wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Hóa nano chương 2 tổng hợp từ trên xuống

Total questions: 98

Worksheet time: 49mins

Name
Class
Date
1.

Nguyên lý chính của nghiền cơ học là:

a)

Phản ứng hóa học

b)

Va đập, ép nén và mài mòn

c)

Sóng siêu âm

d)

Từ trường

2.

Kích thước hạt nano thường thu được trong phương pháp nghiền cơ học là:

a)

1–100 μm

b)

1–100 nm

c)

>1 mm

d)

>100 μm

3.

Quá trình nghiền cơ học diễn ra theo thứ tự:

a)

Bay hơi – ngưng tụ – kết tinh

b)

Đập vỡ – biến dạng dẻo – nứt vỡ – cân bằng

c)

Hấp phụ – giải hấp – tái kết tụ

d)

Kết tinh – oxy hóa – hợp kim hóa

4.

Máy nghiền hiệu quả nhất để tạo hạt vài nm:

a)

Ball mill

b)

Planetary ball mill

c)

Mortar mill

d)

Hammer mill

5.

Vai trò của khí trơ (Ar, N₂) trong nghiền cơ học:

a)

Tăng tốc độ quay

b)

Ngăn oxy hóa vật liệu nhạy

c)

Tăng nhiệt độ

d)

Giảm năng lượng va đập

6.

Trong phương pháp nghiền cơ học dùng bi gốm thay bi thép để:

a)

Làm hạt nhỏ hơn

b)

Tránh nhiễm Fe

c)

Giảm chi phí

d)

Tăng nhiệt độ

7.

Tác dụng của chất trợ nghiền:

a)

Gây kết tụ

b)

Giúp phân tán, giảm dính kết

c)

Giảm năng lượng va chạm

d)

Làm tăng kích thước hạt

8.

Ưu điểm nổi bật của nghiền cơ học là gì?

a)

Thiết bị đơn giản, dễ mở rộng

b)

Không gây nhiễm tạp

c)

Tạo kích thước đồng đều tuyệt đối

d)

Không sinh nhiệt

9.

Nhược điểm chính của nghiền cơ học là gì?

a)

Thiết bị đơn giản, dễ mở rộng

b)

Không tạo hạt nano

c)

Dễ nhiễm tạp và không đồng đều

d)

Không mở rộng quy mô

10.

Ứng dụng của nghiền cơ học trong pin Li-ion là gì?

a)

Sol–gel

b)

Nghiền cơ học tạo nano Si từ Si khối

c)

Phun phủ

d)

CVD

11.

Khi tỉ lệ bi/vật liệu tăng, hiệu quả của quá trình nghiền cơ học sẽ như thế nào?

a)

Hiệu quả giảm

b)

Hiệu quả tăng

c)

Không đổi

d)

Gây kết tụ

12.

Nghiền quá lâu dẫn đến hậu quả gì?

a)

Kết tụ và nhiễm bẩn

b)

Hạt đồng đều hơn

c)

Nano <1 nm

d)

Không thay đổi

13.

Vật liệu nào không thích hợp để nghiền cơ học?

a)

Gốm

b)

Kim loại

c)

Dễ phân huỷ hoặc mềm

d)

Hợp kim

14.

Ứng dụng của nghiền cơ học trong y sinh là gì?

a)

Nano hydroxyapatite cho cấy ghép xương

b)

CNT

c)

Graphene

d)

OLED

15.

Phản ứng xảy ra trong nghiền gọi là:

a)

Hydrothermal

b)

Cơ–hóa (mechanochemical)

c)

Sol–gel

d)

CVD

16.

Hạt nano dễ kết tụ vì:

a)

Năng lượng bề mặt cao

b)

Nhiệt độ thấp

c)

Không có lực hút

d)

Không có lực bề mặt

17.

Hiệu suất nghiền phụ thuộc nhiều vào:

a)

Nhiệt độ phòng

b)

Tốc độ quay, thời gian, tỉ lệ bi

c)

Màu vật liệu

d)

Độ dẫn điện

18.

Cơ chế chính của phương pháp kéo sợi điện (Electrospinning):

a)

Từ trường cao

b)

Trường điện cao áp kéo dung dịch polymer thành sợi

c)

Bay hơi hóa học

d)

Phản ứng nhiệt

19.

Trong phương pháp kéo sợi điện (Electrospinning) đường kính sợi thường đạt:

a)

1–10 μm

b)

10–500 nm

c)

>1 mm

d)

>100 μm

20.

Trong phương pháp kéo sợi điện (Electrospinning) hình nón dung dịch tại đầu kim gọi là:

a)

Nón Faraday

b)

Nón Taylor

c)

Nón Kelvin

d)

Nón Pascal

21.

Trong phương pháp kéo sợi điện (Electrospinning) dung dịch polymer phun ra dưới dạng:

a)

Giọt

b)

Tia mảnh (jet)

c)

Bong bóng

d)

Hơi nước

22.

Thông số ảnh hưởng trực tiếp đến phương pháp kéo sợi điện (Electrospnning):

a)

Màu polymer

b)

Nồng độ, điện áp, khoảng cách kim–collector

c)

Nhiệt độ môi trường

d)

Loại khí

23.

Trong phương pháp kéo sợi điện (Electrospnning) khi điện áp quá thấp:

a)

Không phun được sợi

b)

Sợi nhỏ hơn

c)

Sợi rỗng

d)

Polymer kết tủa

24.

Trong phương pháp kéo sợi điện (Electrospnning) khi tăng điện áp sẽ:

a)

Làm sợi mảnh hơn

b)

Làm sợi dày hơn

c)

Không ảnh hưởng

d)

Ngừng phun

25.

Trong phương pháp kéo sợi điện (Electrospnning) thì kỹ thuật Coaxial electrospinning tạo:

a)

Sợi đặc

b)

Sợi lõi–vỏ

c)

Sợi rỗng

d)

Sợi phân nhánh

26.

Trong phương pháp kéo sợi điện (Electrospnning) thì kỹ thuật Melt electrospinning sử dụng:

a)

Polymer nóng chảy

b)

Polymer pha khí

c)

Polymer đông lạnh

d)

Polymer rắn

27.

Trong phương pháp kéo sợi điện (Electrospnning) thì kỹ thuật Electroblowing kết hợp:

a)

Điện trường + gió thổi

b)

Plasma + từ trường

c)

Laser + nhiệt

d)

Hóa học + cơ học

28.

Ưu điểm chính của phương pháp kéo sợi điện (Electrospnning) thì kỹ thuật:

a)

Tạo sợi siêu mảnh, diện tích bề mặt lớn

b)

Không cần điện áp

c)

Không cần dung môi

d)

Không cần polymer

29.

Nhược điểm chính của phương pháp kéo sợi điện (Electrospinning) thì kỹ thuật:

a)

Chỉ dùng với kim loại

b)

Cần polymer hòa tan và dẫn điện được

c)

Không tạo sợi dài

d)

Không ổn định

30.

Trong phương pháp kéo sợi điện (Electrospinning) thì dung môi phổ biến cho polymer PVA là:

a)

DMF

b)

Nước, ethanol

c)

Chloroform

d)

Axit acetic

31.

Trong phương pháp kéo sợi điện (Electrospinning) thì dung môi phổ biến cho polymer PAN là:

a)

DMF, DMSO

b)

Nước

c)

HCl

d)

Acetone

32.

Trong phương pháp kéo sợi điện (Electrospinning) thì dung môi cho polymer PCL:

a)

Chloroform + acetone

b)

Nước

c)

Axit acetic

d)

DMF

33.

Trong phương pháp kéo sợi điện (Electrospinning) khi nồng độ polymer quá cao:

a)

Không phun được sợi

b)

Sợi mảnh hơn

c)

Bay hơi nhanh

d)

Sợi gãy

34.

Trong phương pháp kéo sợi điện (Electrospinning) thì khoảng cách kim–collector quá ngắn gây:

a)

Sợi không khô, bị dính

b)

Sợi rỗng

c)

Bề mặt xốp

d)

Sợi gãy

35.

Ứng dụng của phương pháp kéo sợi điện (Electrospinning) trong y sinh:

a)

Băng vết thương, màng dẫn thuốc

b)

OLED

c)

Fullerene

d)

Sợi quang học

36.

Ứng dụng của phương pháp kéo sợi điện (Electrospinning) trong năng lượng là gì?

a)

Sợi TiO₂, CNT cho điện cực pin

b)

Graphene

c)

OLED

d)

Fullerene

37.

Ứng dụng của phương pháp kéo sợi điện (Electrospinning) trong xử lý nước là gì?

a)

Màng lọc nano

b)

Hạt hấp phụ

c)

Lõi từ

d)

Chất xúc tác

38.

Lithography là kỹ thuật dựa trên nguyên lý gì?

a)

Bay hơi nhiệt

b)

Ăn mòn và khắc mẫu bằng chùm bức xạ

c)

Kết tủa hóa học

d)

Hòa tan dung môi

39.

Lithography thường được sử dụng trong chế tạo gì?

a)

Vật liệu composite

b)

Vi mạch bán dẫn, vi điện tử

c)

Bê tông nano

d)

Vật liệu gốm

40.

Loại quang khắc phổ biến nhất hiện nay trong công nghiệp bán dẫn là gì?

a)

Photolithography

b)

Electron-beam lithography (EBL)

c)

Nanoimprint lithography

d)

Soft lithography

41.

Photolithography sử dụng nguồn bức xạ nào?

a)

Tia UV

b)

Tia X

c)

Electron

d)

Ion

42.

Vật liệu chính phủ trên bề mặt nền trong lithography gọi là gì?

a)

Mask

b)

Photoresist

c)

Substrate

d)

Polymer

43.

Photoresist dương (positive resist) có tính chất nào sau đây?

a)

Vùng chiếu sáng bị cứng lại

b)

Vùng chiếu sáng bị hòa tan dễ dàng

c)

Không thay đổi

d)

Bị ăn mòn hoàn toàn

44.

Photoresist âm (negative resist) có đặc điểm gì?

a)

Vùng chiếu sáng bị phá hủy

b)

Vùng chiếu sáng bền và khó hòa tan hơn

c)

Không ảnh hưởng

d)

Vùng tối bị mất

45.

Giới hạn độ phân giải của photolithography phụ thuộc nhiều vào yếu tố nào?

a)

Kích thước mask

b)

Bước sóng ánh sáng

c)

Thời gian chiếu sáng

d)

Độ dày nền

46.

Ưu điểm chính của Electron-beam lithography (EBL) là gì?

a)

Độ phân giải siêu cao (cỡ vài nm)

b)

Tốc độ chế tạo nhanh

c)

Rẻ tiền

d)

Dễ thực hiện trên diện rộng

47.

Nhược điểm chính của Electron-beam lithography (EBL) là gì?

a)

Độ phân giải thấp

b)

Tốc độ chậm và chi phí cao

c)

Không dùng được cho vi mạch

d)

Không cần chân không

48.

Ion-beam lithography (IBL) khác Electron-beam lithography (EBL) ở điểm nào?

a)

Sử dụng chùm ion thay vì electron

b)

Dùng ánh sáng UV

c)

Dùng mask cứng

d)

Không dùng chân không

49.

Ứng dụng chính của Ion-beam lithography (IBL) là gì?

a)

Khắc trực tiếp các lớp màng cứng

b)

Tạo chấm lượng tử

c)

Sản xuất pin mặt trời

d)

Tạo vi mạch điện tử

50.

Nanoimprint lithography (NIL) dựa trên cơ chế nào?

a)

Nén khuôn cứng (stamp) vào lớp polymer mềm

b)

Chiếu tia UV

c)

Khắc plasma

d)

Bay hơi nhiệt

51.

Ưu điểm chính của Nanoimprint lithography (NIL) là gì?

a)

Chi phí thấp, tốc độ nhanh

b)

Độ phân giải thấp

c)

Không chính xác

d)

Không dùng được với polymer

52.

Soft lithography sử dụng loại khuôn nào?

a)

Thủy tinh

b)

Kim loại

c)

Polymer mềm (PDMS)

d)

Ceramic

53.

Ứng dụng chính của soft lithography là gì?

a)

Tạo mẫu vi lưu (microfluidics)

b)

Sản xuất chip CPU

c)

Pin mặt trời

d)

Composite nano

54.

Quá trình “developing” trong lithography là gì?

a)

Bước chiếu sáng

b)

Bước hòa tan phần photoresist cần loại bỏ

c)

Bước khắc plasma

d)

Bước phủ nền

55.

Quá trình “etching” trong lithography nhằm mục đích gì?

a)

Hòa tan resist

b)

Ăn mòn nền theo mẫu

c)

Phủ lớp dẫn điện

d)

Đo độ dày màng

56.

“Lift-off process” dùng trong lithography để làm gì?

a)

Tạo mẫu bằng cách loại bỏ resist sau khi phủ kim loại

b)

Khắc plasma

c)

Chiếu xạ electron

d)

Đo độ dày màng

57.

EUV lithography sử dụng ánh sáng có bước sóng khoảng:

a)

193 nm

b)

13.5 nm

c)

100 nm

d)

400 nm

58.

EUV lithography được ứng dụng trong:

a)

Chế tạo chip bán dẫn thế hệ 5 nm, 3 nm

b)

Composite polymer

c)

Nano sợi carbon

d)

OLED

59.

Một ưu điểm của lithography so với các phương pháp khác là:

a)

Độ chính xác mẫu cực cao

b)

Chi phí thấp

c)

Không cần thiết bị quang học

d)

Dễ thực hiện ở nhà máy nhỏ

60.

Lithography KHÔNG phù hợp để:

a)

Chế tạo vi mạch

b)

Tạo mẫu diện tích cực lớn giá rẻ

c)

Làm transistor nano

d)

Vi lưu sinh học

61.

Quang khắc (photolithography) giới hạn bởi:

a)

Bước sóng ánh sáng

b)

Loại kim loại phủ

c)

Độ dày wafer

d)

Thời gian xử lý

62.

Phương pháp lithography nào có thể dùng cho bề mặt cong, linh hoạt?

a)

Soft lithography

b)

Photolithography

c)

E-beam lithography

d)

Ion-beam lithography

63.

Lithography quan trọng trong ngành:

a)

Điện tử – vi mạch

b)

Hóa học xanh

c)

Vật liệu xây dựng

64.

Phun phủ (sputtering) là quá trình gì?

a)

Nung chảy vật liệu rồi đổ khuôn

b)

Bay hơi bằng laser

c)

Bắn phá bề mặt bia bởi ion năng lượng cao để phóng ra nguyên tử và lắng đọng trên nền

d)

Hòa tan vật liệu trong dung dịch rồi kết tủa

65.

Ion nào thường được dùng trong phun phủ (sputtering)?

a)

H₂⁺

b)

Ar⁺

c)

O₂⁻

d)

N₂⁺

66.

Quá trình sputtering diễn ra trong môi trường:

a)

Chân không hoặc khí trơ

b)

Không khí

c)

Dung dịch nước

d)

Plasma kim loại lỏng

67.

DC sputtering phù hợp với vật liệu:

a)

Dẫn điện

b)

Cách điện

c)

Polymer

d)

Gốm

68.

Trong phun phủ (sputtering) đối với vật liệu cách điện, thường sử dụng:

a)

DC sputtering

b)

RF sputtering

c)

Arc discharge

d)

Ball milling

69.

Magnetron sputtering có đặc điểm chính:

a)

Sử dụng từ trường để giữ electron gần bề mặt, tạo plasma bền hơn

b)

Sử dụng laser để tăng nhiệt độ

c)

Dùng dung dịch để hòa tan bia

d)

Sử dụng ánh sáng UV

70.

Reactive sputtering thường dùng để:

a)

Tạo lớp phủ oxit, nitride từ bia kim loại

b)

Tạo chấm lượng tử

c)

Làm composite nano

d)

Tạo lớp phủ polymer

71.

HiPIMS (High Power Impulse Magnetron Sputtering) là cải tiến giúp:

a)

Tăng ion hóa vật liệu bốc ra

b)

Giảm tốc độ lắng đọng

c)

Chỉ áp dụng cho polymer

d)

Làm giảm mật độ plasma

72.

Ưu điểm nổi bật của sputtering là gì?

a)

Tạo màng mỏng bám dính tốt, đồng đều, tinh khiết

b)

Rẻ tiền, dễ làm ở quy mô lớn

c)

Không cần chân không

d)

Không cần năng lượng

73.

Thông số nào KHÔNG ảnh hưởng trực tiếp đến sputtering?

a)

Áp suất khí Ar

b)

Công suất plasma

c)

Khoảng cách bia – nền

d)

Màu sắc bia

74.

Sputtering thường được dùng để tạo:

a)

Màng mỏng kim loại, oxit, nitride

b)

Bột nano dạng hạt

c)

Ống nano carbon

d)

Fullerene

75.

Độ dày màng tạo bởi sputtering có thể kiểm soát nhờ:

a)

Thời gian phún xạ và công suất

b)

Màu sắc nền

c)

Loại dung môi

d)

Độ ẩm môi trường

76.

Ứng dụng sputtering trong công nghệ năng lượng là:

a)

Màng TiO₂, ITO trong pin mặt trời

b)

Graphene

c)

Phân bón nano

d)

Composite cao su

77.

Trong cảm biến khí, sputtering thường tạo màng:

a)

ZnO, SnO₂

b)

CNT

c)

Fullerene

d)

Graphene

78.

Trong điện tử, sputtering dùng để chế tạo:

a)

Mạch tích hợp, điện cực mỏng

b)

Phân tử sinh học

c)

Tế bào gốc

d)

Chất xúc tác sinh học

79.

Trong quang học, sputtering có thể tạo:

a)

Lớp chống phản xạ, gương phản xạ cao

b)

Chấm lượng tử phát quang

c)

Sợi polymer

d)

Fullerene

80.

Plasma trong sputtering được tạo ra bởi:

a)

Điện áp cao trong khí trơ

b)

Ánh sáng UV

c)

Laser xung

d)

Phản ứng hóa học

81.

Ion năng lượng cao trong sputtering chủ yếu tác động lên:

a)

Photoresist

b)

Target (bia)

c)

Substrate (nền)

d)

Lớp polymer

82.

Bia trong sputtering thường là:

a)

Kim loại, hợp kim, oxit

b)

Polymer

c)

Sinh học

d)

Nước

83.

Khi áp suất khí quá cao, sputtering sẽ:

a)

Plasma yếu đi, giảm hiệu quả

b)

Plasma mạnh hơn vô hạn

c)

Không ảnh hưởng

d)

Không tạo màng

84.

Trong phun phủ (sputtering) khi tăng công suất plasma, tốc độ lắng đọng sẽ:

a)

Tăng

b)

Giảm

c)

Không đổi

85.

Reactive sputtering kết hợp thêm:

a)

Khí O₂ hoặc N₂ vào plasma

b)

Dung dịch axit

c)

Siêu âm

d)

Từ trường

86.

Màng ITO (Indium Tin Oxide) dẫn điện trong suốt thường được tạo bằng:

a)

Sputtering

b)

Sol-gel

c)

Hydrothermal

d)

Arc discharge

87.

Phun phủ thường được thực hiện trong điều kiện áp suất:

a)

10⁻¹ – 10⁻³ Torr

b)

1 atm

c)

10 atm

d)

100 Torr

88.

Điểm hạn chế lớn của sputtering khi mở rộng sản xuất:

a)

Chi phí thiết bị cao, tốc độ thấp

b)

Không tạo được màng mỏng

c)

Không dùng được kim loại

d)

Không thể điều khiển độ dày

89.

Arc discharge (hồ quang điện) là phương pháp dựa trên:

a)

Chiếu tia laser

b)

Phóng điện giữa hai điện cực trong khí trơ

c)

Hòa tan dung dịch

d)

Sử dụng sóng siêu âm

90.

Môi trường thường dùng trong hồ quang điện (Arc discharge) để tạo CNT và fullerene là:

a)

Không khí

b)

Khí trơ (He, Ar)

c)

H₂O

d)

N₂O

91.

Trong hồ quang điện (Arc discharge), nhiệt độ vùng plasma có thể đạt tới:

a)

500 °C

b)

~4000–6000 °C

c)

100 °C

d)

20 °C

92.

Sản phẩm nano nổi tiếng tạo bằng arc discharge lần đầu:

a)

Fullerene C₆₀

b)

Graphene oxide

c)

ZnO nanoparticle

d)

PANi nanofiber

93.

Ưu điểm chính của arc discharge:

a)

Cho sản phẩm chất lượng cao (CNT, fullerene)

b)

Rẻ tiền, dễ kiểm soát

c)

Không cần khí trơ

d)

Tốc độ thấp

94.

Nhược điểm của arc discharge:

a)

Khó kiểm soát kích thước, nhiều tạp sản phẩm phụ

b)

Không tạo được CNT

c)

Không tạo được fullerene

d)

Không thể dùng điện cực carbon

95.

Điện cực thường dùng trong hồ quang điện (Arc discharge) để tạo CNT:

a)

Đồng

b)

Carbon (graphite)

c)

Vàng

d)

Bạc

96.

Trong hồ quang điện (Arc discharge) để tạo CNT một vách (SWCNT), cần thêm:

a)

Xúc tác kim loại (Fe, Ni, Co)

b)

Khí O₂

c)

Dung môi nước

d)

Không khí

97.

Trong hồ quang điện (Arc discharge) để tạo CNT đa vách (MWCNT), có thể:

a)

Dùng graphite tinh khiết không xúc tác

b)

Dùng polymer

c)

Dùng dung dịch sol-gel

d)

Dùng laser ablation

98.

Graphene có thể được thu bằng arc discharge trong môi trường:

a)

Hydro hoặc khí trơ

b)

Không khí

c)

Nước muối

d)

Dung dịch acid

Similar Resources on Wayground

Câu hỏi trắc nghiệm hóa học

98 questions

Câu hỏi trắc nghiệm hóa học

quiz

Worksheet

•

11th Grade - University

hoá gk

99 questions

hoá gk

quiz

Worksheet

•

12th Grade - University

Bài tập về năng lượng quốc gia và tiết kiệm năng lượng

93 questions

Bài tập về năng lượng quốc gia và tiết kiệm năng lượng

quiz

Worksheet

•

University

Câu hỏi về ion kim loại

100 questions

Câu hỏi về ion kim loại

quiz

Worksheet

•

University

Quiz về chuẩn độ hóa học

100 questions

Quiz về chuẩn độ hóa học

quiz

Worksheet

•

University

Quiz về Vi khuẩn

100 questions

Quiz về Vi khuẩn

quiz

Worksheet

•

University

Bài tập về đồng phân và tính quang học

99 questions

Bài tập về đồng phân và tính quang học

quiz

Worksheet

•

University

giải phẫu sinh lý 2

101 questions

giải phẫu sinh lý 2

quiz

Worksheet

•

University