Font size
WorksheetsCâu Hỏi Trắc Nghiệm Điện Tử
Total questions: 133
Worksheet time: 1hrs 24mins
Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, nĕng lượng thất thoát trong thời gian khởi dẫn là
swoffSWON tIVW.. 6 1 =
swonSWON tIVW.. 6 1 =
swonSWON tIVW.. 3 1 =
swoffSWON tIVW.. 3 1 =
Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, nĕng lượng thất thoát trong thời gian khởi ngưng là
swoffSWOFF tIVW.. 6 1 =
swonSWOFF tIVW.. 6 1 =
swonSWOFF tIVW.. 3 1 =
swoffSWOFF tIVW.. 3 1 =
Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, nĕng lượng thất thoát trong một chu kǶ giao hoán là
() swoffswonSW ttIVW+=. 3 1
() swoffswonSW ttIVW+=. 6 1
() swoffswonSW ttIVW+=. 2 1
() swoffswonSW ttIVW+=.
Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, công suất tiêu tán trong một chu kǶ giao hoán là
() fttVIP swoffswonSW+=
() fttVIP swoffswonSW+=
(fttVIP swoffswonSW+=
() fttVIP swoffswonSW+=
Công suất thất thoát tổng cộng của một diode được tính
SWOFFONT PPPP++= T t IVP on FFT =
T t IVP off RRT =
fttIVP swoffswonFFT)( maxmax +=
Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả nĕng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế
Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh
Transistor có cấu
bán dẫn có khả nĕng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế (D)
Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh
Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát
Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ
Các câu a, b, c đều đúng
Phát biểu nào sau đây thì đúng về đặc tính của transistor (BJT) công suất (D)
Ěộ lợi dòng nhỏ còn tuǶ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng nhỏ
Ěộ lợi dòng lớn còn tuǶ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng lớn
Ngoài hiện tượng huỷ thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng huỷ thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn
Các câu a và c thì đúng
Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) dẫn bảo hoà sẽ là (A)
Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) ngưng dẫn và dòng rỉ rất bé công thức nào sau đây là chính xác nhất (B)
Nĕng lượng thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là (B)
() swoffswonCMCEMSW ttIVW+=.
() swoffswonCMCEMSW ttIVW+=.
() swoffswonCMCEMSW ttIVW+=.
() swoffswonCMCEMSW ttIVW+=.
Công suất thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là (C)
Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất (B)
Có cấu trúc xen kẻ của các tiếp giáp np để cấp dòng lớn
Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là Vmosfet để cấp
Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất (B)
Có cấu trúc xen kẻ của các tiếp giáp np để cấp dòng lớn
Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là Vmosfet để cấp dòng lớn
Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn
Các câu a, b, c đều đúng
Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất (D)
Điện trở giửa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục Ωm)
Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGS cở vài chục volt
Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (>100kHz)
Tất cả các câu a, b, c đều đúng
Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất (C)
Tần số làm việc thấp so với BJT công suất
Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất
Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT công suất
Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất
Công suất tổn hao của mosfet công suất khi dẫn sẽ là (B)
TtRIPoffDSonDON2=
TtRIPonDSonDON2=
TtIVPonDRDSONmax=
TtIVPoffDRDSONmax=
Công suất tổn hao của mosfet công suất ngưng dẫn sẽ là (D)
TtRIPoffDSonDOFF2=
TtRIPonDSonDOFF2=
TtIVPonDRDSOFFmax=
TtIVPoffDRDSOFFmax=
Năng lượng tổn hao của mosfet công suất sẽ là (B)
(swoffswonDDSSWttIVW+=.3 1 max)
()swoffswonDDSSWttIVW+=.6 1 max
(swoffswonDDSSWttIVW+=.2 1 max)
()swoffswonDDSSWttIVW+=.max
Công suất tổn hao của mosfet công suất trong thời gian giao hoán là (C)
SWONOFFONSWPPPP++=
SWOFFONSWWPPP++=
()fWWPSWoffSWonSW+=
()fWPPPSWOFFONSW++=
Công suất tổn hao tổng cộng của mosfet công suất là (A)
SWOFFONTPPPP++=
TtIVPonDDST=
TtIVPoffDCDT=
f)tt(IVPswoffswonDmaxDST+=
Công suất tổn hao tổng cộng của mosfet công suất là (A)
Triac có bao nhiêu cách kích dẫn (D)
một cách
hai cách
ba cách
bốn cách
Phát biểu nào sau đây đúng trong và thuận lợi trong việc kích dẫn triac (A)
Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm
Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm
Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm
Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm
Phát biểu nào sau đây thì đúng cho cách kích triac (B)
Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện DC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện AC
Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC
Vì triac dẫn chỉ một chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC
Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng DC thì thông dụng hơn bằng xung
Phát biểu nào đúng cho SCS (silicon controlled switch) (C)
Có cấu tạo giống như SCR nhưng cực G kích xung âm để điều khiển đóng
Có cấu tạo giống như GTO nhưng cực G kích xung dương để điều khiển đóng
Có cấu tạo giống như SCR nhưng có hai cực G kích xung âm và xung dương để điều khiển đóng hoặc ngắt
Các phát biểu trên đều đúng
Phát biểu nào đúng cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (silicon controlled switch) (C)
Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V AK âm và cho xung kích đi vào cực G K, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G A
Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V AK dương và cho xung kíc
Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK âm và cho xung kích đi vào cực GK, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GA
Phát biểu nào sau đây đúng cho GTO (gate turn off SCR)
GTO có cấu tạo giống như SCS, nhưng không có cực GA
GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc song song với cực điều khiển đóng
GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc đối diện với cực điều khiển đóng
Các phát biểu trên đều sai
Mạch bảo vệ GTO hình vẽ có nhiệm vụ
Hạn chế tốc độ tĕng thế dv/dt khi đóng GTO
Hạn chế tốc độ tĕng thế dv/dt khi ngắt GTO
Hạn chế tốc độ tĕng dòng di/dt khi đóng GTO
Hạn chế tốc độ tĕng dòng di/dt khi ngắt GTO
Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)
IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet
IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet
IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet
IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet
Phát biểu nào sau đây đúng với đặc tính của IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)(D)
Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW)
Tần số làm việc cao (vài kHz)
Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15 sμ)
Các phát biểu trên đều đúng
Trong các linh kiện sau đây loại nào không phải là linh kiện công suất.
BJT
TRIAC
UJT
JFET
Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả nĕng điều khiển công suất.
MOSFET
TRIAC
THYIRSTOR
DIAC
Linh kiện nào sau đây là SCR.
c
d
b
a
Linh kiện nào sau đây là TRIAC.
c
d
b
a
Linh kiện nào sau đây là GTO.
4
bacd
Linh kiện công suất là linh kiện có:
Có hình dạng và kích thước lớn
Dễ ghép với nhôm tản nhiệt.
Làm việc với dòng lớn, áp lớn
Cả a, b, c
Mạch điều khiển công suất cần làm việc với điện áp lớn cần sử dụng.
SCR
FET
Diode
Cả a, b, c đều đúng.
Cấu tạo TRIAC có số mối nối P-N :
3
4
5
6
Cấu tạo SCR có số lớp chất bán dẫn là:
3
4
5
6
Diode công suất ở trạng thái dẫn có điện áp VAK là:
Diode công suất ở trạng thái dẫn có điện áp VAK là:
0,2 V
0,3 V
0,6 V
Lớn hơn 0,8 V
SCR được phân cực thuận và kích bằng xung có độ rộng 1μs thì:
Chuyển sang trạng thái dẫn
Có thể dẫn nếu xung có biên độ lớn
Không dẫn.
Tất cả đều sai
Để SCR chuyển từ trạng thái ngưng dẫn sang dẫn hoàn toàn sau khi được phân cực thuận và được kích dẫn còn phải:
Duy trì tín hiệu kích
Điện áp phân cực phải được tăng
Dòng IA đủ lớn
Không cần thêm điều kiện nào.
Trong các loại linh kiện sau đây loại nào không phải là loại công suất:
UJT
JFET
BJT
MOSFET
Transistor công suất thường được sử dụng trong các mạch:
Như các công tắc đóng ngắt các mạch điện
Mạch công suất lớn
Mạch chịu nhiệt độ cao
Mạch công suất có tần số cao
SCR sẽ bị đánh thủng khi:
Dòng kích cực cổng cực đại.
Điện áp đặt trên anode-cathode là âm.
Điện áp đặt trên anode-cathode là dương.
Điện áp đặt trên anode-cathode là âm hơn giá trị điện áp ngược cực đại.
Các phần tử bán dẫn công suất sử dụng trong các mạch công suất có đặc tính chung là:
Khi mở cho dòng chảy qua thì có điện trở tương đương lớn, khi khóa thì điện trở tương đương nhỏ.
Khi mở cho dòng chảy qua hay khi khóa thì điện trở tương đương không thay đổi.
Khi mở cho dòng chảy qua thì có điện trở tương đương nhỏ, khi khóa thì điện trở tương đương lớn.
Tất cả đều sai.
Dòng điện rò:
Dòng điện rò (d):
Có giá trị rất nhỏ, vài μA.
Có giá trị nhỏ, vài mA.
Là dòng điện chảy qua phần tử khi phần tử phân cực thuận, có giá trị nhỏ, vài A.
Là dòng điện chảy qua phần tử khi phần tử phân cực nghịch, có giá trị nhỏ, vài mA.
Diode là phần tử bán dẫn công suất cấu tạo bởi (a):
1 lớp tiếp giáp p-n
3 lớp tiếp giáp p-n
2 lớp tiếp giáp p-n
5 lớp tiếp giáp p-n
Ěiện trường nội E trong diode (b):
Có chiều hướng từ vùng p sang vùng n.
Có chiều hướng từ vùng n sang vùng p.
Có chiều phụ thuộc vào phân cực thuận hay phân cực nghịch.
Tất cả đều sai.
Diode dẫn dòng điện từ anode sang cathode khi (b):
Phân cực ngược.
Phân cực thuận.
Ěiện trở tương đương của diode lớn.
Cực dương của nguồn nối với cathode, cực âm của nguồn nối với anode.
SCR cấu tạo từ (a):
4 lớp bán dẫn.
5 lớp bán dẫn.
2 lớp bán dẫn.
3 lớp bán dẫn.
Tín hiệu điều khiển SCR (a):
Là 1 xung dương.
Là 1 xung âm.
Là 1 xung bất kǶ.
Là 1 xung dương có độ rộng định trước.
Dòng điều khiển mở SCR (b):
Ěi ra khỏi cực điều khiển.
Ěi vào cực điều khiển.
Nhỏ hơn giá trị dòng điện nhỏ nhất.
Lớn hơn giá trị dòng điện chảy qua SCR.
Ěể SCR dẫn ta: (c)
Chỉ cần điện áp phân cực thuận lớn hơn 0 volt.
Kích vào cực G, điện áp phân cực không quan trọng.
Phải đảm bảo có tín hiệu kích và điện áp phân cực.
Có tín hiệu kích âm và điện áp phân cực dương.
Khi dòng điều khiển I_G = 0: (b)
SCR không dẫn.
SCR sẽ dẫn cưỡng ép khi U_AK > U_thuận max
SCR sẽ bị đánh thủng khi U_AK > U_thuận max
Ěiện trở tương đương của
Khi dòng điều khiển I G = 0: (b)
SCR không dẫn.
SCR sẽ dẫn cưỡng ép khi U AK > U thuận max
SCR sẽ bị đánh thủng khi U AK > U thuận max
Điện trở tương đương của SCR rất nhỏ.
Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng (c):
Dòng qua anode – cathode SCR nhỏ hơn giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếp tục.
Dòng qua anode – cathode SCR bằng giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếp tục.
Dòng qua anode – cathode SCR lớn hơn giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếp tục.
Tất cả đều sai.
Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng (d):
Kích 1 xung dương vào cực điều khiển để SCR ngưng dẫn.
Kích 1 xung âm vào cực điều khiển để SCR ngưng dẫn.
Kích 1 xung dương vào cực điều khiển để SCR dẫn tiếp tục.
Xung kích mất tác dụng điều khiển.
Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng, để SCR ngưng dẫn (c):
Giảm dòng anode – cathode về dưới mức dòng duy trì.
Đảo chiều điện áp trên anode – cathode ngay lập tức.
Giảm dòng anode – cathode về dưới mức dòng duy trì hoặc đặt điện áp ngược lên SCR sau 1 thời gian phục hồi.
Tất cả đều sai.
Đặc tính Volt – Ampe của Triac bao gồm (d):
2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 1 và thứ 3.
2 đoạn đặc tính đối xứng qua gốc tọa độ.
2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 2 và thứ 4.
2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 1 và thứ 3 và đối xứng nhau qua gốc tọa độ.
Triac là linh kiện bán dẫn có khả năng (a):
Dẫn dòng theo cả 2 chiều.
Ứng dụng trong mạch công suất điều chỉnh điện áp DC.
Tương đương với 2 SCR đấu song song.
Tương đương với 2 SCR đấu ngược chiều nhau.
Nguyên tắc hoạt động của triac thì: (b)
Giống như 2 diode ghép song song.
Giống như 2 SCR ghép song song nhưng ngược chiều nhau.
Giống như 2 SCR ghép song song.
Giống như 1 SCR.
Triac (c):
Triac (c):
Điều khiển mở dẫn dòng bằng xung dương.
Điều khiển mở dẫn dòng bằng xung âm.
Điều khiển mở dẫn dòng bằng cả xung dương và xung âm.
Điều khiển mở dẫn dòng bằng 1 xung dương và 1 xung âm liên tiếp.
SCR là phần tử (c):
Điều khiển hoàn toàn.
Có thể điều khiển khóa bằng cực điều khiển.
Điều khiển không hoàn toàn.
Có thể điều khiển mở và khóa bằng cực điều khiển
Để có dòng điện chảy qua SCR thì (d):
Điện áp anode phải dương so với cathode.
Điện áp anode phải âm so với cathode.
Cần có tín hiệu kích cho cực cổng.
Cả a và c
Cực cổng của SCR dùng để (a):
Làm cho SCR dẫn.
Làm cho SCR tắt.
Điều khiển dòng điện qua SCR.
Điều khiển điện áp trên cathode.
SCR dùng trong mạch điều khiển pha có thể nhận nhiều xung trong một chu kỳ. Với xung đầu tiên mở SCR, và xung thứ 2 để (d):
Mở tải.
Tắt SCR.
Tăng dòng điện chảy qua SCR.
Không có ảnh hưởng gì.
Trong mạch SCR điều khiển pha toàn kỳ khi góc kích tăng từ 0 lên 90 độ thì điện áp chỉnh lưu trung bình trên tải sẽ (d):
Không đổi.
Tăng rất ít.
Giảm rất ít.
Giảm xuống zero.
Khi đã được kích, dòng điện qua triac sẽ (d):
Xuất hiện khi điện áp anode 2 là âm so với anode 1.
Xuất hiện khi có tín hiệu cổng.
Xuất hiện khi điện áp anode 2 là dương so với anode 1.
Cả a và c.
SCR sẽ bị đánh thủng khi (d):
Dòng kích cực cổng cực đại.
Điện áp đặt trên anode-cathode là âm.
Điện áp đặt trên anode-cathode là dương.
Điện áp đặt trên anode-cathode là âm hơn giá trị điện áp ngược cực đại.
Diac là linh kiện tương đương của (c):
(a)
Diac là linh kiện tương đương của (c):
Hai SCR mắc song song ngược chiều nhau.
Hai SCR mắc nối tiếp ngược chiều nhau.
Hai diode mắc song song ngược chiều nhau.
Hai diode mắc nối tiếp ngược chiều nhau.
Nguồn áp xoay chiều dạng sin tsinv iac π1002220= [V] mắc nối tiếp với một tải điện trở Ω=2R và một diode lý tưởng như hình vẽ. Dòng trung bình qua diode lấy gần đúng là (B)
59 [A]
49 [A]
70 [A]
99 [A]
Mạch chỉnh lưu bán kǶ bằng diode như hình vẽ, với tsinv iac π1002220= [V] mạch có tần số xung ra: (a)
Bằng tần số nguồn vào
Gấp 2 lần tần số nguồn vào
Gấp 3 lần tần số nguồn vào
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình vẽ tải R, diode D1 sẽ dẫn ở các thời điểm. (d)
0 đến π
π đến 2π
2kπ đến (2k+1)π
(2k+1)π đến 2(k+1)π
Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D1 sẽ dẫn ở các thời điểm (c).
0 đến π
π đến 2π
2kπ đến (2k+1)π
(2k+1)π đến 2π
Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D1 sẽ dẫn ở các thời điểm. (d)
0 đến π
2kπ đến (2k+1)π
(2k+1)π đến 2π(k+1)
Phụ thuộc vào L
Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D1 sẽ dẫn ở các thời điểm. (b)
0 đến π
2kπ đến (2k+1)π
(2k+1)π đến 2π(k+1)
Các câu a, b, c đều sai
Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D1 sẽ dẫn ở các thời điểm. (d)
0 đến π
2kπ đến (2k+1)π
(2k+1)π đến 2π(k+1)
Các câu a, b, c đều sai
Trong sơ đồ hình sau điện áp trung bình trên tải R là: (c)
π2 M AV V V=
π M AV V V=
π M AV V=
Trong sơ đồ hình sau điện áp trung bình trên tải R là:
π2
π
π
πα2cosV
Trong sơ đồ hình sau, tần số xung ở tải sẽ là:
Bằng tần số nguồn vào
Gấp 2 lần tần số nguồn vào
Gấp 3 lần tần số nguồn vào
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau nếu có điện áp vào U = 150 (V) , tải R = 10Ω thì điện áp ra trên tải là :(lấy gần đúng )
15 V
100 V
135V
175 V
Trong sơ đồ hình sau nếu có điện áp vào U m = 150 (V) , tải R = 10 thì điện áp ngược cực đại trên diode là:(lấy gần đúng )
424 V
300 V
212
150 V
Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D2 dẫn trong các thời điểm
0 đến π
π đến 2π
2kπ đến (2k+1)π
(2k+1)π đến 2π(k+1)
Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D1 dẫn trong các thời điểm
0 đến π
π đến 2π
2kπ đến (2k+1)π
(2k+1)π đến 2π(k+1)
Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D2 dẫn trong các thời điểm
0 đến π
π đến 2π
2kπ đến (2k+1)π
(2k+1)π đến 2π(k+1)
Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D1 dẫn trong các thời điểm
Phụ thuộc vào R
Phụ thuộc vào E
2kπ đến (2k+1)π
(2k+1)π đến 2π(k+1)
Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D2 dẫn trong các thời điểm
Phụ thuộc vào L
Phụ thuộc vào R
2kπ đến (2k+1)π
(2k+1)π đến 2π(k+1)
Trong sơ đồ hình sau dòng qua D1 và D2:
I D1 = I D2
I D1 > I D2
I D1 < I D2
Phụ thuộc vào tải
Trong sơ đồ hình sau, để chọn diode cho mạch ta dựa vào:
Dựa vào điện áp nguồn
U Rmax, I Dmax
Dựa vào tải
Tất cả đều đúng
Trong sơ đồ hình sau điện áp ngược trên mỗi diode là:
MRMSCR VV=
MRMSCR VV2=
π V V RMSCR 22=
π V V RMSCR 2=
Trong sơ đồ hình sau điện áp trung bình trên tải là:
π2 M AV V V=
π M AV V V=
π M AV V V 2=
π α 2 cosV V M AV=
Trong sơ đồ hình sau có tần số xung ra:
Bằng tần số xung xoay chiều
Gấp 2 lần tần số xung vào
Cấp 3 lần tần số xung vào
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau dòng qua D1:
Id1 = Id2
Id1 = Id4
Id1 = Id3
Tất cả đều đúng
Trong sơ đồ hình sau nếu có điện áp vào U m = 150 (V) , tải R = 10Ω thì điện áp ngược cực đại trên diode là :(lấy giá trị gần đúng)
150 V
212 V
300 V
424 V
Trong sơ đồ hình sau nếu có điện áp vào U m = 150 (V) , tải R = 10Ω thì dòng qua mỗi diode là :(lấy gần đúng)
6,75 A
10 A
13,5 A
4.77A
Trong sơ đồ hình sau diode D1 dẫn cùng lúc với:
D2
D3
D4
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau diode D2 dẫn cùng lúc với:
Trong sơ đồ hình sau diode D1 dẫn cùng lúc với:
D2
D3
D4
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau diode D2 dẫn cùng lúc với:
D2
D3
D4
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau các cặp diode dẫn cùng lúc là:
D1 và D2 , D3 và D4
D1 và D3 , D2 và D4
D1 và D4 , D2 và D3
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D3 dẫn trong các thời điểm:
0 đến π
π đến 2π
2kπ đến (2k+1)π
(2k+1)π đến 2π (k+1)
Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D4 dẫn trong các thời điểm:
0 đến π
π đến 2π
2kπ đến (2k+1)π
(2k+1)π đến 2π (k+1)
Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D1 dẫn trong các thời điểm:
Phụ thuộc vào R
Phụ thuộc vào E
2kπ đến (2k+1)π
(2k+1)π đến 2π (k+1)
Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D2 dẫn trong các thời điểm:
2kπ + π/3 đến 2kπ + 2π/3
2kπ + 2π/3 đến 2kπ + π
2kπ + π đến (2k+1)π + 4π/3
2kπ + 4π/3 đến (2k+1)π + 5π/3
Trong sơ đồ hình sau diode D1 dẫn cùng lúc với:
D3
D4
D6
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau , trong khoảng π/6 < t < π/2 diode D1 dẫn cùng lúc với:
D4
D5
D6
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau, trong khoảng π/2 < t < 5π/6 diode D1 dẫn cùng lúc với:
D4
D5
D2
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau , trong khoảng 5π/6 < t < 7π/6 diode D3 dẫn cùng lúc với:
Trong sơ đồ hình sau , trong khoảng 5π/6 < t < 7π/6 diode D3 dẫn cùng lúc với:
D4
D5
D2
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau , trong khoảng 7π/6 < t < 3π/2 diode D3 dẫn cùng lúc với:
D4
D5
D6
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau , trong khoảng 3π/2 < t < 11π/6 diode D5 dẫn cùng lúc với:
D4
D5
D6
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau , trong khoảng 11π/6 < t < 13π/6 diode D5 dẫn cùng lúc:
D4
D6
D5
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau , trong khoảng 9π/6< t < 11π/6 diode D4 dẫn cùng lúc với:
D1
D3
D5
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau, trong khoảng 11π/6 < t < 13π/6 diode D6 dẫn cùng lúc:
D1
D2
D5
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau , trong khoảng 5π/6 < t < 7π/6 diode D2 dẫn cùng lúc với:
D1
D3
D5
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau, các cặp diode dẫn cùng lúc là:
D1 và D2 , D6 và D4
D1 và D5 , D3 và D4
D1 và D6 , D3 và D5
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau ,tải R dòng trung bình qua diode có giá trị:
R = V/I
I phụ thuộc vào điện áp điện áp nguồn
R = V/I
I phụ thuộc vào tải
Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D4 dẫn trong các thời điểm:
Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D4 dẫn trong các thời điểm (b)
Phụ thuộc giá trị vào R
Phụ thuộc giá trị vào E
Dẫn từ 2k π + θ đến (2k+1) π -2 θ
Dẫn từ (2k+1) π đến 2(k+1) π
Trong sơ đồ hình sau điện áp ngược cực đại đặt lên mỗi diode là: (a)
MRMDIODE VV=
MRMDIODE VV2=
π M RMDIODE V V 22=
π M RMDIODE V V 2=
Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D3 dẫn trong các thời điểm (d)
0 đến π
π đến 2 π
2k π đến (2k+1) π
(2k+1) π đến 2 π (k+1)
Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D4 dẫn trong các thời điểm (c)
0 đến π
π đến 2 π
2k π đến (2k+1) π
(2k+1) π đến 2 π (k+1)
Trong sơ đồ hình sau điện áp trung bình trên tải R là: (c)
π2 63 M AV V V=
π M AV V V 63=
π2 33 M AV V V=
π M AV V V 33=
Trong sơ đồ hình sau có tần số xung ra (d)
Bằng tần số xung xoay chiều
Gấp 2 lần tần số xung vào
Gấp 3 lần tần số xung vào
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau điện áp ngược trên mỗi diode là:(d)
MRMDIODE VV=
MRMDIODE VV2=
π2 33 M RMDIODE V V=
Tất cả đều sai
Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D2 dẫn trong các thời điểm (b)
2k π + π/6 đến 2k π + 5 π/6
2k π +5 π/6 đến 2k π + 3 π/2
2k π +3 π/
