4kTR là PSD điện áp phẳng theo tần số

kT/R là PSD điện áp tăng tuyến tính

4kT/R là PSD dòng độc lập tần số

kTR^2 là PSD điện áp tỉ lệ f

Xác định nguồn ồn, quy đổi vào, tổng hợp

Đo SPICE, bỏ qua ghép, lấy trị lớn nhất

Tính độ lợi một lần, bỏ qua ghép chéo

Chỉ xét nguồn ồn cổng, bỏ qua điện trở

Kháng vào thấp, nhiễu cổng nhỏ; gain hạn chế

Gain cao, rO lớn; băng thông rất hẹp

Kháng vào cao, nhiễu nhỏ; swing lớn

Kháng ra thấp, méo nhỏ; flicker rất lớn

γ mô tả nhiễu kênh; tăng khi kênh ngắn

γ đo flicker; giảm khi kênh ngắn

γ đo shot; bằng 2 cho mọi kênh

γ là hệ số gm; bằng 1 luôn

Đo suy giảm SNR của tầng khuếch đại

Đo công suất tối đa nạp tải ra

Đo độ lợi điện áp của toàn mạch

Đo hệ số khuếch đại dòng DC

Tần số cao nhiệt trội; tần số thấp flicker

Tần số thấp nhiệt trội; cao flicker

Mọi tần số flicker luôn trội hơn

Mọi tần số nhiệt luôn trội hơn

Chủ yếu chung-mode, giảm qua CMRR

Truyền trực tiếp như tín hiệu vi sai

Không tồn tại vì bị lọc hoàn toàn

Chỉ xuất hiện ở tần số rất cao

Giảm flicker; thermal gần như không đổi

Tăng flicker; thermal tăng mạnh

Giảm thermal nhiều; flicker tăng

Cả hai tăng mạnh theo L

Có, điện trở nguồn và mạng ghép

Không, chỉ MOSFET quyết định

Chỉ có tụ ký sinh gây ồn

Chỉ có rO là đáng kể

Nhiễu do dòng rời rạc qua tiếp giáp; ở diod

Nhiễu do nhiệt chuyển động; ở kênh MOS

Nhiễu do bẫy bề mặt; ở cổng oxit

Nhiễu do lượng tử ánh sáng; ở LNA

Tại fc, nhiễu Shot bằng nhiễu Thermal

Tại fc, nhiễu Thermal bằng nhiễu Flicker

Tại fc, nhiễu nguồn ngoài bằng nhiễu trong mạch

Tại fc, tổng nhiễu đạt giá trị cực tiểu

Tăng một transistor cascode ở ngõ ra

Dùng nhiều nhánh song song (multifinger) để chia nhỏ RG

Giảm dòng ID xuống bằng không

Tăng điện trở RD để bù suy hao

$$overline{v_{n,in}^2}$$ = $$overline{v_{n,RD}^2}$$ + $$\frac{overline{i_{n,D}^2}}{gm^2}$$

$$overline{v_{n,in}^2} = \frac{overline{i_{n,D}^2}}{gm^2} + \frac{overline{v_{n,R_D}^2}}{A_v^2}$$

$$\overline{v_{n,in}^2} = \frac{\overline{i_{n,D}^2} + \overline{i_{n,RD}^2}}{g_m^2}$$ (Đúng)

$$overline{v_{n,in}^2} = \frac{overline{i_{n,D}^2} \times RD^2 + overline{v_{n,RD}^2}}{A_v^2}$$

1

2/3 (Đúng)

1/2

0

Giảm kích thước W times L

Tăng chiều dài kênh L (Đúng)

Giảm độ dẫn truyền gm

Tăng dòng phân cực ID

Giảm gm của transistor

Tăng RD

Bỏ qua RG

Sử dụng cách bố trí đa ngón (multifinger) cho transistor. (Đúng)

Độ lợi giảm 3 dB

Thermal Noise bằng Flicker Noise. (Đúng)

Flicker Noise bằng Shot Noise.

gm giảm 3 dB.

Độ dẫn truyền gm

Dòng phân cực ID

Công nghệ chế tạo (process technology)

Điện áp quá độ V_{ov}

R_{out} của transistor ngõ vào

C_{gs} của transistor ngõ vào

gm của transistor ngõ vào

Chiều dài kênh L của transistor

2/3

1

1/2

4/3

\overline{v_{n,in,R_D}^2} = 4kT\, g_m^2 R_D

$$\overline{v_{n,in,R_D}^2} = 4kT R_D$$

$$\overline{v_{n,in,R_D}^2} = \frac{4kT R_D}{(g_m R_D)^2}$$

$$\overline{v_{n,in,R_D}^2} = \frac{4kT R_D}{g_m R_D}$$

Tăng W và giảm L, tăng ID nhẹ

Giảm W và tăng L, giảm ID

Tăng W và L, giữ ID không đổi

Giảm W và L, tăng RD lớn

Tính tổng công suất các nguồn nhiễu

So sánh hiệu suất nhiễu độc lập độ lợi

Xác định trực tiếp băng thông mạch

Tối ưu điểm phân cực chính xác

Tăng vì gm giảm theo W

Giảm vì RD tăng theo W

Không đổi vì phụ thuộc RD

Giảm vì ro tăng theo W

4kTR_D độc lập tần số

2qID tăng theo f

Tỉ lệ 1/f với tần số

Tỉ lệ f^2 với tần số

Do dòng nhiễu qua Cgs đáng kể

Vì RD tạo 1/f mạnh hơn

Vì flicker noise biến mất

Do shot noise trội hoàn toàn

gm tăng nhẹ, v_n,in giảm

gm giảm mạnh, v_n,in tăng

gm không đổi, v_n,in tăng

gm tăng, v_n,in tăng

Tạo thêm thermal tương tự

Không có ảnh hưởng gì

Loại bỏ flicker hoàn toàn

Giảm hệ số khuếch đại

Flicker 1/f của kênh

Thermal của RD thuần

Shot noise cổng MOS

Nhiễu nguồn nuôi DC