NEW
Font size
Worksheets..BJT
Total questions: 74
Worksheet time: 37hrs 0mins
Một transistor tiếp xúc lưỡng cực có cấu trúc gồm 3 tiếp xúc PN
Đúng
Sai
Tiếp xúc PN có sự tham gia của miền base và miền emitter được gọi là tiếp xúc Base-Emitter..
Đúng
Sai
Trong BJT, hạt dẫn đa số trong miền emitter là hạt dẫn đa số trong miền base
Đúng
Sai
Dòng điện emitter (IE) là tổng của dòng điện collector (IC) và dòng điện base (IB)
Đúng
Sai
Hệ số khuếch đại dòng điện dc của 1 BJT có giá trị nhỏ hơn 20 đến 200 hoặc lớn hơn
Đúng
Sai
Đường tải tĩnh hay đường tải một chiều là một đường thẳng biểu diễn sự phụ thuộc giữa điện áp và dòng điện của BJT trong vùng bão hòa.
Đúng
Sai
Trong cùng một mạch điện, dòng điện collector là lớn nhất khi BJT bão hòa
Đúng
Sai
Một BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại, có thể coi βdc= βac= β.
Đúng
Sai
Dòng điện base (IB) của BJT rất nhỏ so với dòng điện collector(IC) và dòng điện emitter(IE)
Đúng
Sai
BJT làm việc ở chế độ cắt dòng khi tiếp xúc base-emitter phân cực thuận
Đúng
Sai
Hệ số khuếch đại có giá trị bằng điện áp đầu ra chia cho dòng điện đầu vào
Đúng
Sai
Thuật ngữ bipolar liên quan tới việc dùng cả lỗ trống và điện tử như là các hạt mang điện trong cấu trúc BJT
Đúng
Sai
Chức năng chính của BJT là tạo dao động
Đúng
Sai
Hệ số β của BJT là
Hệ số khuếch đại dòng điện
Hệ số truyền đại dòng điện base
Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter
Hệ số khuếch đại công suất
Có mấy phương pháp phân cực cho BJT
2
3
4
1
Về mặt lý thuyết, nếu tăng UCE trong khi UBE của BJT được giữ nguyên thì
Dòng điện base giảm nhẹ do tỉ lệ hạt dẫn tái hợp tại miền base giảm
dòng điện base k đổi
dòng điện base tăng nhẹ do tỷ lệ hạt dẫn tái hợp tại miền base tăng
dòng điện base tăng tỷ lệ thuận với độ tăng của UCE
Trong 1 BJT loại NPN, các miền được tạo nên từ bán dẫn loại N là
base và emitter
base và collector
emitter và collector
base
Thông thường, đặc điểm miền emitter của 1 BJT là
Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất mạnh nhất
Có kích thước trung bình, được pha tạp chất mạnh nhất
Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất trung bình
Có kích thước trung bình, được pha tạp chất ít nhất
Đặc điểm miền base của một BJT thông thường là
Có kích thước lớn nhất và được pha tạp chất mạnh nhất
Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp trung bình
Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp nhẹ nhất
Mỏng nhất và được pha tạp chất mạnh nhất
Đặc điểm miền collector của 1 BJT thông thường là
Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất mạnh nhất
Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất ít nhất
Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất trung bình
Có kích thước trung bình, được pha tạp chất mạnh nhất
Dòng điện emitter của 1 BJT được tạo ra do
Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực thuận, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B rồi phần lớn chuyển sang C
Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực ngược, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B rồi một phần nhỏ chuyển sang C
Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực thuận, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C
Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực ngược, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C
Khi đang hoạt động, dòng điện base của BJT được tạo ra do
Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E
Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, tất cả hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B
Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, một lượng nhỏ các hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B
Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E và tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền E
Dòng điện collector của 1 BJT được tạo ra do
Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền B bị hút sang miền C
Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền B bị hút sang miền C
Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền C khuếch tán sang miền B
Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền C khuếch tán sang miền B
Thông thường, điện áp giữa cực base và emitter của BJT khi tiếp giáp này được phân cực thuận có giá trị xấp xỉ
0.3V
0.7V
0.3V hoặc 0.7V tùy thuộc vào vật liệu bán dẫn là Ge hay Si
0.3V và 0.7V
Khi tiếp xúc emitter-base của BJT phân cực thuận, độ rộng vùng nghèo hạt dẫn của tiếp xúc này sẽ
Tăng lên
Giảm đi
Không đổi
Ban đầu không đổi sau đó tăng lên
Để một BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại, điện thế của cực base phải
Cao hơn cực emitter
Thấp hơn cực emitter
Cao hơn cực collector
Thấp hơn cực emitter và cao hơn cực collector
Để một BJT loại PNP làm việc ở chế độ khuếch đại, điện thế của cực base phải
Cao hơn cực emitter
Thấp hơn cực emitter
Thấp hơn cực collector
Cao hơn cực emitter và thấp hơn cực collector
Thông tin nào sau đây thể hiện BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại
Cao hơn cực emitter
Thấp hơn cực emitter
Thấp hơn cực collector
Cao hơn cực emitter và thấp hơn cực collector
Thông tin nào sau đây thể hiện BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại
Điện áp ở cực E lớn hơn điện áp ở cực C và nhỏ hơn điện áp ở cực B
Điện áp ở cực E lớn hơn điện áp ở cực C và điện áp ở cực B
Điện áp ở cực E nhỏ hơn điện áp ở cực C và điện áp ở cực B
Điện áp ở cực E nhỏ hơn điện áp ở cực C và lớn hơn điện áp ở cực B
Đối với BJT loại NPN, thông tin nào sau đây thể hiện nó làm việc ở chế độ khuếch đại
Điện áp ở cực C lớn hơn điện áp ở cực B và điện áp ở cực E
Điện áp ở cực C nhỏ hơn điện áp ở cực B và nhỏ hơn điện áp ở cực E
Điện áp ở cực C nhỏ hơn điện áp ở cực B và lớn hơn điện áp ở cực E
Điện áp ở cực C nhỏ hơn điện áp ở cực B và điện áp ở cực E
Khi một BJT đang hoạt động trong vùng khuếch đại, giá trị của dòng điện ở cực emitter luôn
Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base
Nhỏ hơn giá trị dòng điện ở cực collector
Lớn hơn giá trị dòng điện ở collector
Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base và lớn giá trị dòng điện ở collector
Khi một BJT đang hoạt động trong vùng khuếch đại, giá trị của dòng điện ở cực collector luôn
Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base
Bằng giá trị dòng điện ở cực emitter
Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base và nhỏ hơn giá trị dòng điện ở emitter
Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực emitter
Trong một BJT, hệ số α được định nghĩa là
Hệ số khuếch đại dòng điện
Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter
Hệ số khuếch đại công suất
Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện base
Điện áp trên tiếp xúc BE của BJT loại SI khi phân cực thuận là
0V
0.7V
0.3V
VBB
Đối với một BJT, nếu dòng điện collector bằng 0.95 lần dòng điện emitter thì α bằng
0.05
20
0.95
1.05
Khi BJT hoạt động ở chế độ bão hòa, điện áp giữa cực C và cực E thường
Nằm trong khoảng từ 0.3V đến điện áp của nguồn cung cấp
Nhỏ và không quá 0.3V
Bằng điện áp giữa cực B và cực E
Bằng điện áp giữa cực B và cực E
Có thể dùng đặc tuyến ra của BJT mắc theo mô hình E chung (CE) để giải thích cho đặc tuyến ra của nó mắc theo mô hình nào dưới đây
B chung (CB)
C chung (CC)
C chung (CC) và B chung (CB)
Các phương án đưa ra đều sai
BJT có điểm làm việc tĩnh (một chiều) phụ thuộc vào nhiệt độ mạnh nhất khi được phân cực theo cách nào trong số sau đây
Phân cực base
Phân cực emitter
Phân cực bằng phân áp
Phân cực bằng hồi tiếp collector
Trong 1 BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền emitter có đặc điểmi
Có độ dày trung bình và có nồng độ pha tạp trung bình
Có độ dày trung bình và có nồng độ pha tạp lớn nhất
Có kích thước lớn nhất và nồng độ pha tạp nhỏ nhất
Có kích thước trung bình và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất
Trong 1 BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền base có đặc điểm
Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp lớn nhấ
Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp trung bình
Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất
Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp lớn nhất
Trong 1 BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền collector có đặc điểm
Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp lớn nhất
Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất
Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp trung bình
Có kích thước trung bình và có nồng độ pha tạp lớn nhất
Dòng điện emitter của một BJT được tạo ra do
Tiếp xúc BE được phân cực thuận, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B rồi phần lớn chuyển sang C
Tiếp xúc BE được phân cực ngược, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền C rồi phần nhỏ chuyển sang B
Tiếp xúc BE được phân cực thuận, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C
Tiếp xúc BE được phân cực ngược, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C
Dòng điện base của BJT được tạo ra do
Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E
Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, tất cả hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B
Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, một lượng nhỏ các hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B
Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E và tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền E
Dòng điện collector của 1 BJT được tạo ra do
Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền B bị hút sang miền C
Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền B bị hút sang miền C
Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền C khuếch tán sang B
Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền C khuếch tán sang miền B
Tham số nào liên quan đến việc tính hệ số ổn định của BJT khi đang hoạt động
α
IB
UBE
UCE
Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ của BJT tăng hoặc giảm, tham số bị thay đổi
β
UBE
IC
cả β, UBE và IC
Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ của BJT tăng lên, tham số nào sau đây giảm đi
β
UBE
IC
β và IC
Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ của BJT tăng lên, tham số nào sau đây tăng lên
IC
UBE
IB
UBE và IB
Đối với một BJT làm việc ở chế độ khuếch đại, điều kiện cần để điểm làm việc tĩnh (một chiều) của nó nằm ở giữa đường tải tĩnh (một chiều) là
Giá trị một chiều UCE đạt cực đại và IC=IC(max)/2
Giá trị một chiều UCE bằng một nửa giá trị điện áp nguồn cung cấp và IC=IC(max)
Các phương án đưa ra đều sai
Giá trị một chiều UCE bằng một nửa giá trị điện áp nguồn cung cấp và IC=IC(max)/2
Một BJT chế tạo từ Si được phân cấp bằng mạch điện có thông số như trong hình. Nếu điều chỉnh R1 để IC tăng lên thì UCE sẽ
Không đổi
Tăng lên
Giảm đi
Không kết luận được
BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si Vcc=9V, VBB=3.5V, RC=1kΩ, RB=200kΩ, β=100 Uce bằng
0V
9V
7.6V
4.85V
BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si Vcc=10V, Rc=1kΩ và Uin=5Vdc Để tạo ra Ib k nhỏ hơn 50μA, Rb k được lớn hơn
100kΩ
86kΩ
50kΩ
94kΩ
BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si Vcc=10V, Rc=1kΩ và Uin=5Vdc Trong thực tế, Ic bão hòa của BJT là
Khoảng 9.7mA
Đúng bằng 10mA
Xấp xỉ 0mA
Khoảng 100mA
BJT trong hình vẽ đang làm việc ở chế độ bão hòa Nếu IB tăng lên, IC sẽ
Giảm đi
Tăng lên
Gần như không đổi
Ban đầu tăng lên, sau đó giảm đi
BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si. Vcc=10V, Rc=1kΩ và Uin=5V. Nếu giảm giá trị Rc thì Ic cực đại sẽ
Không đổi
Giảm đi
Tăng lên
Không kết luận được
Mạch khuếch đại dùng BJT mắc theo mô hình C chung có đặc điểm
Hệ số khuếch đại điện áp xấp xỉ 1 và hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ β
Hệ số khuếch đại điện áp xấp xỉ β và hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ 1
Hệ số khuếch đại điện áp lớn hơn 1 và hệ số khuếch đại dòng điện lớn hơn β
Hệ số khuếch đại điện áp lớn hơn β và hệ số khuếch đại dòng điện lớn hơn 1
Một BJT đang làm việc ở chế độ khuếch đại và được phân cực theo kiểu hồi tiếp emitter bởi các điện trở RB, RC và RE nối tới các cực tương ứng. Một trong những giải pháp để tăng độ ổn định của điểm làm việc tĩnh (một chiều) là
Giảm giá trị điện trở RE
Tăng giá trị điện trở RE
Mắc nối tiếp với RE một tụ điện
Mắc song song với RE một tụ điện
Một BJT chế tạo từ Si được phân cực bằng mạch điện có thông số như trong hình. IE xấp xỉ
0.28mA
2.8mA
0.28A
2.8A
Một BJT chế tạo từ Si được phân cực bằng mạch điện như trong hình. Điện áp trên cực C so vs đất xấp xỉ
13.5V
13V
2.3V
10.7V
Một BJT chế tạo từ Si được phân cực bằng mạch điện như trong hình. Nếu tăng giá trị R2 lên, điện áp trên cực B của BJT sẽ
Tăng lên
Giảm đi
Không đổi
Không kết luận được
Khi BJT làm việc trong vùng khuếch địa tuyến tính, phương trình nào đúng
IC= β x IB
IC= β x IE
IB= β x IC
IB= β x IE
Khi đang hoạt động, một BJT có IE=10mA và IC=9.95mA. Dòng điện IB có giá trị
1mA
19.95mA
0.5mA
0.05mA
Để một BJT làm việc ở chế độ khuếch đại tín hiệu biên độ nhỏ thì
Tiếp xúc giữa các cực E-B phân cực thuận, tiếp xúc giữa các cực C-B phân cực thuận
Tiếp xúc giữa các cực E-B phân cực thuận, tiếp xúc giữa các cực C-B phân cực ngược
Tiếp xúc giữa các cực E-B phân cực ngược,tiếp xúc giữa các cực C-B phân cực ngược
Tất cả phương án đều sai
Mạch khuếch đại E chung có khả năng và đặc điểm (C chung cùng pha)
Khuếch đại dòng điện, khuếch đại điện áp, điện áp ra ngược pha với điện áp vào
Khuếch đại dòng điện, khuếch đại điện áp, điện áp ra cùng pha với điện áp vào
Khuếch đại dòng điện, không khuếch đại điện áp, điện áp ra cùng pha với điện áp vào
Không khuếch đại dòng điện, khuếch đại điện áp, điện áp ra cùng pha với điện áp vào
Khi đo điện áp giữa các chân của BJT trong 1 mạch phân cực, ngta thu được các giá trị là UBE=0V và UCB=UCE=EC(EC là điện áp nguồn cung cấp cho BJT).Kết luận có lý nhất
BJT đang được phân cực ở chế độ khuếch đại
BJT đang được phân cực ở chế độ bão hòa
BJT đang được phân cực ở chế độ cắt dòng
BJT bị hỏng
Trong BJT loại NPN, hạt dẫn đa số trong cực Base là
Cả điện tử tự do và lỗ trống
Các lỗ trống
Các điện tử tự do
Các phương án đưa ra đều sai
Khi một BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại, điện áp của các cực giảm dần
UB, UC, UE
UC, UB, UE
UE, UC, UB
UE, UB, UC
Khi một BJT loại PNP làm vc ở chế độ khuếch đại, điện áp của các cực tăng dần
UB, UC, UE
UC, UB, UE
UE, UC, UB
UE, UB, UC
Khi một BJT loại NPN làm vc ở chế độ khuếch đại, điện áp của các cực tăng dần
UB, UC, UE
UC, UB, UE
UE, UC, UB
UE, UB, UC
Khi một BJT loại PNP được chế tạo từ Ge làm việc trong vùng khuếch đại, điện áp của cực B so với cực E là xấp xỉ
-0.3V
0.3V
0.7V
-0.7V
BJT làm việc ở chế độ chuyển mạch khi 2 tiếp giáp JE và JC ở trạng thái tương ứng
Cùng thuận
Cùng ngược
Thuận-ngược
Ngược-thuận
Cùng thuận hoặc cùng ngược
Đặc tuyến ra của BJT mắc theo sơ đồ C chung (CC) là đồ thị của
Dòng điện base theo điện áp collector-emitter
Dòng điện collector theo điện áp base-emitter
Dòng điện collector theo điện áp collector-emitter
Dòng điện emitter theo điện áp collector-emitter
Mối quan hệ giữa các dòng điện IE, IB, IC trong BJT là
IE=IB+IC
IC=IB+IE
IB=IE+IC
IB=IE=IC
Khi đang hoạt động, một BJT có IC=5mA và IB=20μA. Hệ số khuếch đại dòng điện 1 chiều β có giá trị
250
100
25
4
