32 MegaByte

8 MegaByte

64 MegaByte

16 MegaByte

Bộ nhớ gồm $$2^N$$ từ nhớ và $$M$$ module nhớ

Bộ nhớ gồm $$2^N$$ ngân nhớ, mỗi ngân nhớ gồm $$M$$ bit

Bộ nhớ gồm $$2^N$$ Byte và $$M$$ module nhớ

Bộ nhớ gồm $$2^N$$ từ nhớ và $$M$$ module nhớ

$$13+5+14$$

$$5+14+13$$

$$14+13+5$$

$$13+14+5$$

Nguyên lý hoạt động của máy tính

Nguyên lý điều khiển ghi dữ liệu

Cục bộ hóa tham chiếu bộ nhớ

Nguyên lý điều khiển đọc dữ liệu

$$2^n \times m$$ byte

$$2^n \times n$$ byte

$$2^n \times n$$ bit

$$2^n \times m$$ bit

Trực tiếp, liên kết toàn phần, liên kết tập hợp

Trực tiếp, liên kết liên tục, liên kết gián đoạn

Liên kết tập hợp, liên kết phân tử, liên kết tập hợp

Trực tiếp, gián tiếp, kết hợp

8 MegaByte

4 MegaByte

8 GigaByte

4 GigaByte

EPROM

EEPROM

DRAM

SRAM

Chỉ cho phép đọc dữ liệu

Cho phép ghi dữ liệu

Không bị mất dữ liệu khi không có nguồn cấp

Cho phép ghi/đọc dữ liệu đồng thời tại một vị trí nhớ

Gồm hai tụ điện và hai Transistor

Gồm hai tụ điện và hai Transistor

Gồm hai tụ điện và một Transistor

Gồm một tụ điện và một Transistor

Ghi xuyên qua (Write-through) tốc độ ghi chậm vì phải ghi đồng thời vào Cache và bộ nhớ chính

Ghi trả sau (Write-back) tốc độ ghi chậm vì phải tìm xem Block tương ứng trong Cache có bị thay thế hay không

Ghi trả sau (Write-back) là chỉ ghi vào Cache, khi Block tương ứng trong Cache bị thay thế thì mới ghi cả Block về bộ nhớ chính

Ghi xuyên qua (Write-through) là ghi đồng thời vào cả Cache và bộ nhớ chính

Là loại bộ nhớ không khả biến

Là bộ nhớ đọc/ghi tùy ý

Có hai loại RAM là SRAM và DRAM

Là nơi lưu trữ thông tin tạm thời khi thực thi chương trình

Các đường dữ liệu từ D0 -> D15

Các đường dữ liệu từ D0 -> D8

Các đường địa chỉ từ A0 -> A15

Các đường địa chỉ từ A0 -> A7

Ổ đĩa cứng

RAM

ROM

Cache

Được nhà sản xuất nạp sẵn dữ liệu, người dùng không thể xóa được dữ liệu

Người dùng có thể xóa dữ liệu bằng thiết bị sử dụng tia cực tím và nạp dữ liệu bằng điện

Người dùng có thể nạp hoặc xóa dữ liệu bằng điện

Cần thiết bị chuyên dụng để ghi bằng chương trình, người dùng không thể xóa được dữ liệu

Luôn có dung lượng lớn hơn bộ nhớ RAM

Là bộ nhớ truy nhập ngẫu nhiên

Chỉ cho phép đọc dữ liệu

Không được sử dụng làm bộ nhớ Cache

Giá thành trên 1 bit nhớ thấp

Kích thước nhỏ gọn

Tốc độ truy cập nhanh

Cấu tạo đơn giản

DRAM

EPROM

SRAM

PROM

Có dung lượng lớn hơn bộ nhớ RAM

Cho phép truy nhập nhanh hơn so với các thanh ghi của CPU

Cho phép truy nhập nhanh hơn so với bộ nhớ DRAM

Là bộ nhớ có định

Các thanh ghi, ROM, bảng từ

Bên trong bộ xử lý, RAM, đĩa từ

Bên trong CPU (các thanh ghi), bộ nhớ trong, bộ nhớ ngoài

Các thanh ghi, bộ nhớ trong, CD-ROM

Mức Cache là mức trung gian giữa CPU và RAM

Mức thanh ghi là mức trao đổi nhanh nhất

Mức Cache là mức gần thanh ghi nhất

Mức thanh ghi là mức trao đổi chậm nhất

Cho phép ghi/đọc dữ liệu đồng thời tại một vị trí nhớ

Cho phép ghi dữ liệu trong quá trình chạy chương trình

Chỉ cho phép đọc dữ liệu

Bị mất dữ liệu khi không có nguồn cấp

PROM

RAM

EEPROM

EPROM

$$23+3$$

$$25+3$$

$$25+5$$

$$23+5$$

Số đường địa chỉ và số đường dữ liệu

Tốc độ xung nhịp của CPU

Loại bus mở rộng của hệ thống

Kích thước các thanh ghi điều khiển

Được chế tạo từ mạch lật

Được chế tạo từ diode

Được chế tạo từ Transistor hoặc diode

Được chế tạo từ Transistor

Tag + Word + Set

Tag + Set + Word

Tag + Word

Tag + Line

Bộ nhớ chính có tốc độ nhanh hơn Cache

Cache có thể được đặt trên cùng chip với CPU

Bộ nhớ Cache không thể được đặt trên cùng chip với CPU

Bộ nhớ Cache được đặt giữa bộ nhớ chính và bộ nhớ ngoài

WE là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu

RE là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu

WE là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

Dung lượng của chip là 32KB

Tốc độ truy cập bộ nhớ thường rất cao

Dung lượng lớn

Không mất dữ liệu khi mất nguồn

Giá thành thấp

Có 7 đường dữ liệu

Có 14 đường địa chỉ

Các đường dữ liệu từ D0 -> D8

Các đường địa chỉ từ A0 -> A14

14+9+4

14+10+5

13+9+5

13+10+4

Bộ nhớ chính chia thành các Line nhớ

Bộ nhớ chính chia thành các Block nhớ

Cache chia thành các Line nhớ

Kích thước Line bằng kích thước Block

8 MegaByte

16 MegaByte

32 MegaByte

64 MegaByte

Ổ đĩa cứng

Cache

RAM

ROM

Tag + Word + Line

Tag + Line + Word

Tag + Word

Tag + Line

Là mạch lật gồm ba tụ điện và hai Transistor

Là mạch tích điện gồm bốn tụ điện và hai Transistor

Là mạch tích điện gồm hai tụ điện và ba Transistor

Là mạch lật gồm sáu Transistor

Cache

ROM

Ổ đĩa cứng

RAM

Có thể dùng điện để xóa EPROM

PROM là loại ROM có thể xóa và ghi lại nhiều lần

EPROM là loại ROM có thể xóa và ghi lại nhiều lần

Có thể dùng điện để xóa PROM

Truy nhập trực tiếp đối với đĩa từ

Truy nhập ngẫu nhiên đối với bộ nhớ trong

Truy nhập liên kết đối với bộ nhớ Cache

Truy nhập tuần tự đối với bộ nhớ Cache

Được nhà sản xuất nạp sẵn dữ liệu, người dùng không thể xóa được dữ liệu

Cần thiết bị chuyên dụng để ghi bằng chương trình, người dùng không thể xóa được dữ liệu

Người dùng có thể xóa dữ liệu bằng thiết bị sử dụng tia cực tím và nạp dữ liệu bằng điện

Người dùng có thể nạp hoặc xóa dữ liệu bằng điện

Bộ nhớ ngoài nhận cả khối dữ liệu từ Cache

Việc truyền dữ liệu giữa CPU và Cache theo đơn vị từ nhớ

Việc truyền dữ liệu giữa CPU và Cache theo đơn vị khối nhớ

Khi cần, CPU nhận dữ liệu trực tiếp từ bộ nhớ chính

Bộ nhớ Cache có tốc độ cao hơn bộ nhớ trong

Bộ nhớ ROM không phải là bộ nhớ truy nhập ngẫu nhiên

Bộ nhớ trong có dung lượng lớn hơn bộ nhớ ngoài

Bộ nhớ RAM luôn có dung lượng nhỏ hơn bộ nhớ Cache

Tốc độ truy cập nhanh

Dung lượng lớn

Kích thước nhỏ gọn

Cấu tạo đơn giản

Từ bộ nhớ ngoài đến thanh ghi dung lượng giảm dần

Từ thanh ghi đến bộ xử lý tốc độ tăng dần

Từ bộ nhớ trong đến bộ nhớ Cache giá thành/1bit giảm dần

Từ bộ nhớ Cache đến bộ nhớ ngoài tốc độ tăng dần

RAM là viết tắt của Read Access Memory

Là loại bộ nhớ không khả biến

Là nơi lưu trữ thông tin mà máy tính đang xử lý

SRAM được chế tạo từ các tụ điện

12+12+4

14+10+4

13+11+4

13+9+6

32 MegaByte

16 MegaByte

32 KiloByte

16 KiloByte

Lưu trữ được nhiều thông tin hơn bộ nhớ RAM

Được sử dụng làm bộ nhớ Cache

Cho phép truy nhập nhanh hơn bộ nhớ RAM

Nội dung không bị thay đổi

Có 4 kiểu truy cập bộ nhớ là: Truy nhập tuần tự, truy nhập trực tiếp, truy nhập ngẫu nhiên, truy nhập khối nhớ.

Có 4 kiểu truy cập bộ nhớ là: Truy nhập tuần tự, truy nhập trực tiếp, truy nhập ngẫu nhiên, truy nhập liên kết

Có 4 kiểu truy cập bộ nhớ là: Truy nhập tuần tự, truy nhập trực tiếp, truy nhập khối nhớ, truy nhập liên kết

Có 4 kiểu truy cập bộ nhớ là: Truy nhập trực tiếp, truy nhập từ nhớ, truy nhập ngẫu nhiên, truy nhập liên kết

Ghi xuyên qua (Write-through) tốc độ ghi nhanh vì không phải kiểm tra xem Block tương ứng trong Cache có bị thay thế hay không

Ghi trả sau (Write-back) tốc độ ghi chậm vì phải tìm xem Block tương ứng trong Cache có bị thay thế hay không

Ghi trả sau (Write-back) tốc độ ghi nhanh vì chỉ ghi vào Cache, khi Block tương ứng trong Cache bị thay thế thì mới ghi trả cả Block về bộ nhớ chính

Ghi xuyên qua (Write-through) tốc độ ghi chậm vì phải kiểm tra xem Block tương ứng trong Cache có bị thay thế hay không

$$27+3$$

$$29+3$$

$$27+5$$

$$29+5$$

Dữ liệu trong bộ nhớ có giá trị ngẫu nhiên

Dữ liệu của bộ nhớ được đọc hay ghi tại các thời điểm ngẫu nhiên

Thời gian truy nhập vào bất kỳ ngăn nhớ nào trong bộ nhớ đều bằng nhau

Dữ liệu trong bộ nhớ không được đọc hay ghi một cách tuần tự

Line -> Word -> Tag

Line -> Tag -> Word

Tag -> Line -> Word

Tag -> Word -> Line

$$22+6$$

$$24+4$$

$$22+4$$

$$24+2$$

Chứa các chương trình và dữ liệu dưới dạng thư viện

Việc quản lý logic bộ nhớ chính tùy thuộc vào từng hệ điều hành

Về nguyên tắc, người lập trình có thể can thiệp vào toàn bộ bộ nhớ chính

Được dành cho trực tiếp bởi bộ xử lý

$$10+14+3$$

$$11+13+3$$

$$11+14+2$$

$$11+12+4$$

Không phải làm tươi theo chu kỳ

Thời gian truy nhập lớn hơn so với DRAM

Phải được làm tươi theo chu kỳ

Chi phí trên một bit nhớ thấp hơn so với DRAM

Dung lượng của chip nhớ là 64KB

Có 8 đường dữ liệu

Có 14 đường địa chỉ

Có 24 đường địa chỉ và 8 đường dữ liệu

Các đường dữ liệu từ D0 -> D7

Các đường địa chỉ từ A0 -> A15

Có 16 đường địa chỉ và 8 đường dữ liệu

Có 8 đường địa chỉ và 16 đường dữ liệu

Bộ nhớ bán dẫn cực nhanh

Đĩa từ

Đĩa quang

Đĩa mềm

Dung lượng của chip là 32KB

Dung lượng của chip là 16KB

RD là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu

WE là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

Giúp mở rộng dung lượng bộ nhớ

Chứa các toán hạng là hằng số

Lưu giữ dữ liệu mà bộ vi xử lý thường xuyên sử dụng

Lưu giữ các tham số hệ thống

4 MegaByte

16 MegaByte

8 MegaByte

1 MegaByte

DRAM

SRAM

Bằng nhau

Không so sánh được

Bộ nhớ SRAM rẻ hơn bộ nhớ DRAM

Bộ nhớ SRAM được sử dụng chỉ tại thời điểm khởi động máy tính

Bộ nhớ SRAM được sử dụng cho bộ nhớ Cache

Bộ nhớ SRAM có thời gian truy nhập lớn hơn DRAM

Không xác định được

Chậm hơn

Bằng nhau

Nhanh hơn

Ổ đĩa cứng

ROM

RAM

Cache

$$25+3$$

$$23+5$$

$$23+3$$

$$25+5$$

Là bộ nhớ truy nhập ngẫu nhiên

Luôn có dung lượng lớn hơn bộ nhớ RAM

Cho phép ghi dữ liệu

Có thể được sử dụng làm bộ nhớ Cache

64 MegaByte

64 KiloByte

32 KiloByte

32 MegaByte

Dung lượng của chip là 32KB

WE là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

Xác định Block nào của bộ nhớ chính đang ở trong Line

Xác định Cache có dung lượng bao nhiêu

Xác định Line có dung lượng bao nhiêu

Xác định Cache có bao nhiêu Line

Có những loại máy tính không có bộ nhớ chính

Bộ nhớ máy tính do bộ xử lý đánh địa chỉ trực tiếp

Các ngăn nhớ của bộ nhớ chính không tổ chức theo byte

Việc đánh địa chỉ cho bộ nhớ chính tùy thuộc vào từng hệ điều hành

4 GigaByte

16 MegaByte

1 GigaByte

64 MegaByte

Tốc độ truy cập nhanh

Kích thước nhỏ gọn

Không mất dữ liệu khi mất nguồn

Cấu tạo đơn giản

Là nơi chứa các vi chương trình

Là loại bộ nhớ khả biến

Là nơi chứa các chương trình hệ thống (BIOS)

Có tất cả 5 loại ROM

Bộ nhớ chỉ đọc

Bộ nhớ khả biến

Bộ nhớ xóa được

Bộ nhớ không khả biến

RAM

Ổ đĩa cứng

Cache

ROM

Tag + Word + Line

Tag + Line + Word

Tag + Line

Tag + Word

Được nhà sản xuất nạp sẵn dữ liệu, người dùng không thể xóa được dữ liệu

Người dùng có thể nạp hoặc xóa dữ liệu bằng thiết bị sử dụng tia cực tím

Người dùng có thể nạp hoặc xóa dữ liệu bằng điện

Cần thiết bị chuyên dụng để ghi bằng chương trình, người dùng không thể xóa được dữ liệu

13+14+5

15+12+5

14+13+5

12+15+5

Sai Cache, hoặc đúng Cache

Trên Cache, hoặc dưới Cache

Có dữ liệu trong Cache, hoặc không có dữ liệu trong Cache

Trong Cache, hoặc ngoài Cache

Dung lượng lớn

Chi phí thấp

Thời gian truy nhập lớn

Thời gian truy nhập nhỏ

SRAM không cần phải làm tươi

SRAM được chế tạo từ mạch lật

DRAM được chế tạo từ mạch lật

DRAM được chế tạo từ tụ điện

Chi phí trên một bit nhớ cao hơn so với SRAM

Thời gian truy nhập nhỏ hơn so với SRAM

Không phải làm tươi theo chu kỳ

Phải được làm tươi theo chu kỳ

Set -> Word -> Tag

Word -> Tag -> Set

Set -> Tag -> Word

Word -> Set -> Tag

11+14+2

11+13+3

10+14+3

11+12+4

Người dùng có thể nạp hoặc xóa dữ liệu bằng điện

Cần thiết bị chuyên dụng để ghi bằng chương trình, người dùng không thể xóa được dữ liệu

Được nhà sản xuất nạp sẵn dữ liệu, người dùng không thể xóa được dữ liệu

Người dùng có thể xóa dữ liệu bằng thiết bị sử dụng tia cực tím và nạp dữ liệu bằng điện

Các đường địa chỉ từ A0 -> A12

Có 7 đường dữ liệu

Có 13 đường địa chỉ

Các đường dữ liệu từ D0 -> D7

13+7+6

13+8+5

14+8+6

14+7+5

Các đường dữ liệu từ D0 -> D15

Các đường dữ liệu từ D0 -> D7

Các đường địa chỉ từ A0 -> A7

Các đường địa chỉ từ A0 -> A16

4 MegaByte

1 MegaByte

2 MegaByte

8 MegaByte

Dung lượng của chip là 32KB

Dung lượng của chip là 128B

Dung lượng của chip là 16KB

Dung lượng của chip là 256B

Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ, bộ nhớ quang, bộ nhớ vi mạch

Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ, bộ nhớ quang

Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ trong, bộ nhớ ngoài

Bộ nhớ vi mạch, bộ nhớ từ, bộ nhớ quang

Thời gian truy nhập vào bất kỳ ngăn nhớ nào trong bộ nhớ đều bằng nhau

Địa chỉ các ngăn nhớ bao gồm địa chỉ hàng và địa chỉ cột

Để truy nhập vào bất kỳ ngăn nhớ nào trong bộ nhớ, ta chỉ cần xác định địa chỉ của nó

Dữ liệu trong bộ nhớ không được đọc hay ghi một cách tuần tự theo địa chỉ của bộ nhớ

Bộ nhớ bán dẫn (RAM, ROM, …)

Cache

DRAM

ROM