân cực ngược

Điểm 1 ở nhánh phân cực thuận, điểm 2 ở vùng đánh thủng

60.

Bán dẫn P có thêm mức năng lượng nào so với bán dẫn thuần

Mức năng lượng của vùng hóa trị

Mức năng lượng của tạp chất cho

Mức năng lượng của tạp chất nhận

Mức năng lượng của vùng dẫn

61.

Phát biểu nào sau đây là sai khi so sánh mạch chỉnh lưu 2 nửa CK sử dụng biến áp có điểm giữa (1) với mạch chỉnh lưu cầu (2)

Số lượng diode của (1) ít hơn của (2)

Hao hụt điện áp đầu ra của (1) thấp hơn của (2)

Điện áp ngược đặt lên diode trong (1) thấp hơn trong (2)

Loại biến áp cấp điện cho (1) yêu cầu phức tạp hơn loại cấp cho (2)

62.

Công thức nào dưới đây đúng để tính nội trở xoay chiều của diode

r_d = m × U_T/I_s

r_d = U_D/I_D

r_d = dU_D/dI_D

Các phương án đưa ra đều sai

63.

Cho mạch điện gồm 1 nguồn điện cấp cho 1 diode mắc nối tiếp với 1 điện trở R. Gọi U_N là điện áp của nguồn, U_D là điện áp mở và r_d là nội trở của diode. Sơ đồ tuyến tính hóa từng đoạn của diode nên được áp dụng trong trường hợp nào

U_D là đáng kể so với U_N và r_d là đáng kể so với R

U_D là đáng kể so với U_N và r_d là rất nhỏ so với R

U_D là rất nhỏ so với U_N và r_d là đáng kể so với R

U_D là rất nhỏ so với U_N và r_d là rất nhỏ so với R

64.

Mạch điện trong hình vẽ là mạch

Hạn chế mức dưới -E mắc kiểu song song

Hạn chế mức trên -E mắc kiểu song song

Hạn chế mức dưới -E mắc kiểu nối tiếp

Hạn chế mức trên -E mắc kiểu nối tiếp

65.

Cho đặc tuyến thể hiện mối liên hệ giữa Uout và Uin như hình vẽ. Đây là đặc tuyến mạch

Hạn chế mức trên

Chỉnh lưu cầu

Hạn chế mức dưới

Chỉnh lưu 1 nửa chu kì

66.

Khi nhiệt độ của 1 diode (có m=1) tăng từ 25 d°C (UT=25mV, IS=1nA, UD=0.5V) lên 60 d°C (UT=28.7mV, IS=200nA, UD=0.45V). Dòng điện chạy qua diode tăng xấp xỉ

1.2 lần

2.7 lần

5 lần

12 lần

67.

Cho một diode với thông số sau: m=1; UT=25mV; IS=1nA; UD=0.4V. Dòng điện chạy qua diode xấp xỉ

6.2mA

3mA

14mA

8.9mA

68.

Diode trong hình vẽ đang hoạt động trong vùng đánh thủng do điện (vùng zener). Khi điện áp vào tăng trong 1 phạm vi cho phép để không làm hỏng diode thì

Điện áp trên Rt tăng theo

Dòng Iz giảm

Điện áp trên Rt giảm đi

Dòng I giảm

Dòng It không đổi

69.

Tại 25°C, 1 diode có PĐ(max)=1W, UD=0.7V. Dòng điện tối đa cho phép qua diode giảm xấp xỉ bn lần để nhiệt độ tăng lên 60 d°C (PĐ(max)=0.4W, UD=0.55V)

4 lần

2 lần

1.3 lần

2.8 lần

70.

Cho các đặc tuyến trong hình vẽ. Hình nào thể hiện đặc tuyến của mạch hạn chế mức dưới âm

Hình A

Hình C

Hình B

Hình D

71.

Cho 1 diode có các thông số: $U_D=0{.}8\text{ V}$ , $U_T=25\text{ mV}$ , $I_S=1\text{ nA}$ , $I_D=20\text{ mA}$ . Nội trở 1 chiều của diode là bao nhiêu?

20\u03a9

30\u03a9

40\u03a9

60\u03a9

72.

Diode đang phân cực thuận bằng nguồn điện một chiều. Khi cấp thêm một thành phần điện áp xoay chiều có biên độ là $0{.}1\text{ V}$ vào diode, dòng điện qua diode biến thiên trong khoảng $20\text{ mA}$ . Nội trở động của diode xấp xỉ bao nhiêu?

10Ω

20Ω

0.1Ω

1Ω

73.

Diode bị phân cực ngược khi?

Dòng điện ngoài có xu hướng chạy cùng chiều với dòng khuếch đại

Điện trường ngoài cùng chiều với điện trường tiếp xúc ở vùng nghèo

Điện trường ngoài đủ nhỏ, chiều điện trường là không quan trọng

Từ trường ngoài ngược chiều với điện trường tiếp xúc ở vùng nghèo

74.

Mạch điện trong hình vẽ là

Hạn chế trái phải

Hạn chế trên

Hạn chế dưới

Hạn chế cả trên và dưới

75.

Cho một diode với thông số sau: $m=1$ , $U_T=25\text{ mV}$ , $I_S=1\text{ nA}$ , $I_D=500\text{ mA}$ . Điện áp trên diode xấp xỉ?

$1{,}2\text{ V}$

$0{,}5\text{ V}$

$0{,}8\text{ V}$

$0{,}1\text{ V}$

76.

Điện thế nhiệt $U_T$ tại nhiệt độ $55^\circ\text{C}$ có giá trị xấp xỉ?

28.1mV

25 $\text{ mV}$

29.9mV

26.1 $\text{ mV}$

77.

Bán dẫn loại P có đặc điểm gì khác so với bán dẫn thuần ?

Có 1 điện tử lớp ngoài cùng của tạp chất nhóm 5 k tham gia vào lk cộng hóa trị nào

Thiếu 1 điện tử lớp ngoài cùng của tạp chất nhóm 3 ở trong 1 lk cộng hóa trị

Không khác bán dẫn thuần

Tạp chất cung cấp điện tử tự do sẵn

78.

Nếu một diode ổn áp có $U_Z=4{,}7\text{ V}$ , phát biểu nào sau đây là đúng ?

Điện áp thuận cực đại là $4{,}7\text{ V}$

Điện áp mở là $4{,}7\text{ V}$

Điện áp đánh thủng do điện là $4{,}7\text{ V}$

Các phương án đều sai

79.

Dòng trôi là dòng?

Của các electron khi có sự chênh lệch về nồng độ

Của các lỗ trống khi có sự chênh lệch về nồng độ

Của cả 2 loại hạt dẫn dưới tác động của điện trường

Các phương án đều sai

80.

Mạch điện trong hình vẽ là mạch

Hạn chế mức dưới mắc kiểu song song

Hạn chế mức trên mắc kiểu song song

Hạn chế mức dưới mắc kiểu nối tiếp

Hạn chế mức trên mắc kiểu nối tiếp

81.

Một transistor tiếp xúc lưỡng cực có cấu trúc gồm 3 tiếp xúc PN

Đúng

Sai

82.

Tiếp xúc PN có sự tham gia của miền base và miền emitter được gọi là tiếp xúc Base-Emitter

Đúng

Sai

83.

Trong BJT, hạt dẫn đa số trong miền emitter là hạt dẫn đa số trong miền base

Đúng

Sai

84.

Dòng điện emitter (IE) là tổng của dòng điện collector (IC) và dòng điện base (IB)

Đúng

Sai

85.

Hệ số khuếch đại dòng điện dc của một BJT có giá trị nhỏ hơn 20 đến 200 hoặc lớn hơn

Đúng

Sai

86.

Trong cùng một mạch điện, dòng điện collector là lớn nhất khi BJT bão hòa

Đúng

Sai

87.

Một BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại, có thể coi βdc = βac = β

Đúng

Sai

88.

Dòng điện base (IB) của BJT rất nhỏ so với dòng điện collector (IC) và dòng điện emitter (IE)

Đúng

Sai

89.

BJT làm việc ở chế độ cắt dòng khi tiếp xúc base–emitter phân cực thuận

Đúng

Sai

90.

Hệ số khuếch đại có giá trị bằng điện áp đầu ra chia cho dòng điện đầu vào

Đúng

Sai

91.

Thuật ngữ bipolar liên quan tới việc dùng cả lỗ trống và điện tử như là các hạt mang điện trong cấu trúc BJT

Đúng

Sai

92.

Chức năng chính của BJT là tạo dao động

Đúng

Sai

93.

Hệ số β của BJT là

Hệ số khuếch đại dòng điện

Hệ số truyền đại dòng điện base

Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter

Hệ số khuếch đại công suất

94.

Có mấy phương pháp phân cực cho BJT

95.

Về mặt lý thuyết, nếu tăng Uce trong khi Ube của BJT được giữ nguyên thì

Dòng điện base giảm nhẹ do tỉ lệ hạt dẫn tái hợp tại miền base giảm

Dòng điện base không đổi

Dòng điện base tăng nhẹ do tỉ lệ hạt dẫn tái hợp tại miền base tăng

Dòng điện base tăng tỷ lệ thuận với độ tăng của Uce

96.

Trong 1 BJT loại NPN, các miền được tạo nên từ bán dẫn loại N là

base và emitter

base và collector

emitter và collector

base

97.

Thông thường, đặc điểm miền emitter của 1 BJT là

Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất mạnh nhất

Có kích thước trung bình, được pha tạp chất mạnh nhất

Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất trung bình

Có kích thước trung bình, được pha tạp chất ít nhất

98.

Đặc điểm miền base của một BJT thông thường là

Có kích thước lớn nhất và được pha tạp chất mạnh nhất

Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp trung bình

Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp nhẹ nhất

Mỏng nhất và được pha tạp chất mạnh nhất

99.

Đặc điểm miền collector của 1 BJT thông thường là

Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất mạnh nhất

Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất ít nhất

Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất trung bình

Có kích thước trung bình, được pha tạp chất mạnh nhất

100.

Dòng điện emitter của 1 BJT được tạo ra do

Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực thuận, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B rồi phần lớn chuyển sang C

Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực ngược, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B rồi một phần nhỏ chuyển sang C

Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực thuận, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C

Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực ngược, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C

101.

Dòng điện collector của 1 BJT được tạo ra do

Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền B bị hút sang miền C

Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền B bị hút sang miền C

Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền C khuếch tán sang miền B

Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn đa số tại miền C khuếch tán sang miền B

102.

Thông thường, điện áp giữa cực base và emitter của BJT khi tiếp giáp này được phân cực thuận có giá trị xấp xỉ

0.3V

0.7V

0.3V hoặc 0.7V tùy thuộc vào vật liệu bán dẫn là Ge hay Si

0.3V và 0.7V

103.

Khi tiếp xúc emitter-base của BJT phân cực thuận, độ rộng vùng nghèo hạt dẫn của tiếp xúc này sẽ

Tăng lên

Giảm đi

Không đổi

Ban đầu không đổi sau đó tăng lên

104.

Để một BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại, điện thế của cực base phải

Cao hơn cực emitter

Thấp hơn cực emitter

Cao hơn cực collector

Thấp hơn cực emitter và cao hơn cực collector

105.

Để một BJT loại PNP làm việc ở chế độ khuếch đại, điện thế của cực base phải

Cao hơn cực emitter

Thấp hơn cực emitter

Thấp hơn cực collector

Cao hơn cực emitter và thấp hơn cực collector

106.

Thông tin nào sau đây thể hiện BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại

Điện áp ở cực E lớn hơn điện áp ở cực C và nhỏ hơn điện áp ở cực B

Điện áp ở cực E lớn hơn điện áp ở cực C và điện áp ở cực B

Điện áp ở cực E nhỏ hơn điện áp ở cực C và điện áp ở cực B

Điện áp ở cực E nhỏ hơn điện áp ở cực C và lớn hơn điện áp ở cực B

107.

Đối với BJT loại NPN, thông tin nào sau đây thể hiện nó làm việc ở chế độ khuếch đại

Điện áp ở cực C lớn hơn điện áp ở cực B và điện áp ở cực E

Điện áp ở cực C nhỏ hơn điện áp ở cực B và nhỏ hơn điện áp ở cực E

Điện áp ở cực C nhỏ hơn điện áp ở cực B và lớn hơn điện áp ở cực E

Điện áp ở cực C nhỏ hơn điện áp ở cực B và điện áp ở cực E

108.

Khi một BJT đang hoạt động trong vùng khuếch đại, giá trị của dòng điện ở cực collector luôn

Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base

Bằng giá trị dòng điện ở cực emitter

Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base và nhỏ hơn giá trị dòng điện ở emitter

Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực emitter

109.

Trong một BJT, hệ số α được định nghĩa là

Hệ số khuếch đại dòng điện

Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter

Hệ số khuếch đại công suất

Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện base

110.

Điện áp trên tiếp xúc BE của BJT loại Si khi phân cực thuận là

0.7V

0.3V

VBB

111.

Đối với một BJT, nếu dòng điện collector bằng 0.95 lần dòng điện emitter thì α bằng

0.05

1.05

0.95

112.

Hệ số β của BJT là

Hệ số khuếch đại dòng điện

Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter

Hệ số khuếch đại công suất

Hệ số truyền đại dòng điện base

113.

Khi BJT hoạt động ở chế độ bão hòa, điện áp giữa cực C và cực E thường

Nằm trong khoảng từ 0.3V đến điện áp của nguồn cung cấp

Nhỏ và không quá 0.3V

Bằng điện áp giữa cực B và cực E

Xấp xỉ điện áp của nguồn cung cấp

114.

Các đặc tuyến ra của BJT mắc theo mô hình E chung (CE) có thể được dùng để giải thích cho đặc tuyến ra của nó mắc theo mô hình nào dưới đây

B chung (CB)

C chung (CC)

C chung (CC) và B chung (CB)

Các phương án đưa ra đều sai

115.

BJT có điểm làm việc tĩnh (một chiều) phụ thuộc vào nhiệt độ mạnh nhất khi được phân cực theo cách nào trong số sau đây

Phân cực base

Phân cực emitter

Phân cực bằng phân áp

Phân cực bằng hồi tiếp collector

116.

Một BJT được làm từ Si, có β = 150, đang ở trong mạch điện như hình vẽ. Nếu vì một lý do nào đó mà β tăng lên, dòng collector sẽ

Tăng lên

Giảm đi

Không đổi

Không kết luận được

117.

Phương pháp phân cực cho BJT trong hình là

Phân áp

Phân cực base (Phân cực cố định)

Phân cực emitter

Phân cực hồi tiếp collector

118.

Một BJT được làm từ Si đang ở trong mạch điện như hình vẽ. Nếu vì một lý do nào đó mà β tăng lên, dòng base sẽ

Giảm đi

Tăng lên

Không đổi

Ban đầu không đổi, sau đó giảm mạnh

119.

BJT trong hình vẽ được làm từ Si. Nếu Vcc tăng gấp đôi, dòng điện base sẽ

Giảm đi một nửa

Tăng lên gấp đôi

Gần như không đổi

Ban đầu tăng lên, sau đó giảm đi

120.

BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si. Biết Vcc = 10 V, Rc = 1 kΩ, Uin = 0 V. Tính Uout

0 V

10 V

0.3 V

9 V

121.

BJT trong hình vẽ đang làm việc ở chế độ khuếch đại. Biết re = 50 Ω, Rc = 1 kΩ và biên độ thành phần tín hiệu xoay chiều tại cực B là 100 mV. Tính biên độ điện áp xoay chiều tại cực C (Vout)

0 V

2 V

4.76 V

6.71 V

122.

Trong 1 BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền emitter có đặc điểm

Có độ dày trung bình và có nồng độ pha tạp trung bình

Có độ dày trung bình và có nồng độ pha tạp lớn nhất

Có kích thước lớn nhất và nồng độ pha tạp nhỏ nhất

Có kích thước trung bình và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất

123.

Trong 1 BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền base có đặc điểm

Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp lớn nhất

Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp trung bình

Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất

Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp trung bình

124.

Trong 1 BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền collector có đặc điểm

Có kích thước nhỏ nhất và có nồng độ pha tạp lớn nhất

Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất

Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp trung bình

Có kích thước trung bình và có nồng độ pha tạp lớn nhất

125.

Dòng điện emitter của một BJT được tạo ra do

Tiếp xúc BE được phân cực thuận, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B rồi phần lớn chuyển sang C

Tiếp xúc BE được phân cực ngược, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền C rồi phần nhỏ chuyển sang B

Tiếp xúc BE được phân cực thuận, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C

Tiếp xúc BE được phân cực ngược, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C

126.

Dòng điện base của BJT được tạo ra do

Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E

Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, tất cả hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B

Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, một lượng nhỏ các hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B

Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E và tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền E

127.

Dòng điện collector của 1 BJT được tạo ra do

Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền B bị hút sang miền C

Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền B bị hút sang miền C

Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền C khuếch tán sang B

Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền C khuếch tán sang miền B

128.

Tham số nào liên quan đến việc tính hệ số ổn định của BJT khi đang hoạt động

$I_B$

$U_{BE}$

$U_{CE}$

129.

Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ của BJT tăng hoặc giảm, tham số bị thay đổi

$U_{BE}$

$I_C$

α, β, $U_{BE}$ và $I_C$

130.

Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ của BJT tăng lên, tham số nào sau đây tăng lên

UBE

UBE và IB

131.

Đối với một BJT làm việc ở chế độ khuếch đại, điều kiện cần để điểm làm việc tĩnh (một chiều) của nó nằm ở giữa đường tải tĩnh (một chiều) là

Giá trị một chiều UCE đạt cực đại và Ic=Ic(max)/2

Giá trị một chiều UCE bằng một nửa giá trị điện áp nguồn cung cấp và Ic=Ic(max)

Các phương án đưa ra đều sai

Giá trị một chiều UCE bằng một nửa giá trị điện áp nguồn cung cấp và Ic=Ic(max)/2

132.

Một BJT chế tạo từ Si được phân cực bằng mạch điện có thông số như trong hình. Nếu điều chỉnh Rl để Ic tăng lên thì Uce sẽ

Không đổi

Tăng lên

Giảm đi

Không kết luận được

133.

BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si. VCC=9V, VBB=3.5V, RC=1kΩ, RB=200kΩ, β=100. Uce bằng

0.7V

7.6V

4.85V

134.

BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si. VCC=VBB=10V, RC=1,5kΩ, RB=470kΩ và β=180. Uc=

10V

5.3V

4.7V

135.

BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si. VCC=10V, RC=1kΩ và Uin=5Vdc. Để tạo ra Ib nhỏ hơn 50μA, Rb không được lớn hơn

100kΩ

86kΩ

50kΩ

94kΩ

136.

BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si. VCC=10V, RC=1kΩ và Uin=5Vdc. Trong thực tế, Ic bão hòa của BJT là

Khoảng 9.7mA

Đúng bằng 10mA

Xấp xỉ 0mA

Khoảng 100mA

137.

BJT trong hình vẽ đang làm việc ở chế độ bão hòa. Nếu ta tăng lên, dòng $I_C$ sẽ

Giảm đi

Tăng lên

Gần như không đổi

Ban đầu tăng lên, sau đó giảm đi

138.

BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si. Với $V_{CC}=10\,\text{V}$ , $R_C=1\,\text{k}\Omega$ và $U_{in}=5\,\text{V}$ . Nếu giảm giá trị $R_C$ thì $I_C$ cực đại sẽ

Không đổi

Giảm đi

Tăng lên

Không kết luận được

139.

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc theo mô hình C chung có đặc điểm

Hệ số khuếch đại điện áp xấp xỉ 1 và hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ $\beta$

Hệ số khuếch đại điện áp xấp xỉ $\beta$ và hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ 1

Hệ số khuếch đại điện áp lớn hơn 1 và hệ số khuếch đại dòng điện lớn hơn $\beta$

Hệ số khuếch đại điện áp lớn hơn $\beta$ và hệ số khuếch đại dòng điện lớn hơn 1

140.

Một BJT đang làm việc ở chế độ khuếch đại và được phân cực theo kiểu hồi tiếp emitter bởi các điện trở $R_b$ , $R_C$ và $R_E$ nối tới các cực tương ứng. Một trong những giải pháp để tăng độ ổn định của điểm làm việc tĩnh (một chiều) là

Giảm giá trị điện trở $R_E$

Tăng giá trị điện trở $R_E$

Mắc nối tiếp với $R_E$ một tụ điện

Mắc song song với $R_E$ một tụ điện

141.

Một BJT chế tạo từ Si được phân cực bằng mạch điện có thông số như trong hình. Dòng $I_E$ xấp xỉ

0.28 mA

2.8 mA

0.28 A

2.8 A

142.

Một BJT chế tạo từ Si được phân cực bằng mạch điện như trong hình. Điện áp trên cực C so với đất xấp xỉ

13.5 V

13 V

2.3 V

10.7 V

143.

Một BJT chế tạo từ Si được phân cực bằng mạch điện như trong hình. Nếu tăng giá trị $R_2$ lên, điện áp trên cực B của BJT sẽ

Tăng lên

Giảm đi

Không đổi

Không kết luận được

144.

Khi BJT làm việc trong vùng khuếch đại tuyến tính, phương trình nào đúng

$I_C = \beta I_B$

$I_C = \beta I_E$

$I_E = \beta I_C$

$I_B = \beta I_E$

145.

Khi đang hoạt động, một BJT có $I_E=10\,\text{mA}$ và $I_C=9.95\,\text{mA}$ . Dòng điện $I_B$ có giá trị

5 $\mu$ A

50 $\mu$ A

0.5 mA

5 mA

146.

Trong 1 BJT loại NPN, các miền được tạo nên từ bán dẫn loại N là

Base và emitter

Base và collector

Emitter và collector

Base

147.

Để một BJT làm việc ở chế độ khuếch đại tín hiệu biến đổi nhỏ thì

Tiếp xúc giữa các cực E-B phân cực thuận, tiếp xúc giữa các cực C-B phân cực thuận

Tiếp xúc giữa các cực E-B phân cực thuận, tiếp xúc giữa các cực C-B phân cực ngược

Tiếp xúc giữa các cực E-B phân cực ngược, tiếp xúc giữa các cực C-B phân cực ngược

Tất cả phương án đều sai

148.

Mạch khuếch đại E chung có khả năng và đặc điểm (E chung cùng pha)

Khuếch đại dòng điện, khuếch đại điện áp, điện áp ra ngược pha với điện áp vào

Khuếch đại dòng điện, khuếch đại điện áp, điện áp ra cùng pha với điện áp vào

Khuếch đại dòng điện, không khuếch đại điện áp, điện áp ra cùng pha với điện áp vào

Không khuếch đại dòng điện, khuếch đại điện áp, điện áp ra cùng pha với điện áp vào

149.

Khi đo điện áp giữa các chân của BJT trong 1 mạch phân cực, người ta được các giá trị là UBE=0V và UCB=UCE=Ec (Ec là điện áp nguồn cung cấp cho BJT). Kết luận có lý nhất

BJT đang được phân cực ở chế độ khuếch đại

BJT đang được phân cực ở chế độ bão hòa

BJT đang được phân cực ở chế độ cắt dòng

BJT bị hỏng

150.

Trong BJT loại NPN, hạt dẫn đa số trong cực Base là

Các điện tử tự do và lỗ trống

Các lỗ trống

Các điện tử tự do

Các phương án đưa ra đều sai

151.

Khi một BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại, điện áp của các cực giảm dần

UB, UC, UE

UC, UB, UE

UE, UC, UB

UE, UB, UC

152.

Khi một BJT loại PNP làm việc ở chế độ khuếch đại, điện áp của các cực tăng dần

UB, UC, UE

UC, UB, UE

UE, UC, UB

UE, UB, UC

153.

Khi một BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại, điện áp của các cực tăng dần

UB, UC, UE

UC, UB, UE

UE, UC, UB

UE, UB, UC

154.

Khi một BJT loại PNP được chế tạo từ Ge làm việc trong vùng khuếch đại, điện áp của cực B so với cực E là xấp xỉ

-0.3V

0.3V

0.7V

-0.7V

155.

BJT làm việc ở chế độ chuyển mạch khi 2 tiếp giáp JE và JC ở trạng thái tương ứng

Cùng thuận

Cùng ngược

Thuận-ngược

Ngược-thuận

Cùng thuận hoặc cùng ngược

156.

Đặc tuyến ra của BJT mắc theo sơ đồ C chung (CC) là đồ thị của

Dòng điện base theo điện áp collector-emitter

Dòng điện collector theo điện áp base-emitter

Dòng điện collector theo điện áp collector-emitter

Dòng điện emitter theo điện áp collector-emitter

157.

Mối quan hệ giữa các dòng điện IE, IB, IC trong BJT là

IE = IB + IC

IC = IB + IE

IB = IE + IC

IB = IE = IC

158.

Khi đang hoạt động, một BJT có IC = 5mA và IB = 20µA. Hệ số khuếch đại dòng điện 1 chiều β có giá trị

250

100

100 %

Cấu kiện điện tử

Total questions: 158

Worksheet time: 1hrs 19mins

Similar Resources on Wayground