Font size
WorksheetsTRAC NGHIEM FET
Total questions: 60
Worksheet time: 3600secs
Câu 1: MOSFET là transistor trường có kênh dẫn được chế tạo sẵn. Phát biểu này đúng hay sai?
Câu 2: MOSFET là transistor trường bán dẫn oxyde kim loại. Phát biểu này đúng hay sai?
Đúng
Sai
Câu 3: DMOSFET là transistor trường có kênh dẫn được chế tạo sẵn. Phát biểu này đúng hay sai?
Đúng
Sai
Câu 4: EMOSFET là transistor trường có kênh dẫn được chế tạo sẵn. Phát biểu này đúng hay sai?
Đúng
Sai
Câu 5: DMOSFET kênh dẫn loại n có thể dùng thay thế cho JFET kênh dẫn loại n. Phát biểu này đúng hay sai?
Đúng
Sai
Câu 6. EMOSFET kênh dẫn loại n cóc thể dung thay thế cho DMOSFET kênh dẫn loại n. Phát biểu này đúng hay sai
Đúng
sai
Câu 7. Phương trình dòng điện cực máng của JFET, DMOSFET và EMOSFET là giống nhau. Phát biểu này đúng hay sai
Đúng
Sai
Câu 1. Transistor trường JFET gồm mấy loại
1
2
3
4
Câu 2. Dòng điện cực máng trong JFET kênh n được tạo bởi các
Lỗ trống
electron
cả 2
tất cả đều sai
Câu 3. Dòng điện cực máng bão hòa trong JFET kênh N là dòng điện cực máng bão hòa ứng với điện áp giữa cực G và cực S bằng bao nhiêu?
= 0V
>0V
<0V
= Up (Điện áp thắt kênh)
Câu 4. Điện trở đầu vào (rv) của transistor trường (FET) nói chung và JFET nói riêng có giá trị như thế nào?
rất lớn
rất bé (vài chục đến vài trăm Ohm)
=0 Ohm
không xác
Câu 5. Với một transistor trường JFET, khi điện áp giữa cực G và cực S bằng (- Up) (điện áp thắt kênh) thì dòng điện cực máng của nó có giá trị bằng:
Giá trị của đòng điện cực máng bão hòa /2
Giá trị của đòng điện cực máng bão hòa /4
= 0 A
Giá trị của dòng điện cực máng bão hòa
Câu 6. Với một transistor trường JFET, khi điện áp giữa cực G và cực S bằng 0V thì dòng điện cực máng của nó có giá trị bằng:
Giá trị của dòng điện cực máng bão hòa
Giá trị của dòng điện cực máng bão hòa /2
Giá trị của dòng điện cực máng bão hòa /4
= 0 A
Câu 7. Với JFET kênh n, khi điện áp giữa cực G và S càng âm thì:
Mức bão hòa của dòng điện cực máng càng lớn
Mức bão hòa của dòng điện cực máng càng nhỏ
Mức bão hòa của dòng điện cực máng không đổi
Tất cả các phương án trên đều sai
Câu 8. Với JFET kênh n, khi điện áp giữa cực G và S càng âm thì:
Điện áp thất kênh càng lớn
Điện áp thất kênh càng nhỏ
Điện áp thắt kênh không đổi
Tất cả phương án trên đều sai
Câu 9. Điện áp thắt kênh của JFET kênh n có giá trị:
âm (< 0V)
dương (> 0V)
= 0V
= giá trị nguồn điện áp cung cấp
Câu 10. Vùng điện trở kênh dẫn của FET nói chung và của JFET nói riêng gọi là:
Vùng bão hòa
Vùng tuyến tính
Vùng cắt dòng
Vùng đánh thủng
Câu 11: JFET kênh dẫn loại n có thể làm việc được với trường hợp nào của điện áp giữa cực G-S và điện áp giữa cực D-S?
Điện áp giữa cực G và S > 0; Điện áp giữa cực D và S > 0
Điện áp giữa cực G và S < 0; Điện áp giữa cực D và S > 0
Điện áp giữa cực G và S > 0; Điện áp giữa cực D và S < 0
Điện áp giữa cực G và S < 0; Điện áp giữa cực D và S < 0
Câu 12. JFET kênh dẫn loại n có thể làm việc được với trường hợp nào của điện áp giữa cực G-S và điện áp giữa cực D-S?
Điện áp giữa cực G và S = 0V; Điện áp giữa cực D và S = 0V
Điện áp giữa cực G và S = 0V; Điện áp giữa cực D và S < 0V
Điện áp giữa cực G và S = 0V; Điện áp giữa cực D và S > 0V
Tất cả các phương án đều sai
Câu 13. Với JFET kênh n, khi điện áp giữa cực G và S càng âm thì
Điện trở của kênh dẫn càng giảm
Điện trở của kênh dẫn càng tăng
Điện trở của kênh dẫn không đổi
Tất cả các phương án đều sai
Câu 14. Với JFET kênh n, khi điện áp giữa cực G và S ở trạng thái khóa thì:
Dòng điện cực máng rất lớn
Dòng điện cực máng không đổi
Dòng điện cực máng = 0
Tất cả các phương án đều sai
Câu 15. Vùng đầu tiên (gần gốc tọa độ của hệ đồ thị) trong đặc tuyến ra của JFET là
Tuyến tính
Bão hòa
Đánh thủng
Cắt dòng
Câu 16. Một transistor trường nói chung và JFET nói riêng có thể được dùng như một điện trở được điều khiến bởi:
Dòng điện
Điện áp
Cả điện áp và dòng điện
Tần số
Câu 17. Một transistor trường nói chung và JFET nói riêng, dòng điện cực máng và dòng điện cực nguồn có mối quan hệ như thế nào?
Bằng nhau
Dòng điện cực máng > dòng điện cực nguồn
Dòng điện cực máng < dòng điện cực nguồn
Tất cả các phương án đều sai
Câu 18. Thứ tự các cực G, D, S của FET nói chung và của JFET nói riêng, có thể coi tương đương với các cực... của BJT
C, В, Е
B, C, E
E, С, В
C, E, B
Câu 19. Để JFET kênh N làm việc (ở chế độ khuếch đại), thì điều kiện đối với điện áp giữa cực G và cực S của nó là:
<-Up
= -Up
-Up < UGS và UGS > 0
-Up ≤ UGS Và UGS > 0
Câu 20. Điều kiện để transistor trường JFET kênh N làm việc ở chế độ khuếch đại là:
UGS < 0 và UDS < 0
UGS < 0 và UDS > 0
UGS > 0 và UDS < 0
UGS = 0 và UDS < 0
Câu 21. Ký hiệu nào trong hình vẽ là ký hiệu của DMOSFET kênh n
A
B
D
Câu 22. Vùng điện trở kênh dẫn của FET nói chung và của DMOSFET nói riêng gọi là:
Vùng bão hòa
Vùng tuyến tính
Vùng cắt dòng
Vùng đánh thủng
Câu 23. Với DMOSFET kênh n, khi điện áp giữa cực G và S ở trạng thái khóa thì:
Dòng điện cực máng rất lớn
Dòng điện cực máng không đổi
Dòng điện cực máng = 0 mA
Tất cả các phương án đều sai
Câu 24. DMOSFET kênh dẫn loại n có thể làm việc được với trường hợp nào của điện áp giữa cực G và cực S của nó?
UGS < 0
UGS > 0
UGS = 0
Cả 3 trường hợp của UGS
Câu 25. Chế độ làm giàu hạt dẫn cho kênh dẫn của DMOSFET kênh dẫn loại n khi điện áp giữa cực G và cực S có giá trị:
< 0V
> 0V
= 0V
≥ 0V
Câu 26. Chế độ làm nghèo hạt dẫn cho kênh dẫn của DMOSPET kênh dẫn loại n khi điện áp giữa cực G và cực S có giá trị:
< 0V
> 0V
= 0V
>= 0V
Câu 27. Để tạo EMOSFET kênh dẫn loại n thì điện áp giữa cực G và cực S của nó phải như thế nào?
< 0V và đạt giá trị ngưỡng nào đó
> 0V và đạt giá trị ngưỡng nào đó
= 0V
Tất cả các phương án trên đều sai
Câu 28. Ký hiệu nào trong hình vẽ là ký hiệu của EMOSFET kênh dẫn loại n
A
A
Câu 29. Để EMOSFET loại kênh dẫn n làm việc thì điện áp giữa các cực G-S, D-S của nó phải như thế nào?
UGS > 0V ; UDS > 0V
UGS > 0V ; UDS < 0V
UGS = 0V ; UDS > 0V
UGS < 0V ; UDS < 0V
Câu 30: Trong các đặc tuyến truyền đạt trong hình bên thì
Hình a là của EMOSFET
Hình b là của DMOSFET
Hình c là của EMOSFET
A. Hình a là của JFET
Câu 31. Hình vẽ bên thể hiện mô hình cấu trúc của transistor trường loại nào
JFET kênh n
JFET kênh p
DMOSFET kênh n
DMOSFET kênh p
EMOSFET kênh n
Câu 32. Hình vẽ bên nêu đặc tuyến ra của transistor thường loại nào
EMOSFET kênh n
EMOSFET kênh p
DMOSFET kênh n
DMOSFET kênh p
Câu 33. Điện trở kênh dẫn của JFET luôn không đổi khi hoạt động. Phát biểu này đúng hay sai?
Đúng
Sai
Câu 34. Chế độ hoạt động của D-MOSFET là:
Chỉ làm nghèo hạt dẫn
Chỉ làm giàu hạt dẫn
Làm nghèo hay làm giàu hạt dẫn tùy theo cách phân cực
Bão hòa
Câu 35. Có thể coi FET như một điện trở có giá trị được điều khiển bằng:
Điện áp
Dòng điện
Cả điện áp và dòng điện
Các đáp án đều sai
Câu 36. Về mặt cấu tạo, mỗi EMOSFET kênh n có
2 vùng bán dẫn loại n trên một khối bán dẫn loại p, có sẵn kênh dẫn nối 2 vùng bán dẫn loại n
2 vùng bán dẫn loại n trên một khối bán dẫn loại p, không có sẵn kênh dẫn nối 2 vùng bán dẫn loại n
2 vùng bán dẫn loại p trên 1 khối bán dẫn loại n, có sẵn kênh dẫn nối 2 vùng bán dẫn loại p
2 vùng bán dẫn loại p trên 1 khối bán dẫn loại n, không có sẵn kênh dẫn nối 2 vùng bán dẫn loại p
Câu 37. Cho mạch như hình. Biết Idss = 6mA, Ugs(off) = -2V, giá trị của Uds là
14V
16V
18V
20V
Câu 39. Cho mạch như trong hình. Nếu Rg tăng thì điện áp tại cực G sẽ
Tăng lên
Giảm đi
Không đổi
Không kết luận đc tăng hay giảm
Câu 40. D-MOSFET có thể hoạt động với UGS có giá trị:
Chỉ âm
Chỉ dương
Chỉ bằng 0V
Âm hoặc bằng 0V hoặc dương đều được
Câu 41. Căn cứ vào tiêu chí kênh dẫn, JFET được chia thành bao nhiêu loại?
Một loại: Kênh I
Hai loại: Kênh P và kênh N
Ba loại: Kênh P, kênh N và kênh I
Các phương án đưa ra đều sai
Câu 42. Trong các kiểu phân cực sau, kiểu phân cực nào KHÔNG thích hợp với E-MOSFET?
Điện áp cố định
Tự phân cực
Phân áp
Các phương án đưa ra đều đúng
Câu 43. Mô tả nào sau đây là đúng nhất về một JFET kênh N?
Có một tiếp giáp PN, dòng điện cực máng chạy hoàn toàn trong vùng bán dẫn loại N
Có một tiếp giáp PN, dòng điện cực máng chạy hoàn toàn trong vùng bán dẫn loại P
Có một tiếp giáp PN, dòng điện cực nguồn chạy từ P sang N
Có một tiếp giáp PN, dòng điện cực nguồn chạy từ N sang P
Câu 44. E-MOSFET tạo kênh dẫn loại N có thể hoạt động với UGS như thế nào?
Âm
Dương
Bằng 0V
Lớn hơn hoặc bằng giá trị ngưỡng (Uth) có giá trị dương
Câu 45. Ugs của JFET trong mạch là
-2V
2V
-8V
8V
Câu 46. Khi UGS = OV, dòng điện cực máng chạy qua JFET bằng
0
IDSS
IDSS/2
IDSS/4
Câu 47. Kênh dẫn trong D-MOSFET phải là:
Kênh N đặt sẵn
Kênh P đặt sẵn
Kênh N cảm ứng
Kênh P cảm ứng
Câu 48. Một khác biệt cơ bản giữa JFET và BJT là:
JFET có trở kháng vào nhỏ hơn
JFET được điều khiển bằng dòng điện, còn BJT được điều khiển bằng điện áp
JFET được điều khiển bằng điện áp, còn BJT được điều khiển bằng dòng điện
JFET có kích thước lớn hơn rất nhiều so với BJT
Câu 49. Khi JFET hoạt động trong vùng bão hòa, dòng điện ID:
Giảm đáng kể khi UDS tăng
Tăng đáng kể khi UDS tăng
Gần như không đổi khi UDS tăng
Tăng đáng kể khi UDS giảm
Câu 50. Cho một D-MOSFET có IDSS = 10mA và UGS(off) = -8V. Tại UGS = +4V, giá trị của ID là xấp xỉ:
22.5mA k chắc
20mA
10mA
5mA
Câu 51. Xét về chức năng và cách kết nối trong mạch điện, ba cực G,D và S của FET nhiều điểm tương đồng với ba cực của BJT xếp theo thứ tự tương ứng là:
A. C, B, và E
C, B, và E
B, C, và E
E, C, và B
C, E, và B
Câu 52. Mạch điện CMOS có sự kết hợp giữa hai loại FET nào trong số sau đây?
MOSFET kênh N và MOSFET kênh P
JFET kênh N và MOSFET kênh P
MOSFET kênh N và JFET kênh P
JFET kênh N và JFET kênh P
Câu 53. Ở đặc tuyến ra của JFET kênh N, dòng ID tăng khi:
UGS giảm nhưng vẫn đảm bảo lớn hơn UGS(off) = - Up
UGS giảm nhưng vẫn đảm bảo lớn hơn 0V
UGS tăng nhưng vẫn đảm bảo nhỏ hơn 0V
Các phương án đưa ra đều sai
