Đảm nhiệm nhiều chức năng cùng lúc

Đảm nhiệm một chức năng như một linh kiện phức hợp

Không đảm nhiệm chức năng nào

Đảm nhiệm chức năng của phần mềm

Nhiều chức năng không xác định

Không có chức năng nào

Một hoặc một vài chức năng nhất định

Tất cả chức năng của hệ thống

Kích thước nhỏ gọn

Tiêu thụ nhiều điện năng

Giá thành cao

Độ tin cậy thấp

Độ tin cậy cao, tham số ổn định

Độ tin cậy thấp, tham số không ổn định

Độ tin cậy trung bình, tham số thay đổi

Độ tin cậy không xác định

Tiêu thụ ít điện năng

Tiêu thụ nhiều điện năng

Không tiêu thụ điện năng

Tiêu thụ điện năng không xác định

Ngày càng cao, giá thành hạ, tuổi thọ cao, chất lượng ổn định

Ngày càng thấp, giá thành tăng, tuổi thọ thấp, chất lượng kém

Không thay đổi, giá thành ổn định, tuổi thọ trung bình

Không xác định, giá thành không đổi, tuổi thọ không xác định

Trên một chip đã chế tạo hoặc thực hiện nhiều chức năng mềm khi nạp sẵn chương trình

Chỉ thực hiện một nhiệm vụ duy nhất

Không thể thực hiện chức năng mềm

Chỉ hoạt động khi không có chương trình

Do thiết kế nhỏ gọn và tích hợp cao

Do giá thành cao

Do tiêu thụ nhiều điện năng

Do chức năng hạn chế

Yêu cầu về độ ổn định nguồn cung cấp cao.

Dễ dàng thay thế các thành phần trong IC.

Không cần kết nối ngoài cho cuộn cảm.

Không bị phá hủy do nhiệt.

Vì chúng được tích hợp cố định bên trong IC.

Vì chúng dễ bị phá hủy do nhiệt.

Vì nguồn cung cấp không ổn định.

Vì cuộn cảm có thể chế tạo trong vi mạch.

Chưa chế tạo được ở dạng vi mạch tích hợp nên phải kết nối ngoài.

Dễ bị phá hủy do nhiệt.

Có thể thay thế dễ dàng khi hỏng.

Không cần nguồn cung cấp ổn định.

Nhiệt

Ánh sáng

Âm thanh

Độ ẩm

IC số, IC tương tự, IC chuyển đổi ADC/DAC

IC số, IC logic, IC vi xử lý

IC tương tự, IC logic, IC vi điều khiển

IC chuyển đổi, IC logic, IC vi xử lý

Chuyển đổi tín hiệu số thành tín hiệu tương tự

Chuyển đổi tín hiệu tương tự thành tín hiệu số

Lưu trữ tín hiệu số

Tăng cường tín hiệu tương tự

Chuyển đổi tín hiệu số thành tín hiệu tương tự

Chuyển đổi tín hiệu tương tự thành tín hiệu số

Lưu trữ tín hiệu tương tự

Tăng cường tín hiệu số

Tín hiệu rời rạc - số là dạng tín hiệu có giá trị tại các thời điểm xác định, còn tín hiệu liên tục - tương tự biến đổi liên tục theo thời gian.

Tín hiệu rời rạc - số là dạng tín hiệu biến đổi liên tục, còn tín hiệu liên tục - tương tự chỉ có giá trị tại các thời điểm xác định.

Cả hai loại tín hiệu đều biến đổi liên tục theo thời gian.

Tín hiệu rời rạc - số và tín hiệu liên tục - tương tự đều không có giá trị xác định.

SSI

MSI

VLSI

GSI

<12

<100

<1000

>1000

Vi xử lý 16bit, 32bit

Mạch đếm, mạch ghép, tách kênh

Cổng logic, Flip-Flop, IC ổn áp, tạo dao động

Vi xử lý chuyên dụng 64 bit

$$10^6$$

$$10^9$$

<1000

>1000

LSI dùng cho vi xử lý 4 bit, 8 bit; VLSI dùng cho vi xử lý 16bit, 32bit

LSI dùng cho vi xử lý chuyên dụng 64 bit; VLSI dùng cho cổng logic

LSI dùng cho mạch đếm; VLSI dùng cho mạch ghép

LSI dùng cho vi xử lý 16bit, 32bit; VLSI dùng cho vi xử lý 4 bit, 8 bit

SSI

MSI

LSI

VLSI

>500000

1000 → 20000

10

>1000000

Vi xử lý 8 bit, ROM, RAM

Mạch đếm, đa hợp, mạch cộng

Vi xử lý chuyên dụng, xử lý ảnh, thời gian thực

BJT Diode

MSI có số lượng transistor lớn hơn vì phạm vi từ 100 đến 1000, trong khi VLSI chỉ từ 20000 đến 500000.

VLSI có số lượng transistor lớn hơn vì phạm vi từ 20000 đến 500000, trong khi MSI chỉ từ 100 đến 1000.

Cả hai công nghệ đều có số lượng transistor bằng nhau.

Không thể xác định dựa trên bảng.

IC Lai (Hybrid IC)

IC màng mỏng, màng dày

IC bán dẫn (đơn khối) (Monolithic)

IC MOS

IC lưỡng cực, IC MOS

IC màng mỏng, màng dày

IC bán dẫn đơn khối, IC Lai

IC chức năng, IC công dụng

Theo công dụng/chức năng

Theo loại transistor

Theo công nghệ chế tạo

Theo kích thước

IC bán dẫn (đơn khối) chỉ sử dụng một loại vật liệu, IC Lai kết hợp nhiều loại vật liệu và công nghệ.

IC bán dẫn (đơn khối) có kích thước lớn hơn IC Lai.

IC Lai chỉ dùng cho các mạch số, IC bán dẫn dùng cho mạch tương tự.

IC Lai có giá thành thấp hơn IC bán dẫn (đơn khối).

Bức xạ ánh sáng

Bức xạ âm thanh

Bức xạ nhiệt

Bức xạ điện từ

Quang khắc và khuếch tán

Ép nhiệt và làm lạnh

Hàn và cắt

Phủ và nung

Nuôi cấy một lớp đơn tinh thể mỏng trên một lớp đơn tinh thể khác

Tạo ra lớp phủ kim loại trên bề mặt

Làm sạch bề mặt bán dẫn

Tăng độ dẫn điện của vật liệu

Sử dụng các chùm phân tử lắng đọng trên để tinh thể ở môi trường chân không

Phủ lớp sơn bảo vệ lên bề mặt

Ép nhiệt các lớp vật liệu với nhau

Sử dụng tia laser để cắt lớp vật liệu

Vì giúp gia công các phần tử vi mạch trên bề mặt đơn tinh thể bán dẫn Si

Vì tạo ra màu sắc cho vi mạch

Vì tăng kích thước của vi mạch

Vì giảm chi phí sản xuất vi mạch

Quá trình quang khắc (a, b, c)

Quá trình khuếch tán (d)

Quá trình lặp lại (e)

Quá trình kiểm tra chất lượng

Vùng C

Vùng B

Vùng E

Vùng SiO₂

Lặp lại các quá trình quang khắc và khuếch tán

Chỉ thực hiện quá trình quang khắc

Chỉ thực hiện quá trình khuếch tán

Không cần lặp lại bất kỳ quá trình nào

Vì mỗi vùng của BJT cần được hình thành qua các bước riêng biệt

Vì chỉ một lần thực hiện là đủ

Vì các quá trình này không liên quan đến nhau

Vì BJT không cần các vùng riêng biệt

Điện trở bán dẫn, điện trở màng mỏng

Điện trở MOS, điện trở màng dày

Điện trở kim loại, điện trở MOS

Điện trở màng dày, điện trở kim loại

Kim loại - SiO₂ - Bán dẫn

Kim loại - BJT - Bán dẫn

Kim loại - JFET - Bán dẫn

Kim loại - Diode - Bán dẫn

BJT NPN, JFET, MOSFET

BJT PNP, Diode, MOSFET

JFET, Diode, BJT PNP

MOSFET, Diode, BJT NPN

BJT bằng cách nối tắt chân cực

MOSFET bằng cách nối tắt chân cực

JFET bằng cách nối tắt chân cực

Tụ điện bằng cách nối tắt chân cực

SiO₂ là chất cách điện tốt, giúp ngăn dòng điện rò rỉ giữa kim loại và bán dẫn

SiO₂ là chất dẫn điện tốt, giúp tăng hiệu suất tụ điện

SiO₂ giúp giảm kích thước tụ điện

SiO₂ giúp tăng khả năng chịu nhiệt của tụ điện

Si (N, P)

Cu (N, P)

Fe (N, P)

Al (N, P)

Phần tử tích cực và thụ động

Chỉ phần tử tích cực

Chỉ phần tử thụ động

Phần tử điện trở

Planar và Planar - Epitaxy

Laser và Plasma

Cơ khí và Hóa học

Quang học và Điện tử

Giúp tăng hiệu quả sản xuất và giảm chi phí

Làm cho vi mạch hoạt động chậm hơn

Chỉ để trang trí vi mạch

Không có ý nghĩa gì

Thủy tinh

Đồng

Nhôm

Sắt

Phương pháp bốc hơi và lắng đọng trong chân không

Phương pháp hàn nhiệt

Phương pháp ép nóng

Phương pháp in lụa

Được hàn vào mạch như những phần tử rời rạc

Được tích hợp bằng phương pháp bốc hơi

Được dán bằng keo dẫn điện

Được ép nóng vào mạch

Vì linh kiện tích cực cần được hàn vào mạch như phần tử rời rạc

Vì linh kiện tích cực dễ bị hỏng khi bốc hơi

Vì linh kiện thụ động không thể hàn vào mạch

Vì phương pháp này chỉ áp dụng cho linh kiện tích cực

Chất bán dẫn

Chất cách điện

Chất dẫn điện

Chất siêu dẫn

Phương pháp quang khắc

Phương pháp hàn nhiệt

Phương pháp ép nóng

Phương pháp in lưới

Được hàn vào mạch như những phần tử rời rạc

Được tích hợp trực tiếp bằng phương pháp quang khắc

Được dán bằng keo dẫn điện

Được ép vào mạch bằng áp suất cao

Planar, Epitaxy - Planar, bốc hơi và lắng đọng trong chân không.

Hàn sóng, in lưới, ép nhiệt.

Hàn tay, in phun, ép lạnh.

Hàn điện trở, in offset, ép nóng.

Là vi mạch số thực hiện các phép toán logic

Là vi mạch tương tự, thực hiện khuếch đại tín hiệu tương tự và thực hiện một số phép toán dựa vào mạch hồi tiếp ở bên ngoài của bộ khuếch đại thuật toán

Là vi mạch dùng để lưu trữ dữ liệu

Là vi mạch chỉ dùng trong viễn thông

Làm việc đồng đều trong toàn bộ dải tần Δf → ∞

Cân bằng lý tưởng: Uv = 0 thì Ur = 0

Hệ số khuếch đại điện áp rất lớn KU → ∞

Trở kháng ra rất lớn Rr → ∞

Mạch hồi tiếp

Nguồn điện cung cấp

Loại linh kiện sử dụng

Nhiệt độ môi trường

Trở kháng vào rất nhỏ

Trở kháng ra rất nhỏ

Hệ số khuếch đại điện áp rất nhỏ

Làm việc trong dải tần hẹp

Ur = 1

Ur = ∞

Ur = 0

Ur = -1

3 khối

4 khối

5 khối

6 khối

1 đầu vào và 2 đầu ra

2 đầu vào và 2 đầu ra

2 đầu vào và 1 đầu ra

1 đầu vào và 1 đầu ra

2 đầu ra

3 đầu ra

1 đầu ra

4 đầu ra

Khuếch đại vi sai vào/ra đối xứng

Khuếch đại mắc Emitter chung

Khuếch đại mắc Collector chung/Drain chung

Khuếch đại mắc Base chung

Vì nó có độ lợi thấp

Vì nó dễ chế tạo

Vì nó có độ lợi cao và ổn định

Vì nó chỉ dùng cho tín hiệu số

0

1

∞

100

IP = IN = 1A

IP = IN = ∞

IP = IN = 0

IP = IN = 10mA

Ud = UP - UN = 10V

Ud = UP - UN = 1V

Ud = UP - UN = 0

Ud = UP - UN = ∞

Zv = 0

Zv = 1Ω

Zv = ∞

Zv = 100Ω

Zr = ∞

Zr = 1Ω

Zr = 100Ω

Zr = 0

2V

0V

4V

-2V

Khuếch đại đảo và không đảo

Lọc thông thấp

Tạo xung vuông

Điều chế tần số

Mạch OPAMP lý tưởng

Mạch chỉnh lưu

Mạch dao động

Mạch lọc thông cao

Xử lý tín hiệu

Điều khiển động cơ

Truyền tải điện năng

Phát sóng vô tuyến

Biến đổi tín hiệu theo hàm logarit

Tăng cường tín hiệu RF

Phát hiện sóng âm

Lọc nhiễu điện từ

Trình bày các bước thiết kế mạch nhân, chia, khai căn và giải thích lý do lựa chọn từng loại mạch

Chỉ liệt kê tên các mạch

Chỉ vẽ sơ đồ mạch

Không cần giải thích lý do lựa chọn

KU = -Rf/Rin

KU = Rf/Rin

KU = 1 + Rf/Rin

KU = -1 - Rf/Rin

Vout = (1 + Rf/Rin) * Vin

Vout = -Rf/Rin * Vin

Vout = Rf/Rin * Vin

Vout = Vin

KU = 1 + Rf/Rin

KU = -Rf/Rin

KU = Rf/Rin

KU = 1 - Rf/Rin

Mạch đảo có KU âm, mạch không đảo có KU dương và lớn hơn 1

Cả hai mạch đều có KU âm

Mạch đảo có KU dương, mạch không đảo có KU âm

Cả hai mạch đều có KU dương và nhỏ hơn 1

KU tăng lên về độ lớn

KU giảm xuống về độ lớn

KU không thay đổi

KU bằng 0

A. $$V_{out} = -\frac{R_f}{R} \sum_{K=1}^{N} V_{inK}$$

B. $$V_{out} = \frac{1}{N} \left( 1 + \frac{R_f}{R} \right) \sum_{K=1}^{N} V_{inK}$$

C. $$V_{out} = R_f \sum_{K=1}^{N} V_{inK}$$

D. $$V_{out} = \frac{R}{R_f} \sum_{K=1}^{N} V_{inK}$$

A. $$V_{out} = -\frac{R_f}{R} \sum_{K=1}^{N} V_{inK}$$

B. $$V_{out} = \frac{1}{N} \left( 1 + \frac{R_f}{R} \right) \sum_{K=1}^{N} V_{inK}$$

C. $$V_{out} = R_f \sum_{K=1}^{N} V_{inK}$$

D. $$V_{out} = \frac{R}{R_f} \sum_{K=1}^{N} V_{inK}$$

A. Mạch cộng đảo đảo dấu đầu ra, mạch cộng không đảo giữ nguyên dấu đầu ra.

B. Mạch cộng đảo không sử dụng điện trở, mạch cộng không đảo sử dụng điện trở.

C. Mạch cộng đảo chỉ có một đầu vào, mạch cộng không đảo có nhiều đầu vào.

D. Mạch cộng đảo sử dụng OPAMP, mạch cộng không đảo không sử dụng OPAMP.

A. \( V_{out} = (V_{in1} + V_{in2}) \)

B. $$V_{out} = \frac{1}{2} (1 + 1) (V_{in1} + V_{in2})$$

C. \( V_{out} = 2(V_{in1} + V_{in2}) \)

D. $$V_{out} = \frac{1}{2} (V_{in1} + V_{in2})$$

$$U_R = -R_{ht}C \frac{dU_V}{dt}$$

U_R = R_{ht}C \int U_V dt

$$U_R = U_V \cdot R_{ht}$$

U_R = $$\frac{U_V}{R_{ht}C}$$

Ur = $$-\frac{1}{R_{ht}C} \int U_V dt$$

Ur = R_{ht}C $$\frac{dU_V}{dt}$$

Ur = $$U_V \cdot R_{ht}$$

Ur = $$\frac{U_V}{R_{ht}C}$$

Mạch vi phân thực hiện phép lấy đạo hàm tín hiệu vào, còn mạch tích phân thực hiện phép lấy tích phân tín hiệu vào.

Mạch vi phân khuếch đại tín hiệu, còn mạch tích phân giảm tín hiệu.

Mạch vi phân chỉ dùng điện trở, còn mạch tích phân chỉ dùng tụ điện.

Mạch vi phân dùng cho tín hiệu số, còn mạch tích phân dùng cho tín hiệu tương tự.

Các mạch logic cơ bản để thực hiện các thuật toán và các hàm logic khác nhau.

Chỉ gồm các tụ điện và điện trở.

Chỉ gồm các transistor.

Chỉ gồm các cảm biến.

Hai trạng thái: mức logic thấp/mức 0, mức logic cao/mức 1.

Ba trạng thái: thấp, trung bình, cao.

Một trạng thái duy nhất.

Bốn trạng thái khác nhau.

Để thực hiện các thuật toán và hàm logic khác nhau một cách chính xác và dễ dàng phân biệt trạng thái.

Để tiết kiệm điện năng.

Để giảm kích thước vi mạch.

Để tăng tốc độ truyền tín hiệu.

Dòng điện

Điện áp

Nhiệt độ

Tần số

+3V

+9V

+5V

+12V

Số lượng IC có thể cấp nguồn

Số nhánh có thể ghép ở đầu ra

Số lượng đầu vào tối đa

Số lượng transistor trong mạch

Vì tiêu thụ điện năng tăng

Vì mạch bị nóng lên

Vì xử lý tín hiệu phức tạp hơn

Vì điện áp giảm