Font size
WorksheetsSDI101
Total questions: 93
Worksheet time: 47mins
The inductance of a coil is 4H. If the current changes at the rate of 2 ampere per second, what is the induced emf in the coil?
(Độ tự cảm của một cuộn dây là 4H. Nếu dòng điện thay đổi với tốc độ 2 ampe mỗi giây, suất điện động cảm ứng trong cuộn dây là bao nhiêu?)
A. 2V
B. 4V
C. 8V
D. 16V
A test charge of 2μC experiences a force of 6mN in an electric field. What is the magnitude of the electric field at that point?
A. E = 3 newton per coulomb
B. E = 12 newton per coulomb
C. E = 3000 newton per coulomb
D. E = 1200 newton per coulomb
A point charge (q1) has a magnitude of 3x10⁻⁸ C. A second charge (q2) has a magnitude of -1.5x10⁻⁸ C and is located 0.12m from the first charge. What are the magnitude and direction of the electrostatic force on particle 1 from particle 2?
A. F = 2.81 N; Attractive (Hút)
B. F = 2.81 N; Repulsive (Đẩy)
C. F = 1.87 N; Repulsive (Đẩy)
D. F = 1.87 N; Attractive (Hút)
How many structure types of solids?
A. 3
B. 5
C. 7
D. 9
If a bulb requires 2A of current and is connected to a 12V battery, what are the resistance and power of the bulb?
A. 6Ω and 12W
B. 6Ω and 24W
C. 12Ω and 24W
D. 12Ω and 12W
A circuit loop has an EMF of 20V and three resistors in series: 2Ω, 3Ω, and 5Ω. What is the current flowing in the loop?
A. 1A
B. 2A
C. 3A
D. 4A
Two protons are at a distance r₁ away from each other. There is a force F₁ acting on each proton due to the other. If the protons are moved so that they are now at a distance r₂ = 0.5r₁ apart, what is the new force acting on each proton (F₂)?
A. F₂ = 0.5 F₁
B. F₂ = 4 F₁
C. F₂ = 0.25 F₁
D. F₂ = 2 F₁
The speed of electromagnetic waves in a vacuum is approximately:
A. 3 million meters per second (3 triệu mét mỗi giây)
B. 300 million meters per second (300 triệu mét mỗi giây)
C. 30 billion meters per second (30 tỷ mét mỗi giây)
D. 30 thousand meters per second (30 nghìn mét mỗi giây)
Which of the following is a commonly used semiconductor material?
A. Copper (Đồng)
B. Silicon
C. Gold (Vàng)
D. Iron (Sắt)
What element is not a single-element semiconductor?
A. Si
B. Ge
C. As
D. Al
Which of the following elements is commonly used to dope silicon to create an n-type semiconductor?
A. Phosphorus
B. Boron
C. Gallium
D. Aluminum
What is the force on a current-carrying conductor in a uniform magnetic field when the conductor is parallel to the field?
A. Maximum (Cực đại)
B. Zero (Bằng không)
C. Minimum (Cực tiểu)
D. None of above (Không có đáp án)
What is the SI unit of force?
A. Joule
B. Pascal
C. Newton
D. Watt
When the voltage across a circuit is increased while the resistance stays constant, what happens to the current?
A. Increases (Tăng)
B. Decreases (Giảm)
C. Stays the same (Không đổi)
D. Becomes zero (Bằng không)
Electron circles around the nucleus and binds to the nucleus due to:
A. Electrical force (Lực điện)
B. Magnetic force (Lực từ)
C. Gravitational force (Lực hấp dẫn)
D. Centripetal force (Lực hướng tâm)
One second (s) is defined based on the oscillations of which atom?
A. Hydrogen
B. Oxygen
C. Cesium
D. Carbon
The Light Emitting Diode (LED) works by converting electrical energy into light through which principle?
A. Photovoltaic effect (Hiệu ứng quang điện)
B. Electroluminescence (Hiện tượng điện phát quang)
C. Thermionic emission (Phát xạ nhiệt)
D. Optical pumping (Bơm quang học)
The wavelength of an electromagnetic wave is inversely proportional to its:
A. Speed (Tốc độ)
B. Frequency (Tần số)
C. Amplitude (Biên độ)
D. Energy (Năng lượng)
The smallest repeating unit of a crystal lattice is called:
A. Atom (Nguyên tử)
B. Molecule (Phân tử)
C. Unitcell (Ô cơ sở)
D. Crystal (Tinh thể)
The carrier concentration of a semiconductor increases as the temperature
A. Decreases (Giảm)
B. Increases (Tăng)
C. Stays the same (Không đổi)
D. Becomes constant (Trở nên không đổi)
The SI unit of capacitance is:
Coulomb (C)
B. Farad (F)
C. Volt (V)
D. Henry (H)
In which of the following semiconductor devices is a P-N junction commonly used?
A. Capacitor (Tụ điện)
B. Diode
C. Transformer (Máy biến áp)
D. Inductor (Cuộn cảm)
In which of the following modes does the BJT act as a switch in the off state?
A. Active mode (Chế độ khuếch đại)
B. Cut-off mode (Chế độ ngắt)
C. Saturation mode (Chế độ bão hoà)
D. Breakdown mode (Chế độ đánh thủng)
In an n-type extrinsic semiconductor, the majority charge carriers are:
A. Holes (Lỗ trống)
B. Electrons
C. Both holes and electrons in equal numbers (Cả lỗ trống và electron với số lượng bằng nhau)
D. Positive ions (Ion dương)
In a semiconductor, when an electron gains enough energy to jump from the valence band to the conduction band, it leaves behind a vacancy. This vacancy is referred to as a:
A. Electron
B. Hole (Lỗ trống)
C. Free carrier (Hạt tải tự do)
D. Ionized impurity (Tạp chất bị ion hoá)
In which application is a P-N junction used to convert light energy into electrical energy?
A. Photodiode
B. Solar cell (Pin mặt trời)
C. Light-emitting diode (LED)
. All of the answer (Tất cả các câu trả lời)
If the distance between two charged particles is doubled, the strength of the electric force between them will (Nếu khoảng cách giữa hai hạt mang điện tăng lên gấp đôi, độ lớn của lực điện giữa chúng sẽ)
A. Be quartered (Giảm đi bốn lần)
B. Be halved (Giảm đi một nửa)
C. Remain unchanged (Không đổi)
D. Double (Tăng gấp đôi)
What is ionic bond?
A. Outermost electrons are shared with all atoms in a material (Các electron ngoài cùng được chia sẻ với tất cả các nguyên tử trong vật liệu)
B. Outermost electrons are shared between neighboring atoms (Các electron ngoài cùng được chia sẻ giữa các nguyên tử lân cận)
C. Outermost electrons are transferred from one atom to another (Các electron ngoài cùng được chuyển từ nguyên tử này sang nguyên tử khác)
D. Outermost electrons are shared with all atoms in a material (Các electron ngoài cùng được chia sẻ với tất cả các nguyên tử trong vật liệu)
What is the definition of capacitance?
A. The amount of charge a conductor can hold. (Lượng điện tích mà một vật dẫn có thể giữ)
B. The ability of a system to store charge per unit potential difference. (Khả năng của một hệ thống lưu trữ điện tích trên mỗi đơn vị hiệu điện thế)
C. The total electric field around a conductor. (Tổng điện trường xung quanh một vật dẫn)
D. The potential energy of a charged conductor. (Năng lượng tiềm năng của một vật dẫn tích điện)
What is electric potential at a point in an electric field?
A. The force experienced by a unit charge at that point. (Lực mà một đơn vị điện tích chịu tác dụng tại điểm đó)
B. The work done per unit charge in bringing a charge from infinity to that point. (Công thực hiện trên mỗi đơn vị điện tích để mang một điện tích từ vô cực đến điểm đó)
C. The rate of change of electric flux with time. (Tốc độ thay đổi của thông lượng điện theo thời gian)
D. The electric field multiplied by distance. (Điện trường nhân với khoảng cách)
What is luminescence?
A. The emission of light due to the vibration of atoms (Sự phát ra ánh sáng do sự rung động của các nguyên tử)
B. The reflection of light by a surface (Sự phản xạ ánh sáng bởi một bề mặt)
C. The absorption of light by a material (Sự hấp thụ ánh sáng của vật liệu)
D. The emission of light by a material when it absorbs energy (Sự phát ra ánh sáng của vật liệu khi nó hấp thụ năng lượng)
What is the main effect of doping a semiconductor?
A. To increase the number of free charge carriers (electrons or holes) (Để tăng số lượng hạt tải điện tự do (electron hoặc lỗ trống))
B. To decrease the electrical resistance (Để giảm điện trở)
C. To change the crystal structure of the material (Để thay đổi cấu trúc tinh thể của vật liệu)
D. To create magnetic properties in the material (Để tạo ra đặc tính từ trong vật liệu)
What causes the formation of the barrier potential in a P-N junction?
A. The application of an external bias voltage. (Việc áp một điện áp phân cực bên ngoài)
B. The diffusion of electrons from the N-type region to the P-type region and holes from the P-type to the N-type region. (Sự khuếch tán của electron từ vùng loại N sang vùng loại P và của lỗ trống từ vùng loại P sang vùng loại N)
C. The movement of holes from the P-type region to the N-type region. (Sự di chuyển của lỗ trống từ vùng loại P sang vùng loại N)
D. The ionization of atoms at the junction. (Sự ion hóa của các nguyên tử tại tiếp giáp)
What is the "depletion region" in a P-N junction?
A. A region where no free charge carriers are present due to recombination. (Một vùng không có hạt tải điện tự do do sự tái hợp)
B. A region filled with free electrons from the N-type material. (Một vùng chứa đầy electron tự do từ vật liệu loại N)
C. A region where excess holes accumulate from the P-type material. (Một vùng mà các lỗ trống dư thừa tích tụ từ vật liệu loại P)
D. A region that carries the majority of charge carriers. (Một vùng mang các hạt tải điện đa số)
What causes the formation of the depletion region at a P-N junction?
A. The movement of free electrons from the N-type to the P-type region. (Sự di chuyển của các electron tự do từ vùng loại N sang vùng loại P)
B. The application of an external voltage across the junction. (Việc áp một điện áp bên ngoài qua tiếp giáp)
C. The accumulation of excess electrons in the P-type region. (Sự tích tụ của các electron dư thừa trong vùng loại P)
D. The diffusion of holes from the P-type to the N-type region, which results in charge recombination. (Sự khuếch tán của các lỗ trống từ vùng loại P sang vùng loại N, dẫn đến sự tái hợp điện tích)
What happens to the barrier potential when a forward bias is applied to a P-N junction?
A. The barrier potential increases, preventing current flow. (Điện thế chắn tăng, ngăn cản dòng điện)
B. The barrier potential remains unaffected by forward bias. (Điện thế chắn không bị ảnh hưởng bởi phân cực thuận)
C. The barrier potential decreases, allowing current to flow. (Điện thế chắn giảm, cho phép dòng điện chạy qua)
D. The barrier potential becomes infinite, blocking all current. (Điện thế chắn trở nên vô hạn, chặn mọi dòng điện)
What is the effect of forward biasing on a P-N junction?
A. The depletion region narrows, allowing current to flow across the junction. (Vùng nghèo hẹp lại, cho phép dòng điện chạy qua tiếp giáp)
B. The depletion region widens, and current is blocked. (Vùng nghèo rộng ra, và dòng điện bị chặn)
C. The P-type material becomes positively charged. (Vật liệu loại P trở nên tích điện dương)
D. The N-type material becomes positively charged. (Vật liệu loại N trở nên tích điện dương)
Which of the following is a characteristic of Flash Memory?
A. It is volatile, meaning it loses data when power is turned off (Nó dễ bay hơi, nghĩa là nó mất dữ liệu khi tắt nguồn)
B. It is a form of non-volatile memory, which retains data even when power is lost (Nó là một dạng bộ nhớ không bay hơi, giữ lại dữ liệu ngay cả khi mất điện)
C. Flash memory requires constant power to maintain data (Bộ nhớ flash cần nguồn điện liên tục để duy trì dữ liệu)
D. It stores data by using magnetic fields instead of electrical charge (Nó lưu trữ dữ liệu bằng cách sửdụng từ trường thay vì điện tích)
Which type of transition is responsible for optical absorption in semiconductors? (Loại chuyển tiếp nào chịu trách nhiệm cho sự hấp thụ quang học trong chất bán dẫn?)
A. Magnetic transition (Chuyển tiếp từ)
B. Optical transition (Chuyển tiếp quang)
C. Electronic transition between the valence band and conduction band (Chuyển tiếp điện tử giữa vùng hóa trị và vùng dẫn)
D. Vibrational transition (Chuyển tiếp dao động)
What is an intrinsic semiconductor? (Chất bán dẫn nội tại là gì?)
A. A semiconductor with no free electrons (Một chất bán dẫn không có electron tự do)
B. A semiconductor with free electrons in the conduction band (Một chất bán dẫn có electron tự do trong vùng dẫn)
C. A pure semiconductor without any impurities or lattice defects (Một chất bán dẫn tinh khiết không có bất kỳ tạp chất hay khuyết tật mạng nào)
D. A semiconductor that has been doped with impurities (Một chất bán dẫn đã được pha tạp chất)
What is the Fermi level in a solid? (Mức Fermi trong chất rắn là gì?)
A. The energy at which the probability of finding an electron is 50% at absolute zero T (0 K) (Mức năng lượng mà ở đó xác suất tìm thấy electron là 50% ở nhiệt độ tuyệt đối T (0 K))
B. The maximum energy an electron can possess (Năng lượng tối đa mà một electron có thể sở hữu)
C. The energy at which an electron can no longer escape from the solid (Năng lượng mà tại đó electron không còn có thể thoát ra khỏi chất rắn)
D. The energy at which the electron density is highest (Năng lượng mà tại đó mật độ electron là cao nhất)
What defines a uniform electric field? (Điều gì định nghĩa một điện trường đều?)
A. Electric field lines are parallel and equidistant. (Các đường sức điện song song và cách đều nhau)
B. The magnitude of the electric field varies at different points. (Độ lớn của điện trường thay đổi tại các điểm khác nhau)
C. Electric field lines converge at a single point. (Các đường sức điện hội tụ tại một điểm duy nhất)
D. Electric field lines form closed loops. (Các đường sức điện tạo thành các vòng khép kín)
What is the definition of capacitance? (Định nghĩa của điện dung là gì?)
A. The amount of charge a conductor can hold. (Lượng điện tích mà một vật dẫn có thể giữ)
B. The ability of a system to store charge per unit potential difference. (Khả năng của một hệ thống lưu trữ điện tích trên mỗi đơn vị hiệu điện thế)
C. The total electric field around a conductor. (Tổng điện trường xung quanh một vật dẫn)
D. The potential energy of a charged conductor. (Năng lượng tiềm năng của một vật dẫn tích điện)
Which of the following is a characteristic of a body-centered cubic (BCC) structure? (Đặc điểm nào sau đây là của cấu trúc lập phương tâm khối (BCC)?)
A. Atoms are only at the corners of the unit cell. (Các nguyên tử chỉ ở các góc của ô cơ sở)
B. Atoms are at the corners and the center of the unit cell. (Các nguyên tử ở các góc và ở tâm của ô cơ sở)
C. Atoms are at the corners and the faces of the unit cell. (Các nguyên tử ở các góc và ở tâm các mặt của ô cơ sở)
D. Atoms are arranged randomly. (Các nguyên tử được sắp xếp ngẫu nhiên)
Which of the following best describes the relationship between conductivity and resistivity? (Điều nào sau đây mô tả đúng nhất mối quan hệ giữa độ dẫn điện và điện trở suất?)
A. Conductivity is the inverse of resistivity (Độ dẫn điện là nghịch đảo của điện trở suất)
B. Conductivity is directly proportional to resistivity (Độ dẫn điện tỷ lệ thuận với điện trở suất)
C. Conductivity and resistivity are unrelated (Độ dẫn điện và điện trở suất không liên quan)
D. Conductivity is the square of resistivity (Độ dẫn điện là bình phương của điện trở suất)
Which of the following factors affects the capacitance of a capacitor? (Yếu tố nào sau đây ảnh hưởng đến điện dung của tụ điện?)
A. Voltage across the capacitor (Điện áp trên tụ điện)
B. Charge stored on the plates (Điện tích được lưu trữ trên các bản tụ)
C. Area of the plates and the distance between them (Diện tích của các bản tụ và khoảng cách giữa chúng)
D. The electric current flowing through it (Dòng điện chạy qua nó)
When two opposite charges are placed near each other, they will: (Khi hai điện tích trái dấu được đặt gần nhau, chúng sẽ:)
A. Repel each other (Đẩy nhau)
B. Attract each other (Hút nhau)
C. Experience no force (Không chịu lực tác dụng)
D. Generate an electric current (Tạo ra dòng điện)
Which of the following factors directly contributes to the decrease in mobility of charge carriers as the temperature increases in a semiconductor? (Yếu tố nào sau đây góp phần trực tiếp làm giảm độ linh động của các hạt tải điện khi nhiệt độ tăng trong chất bán dẫn?)
A. Increased scattering of charge carriers due to lattice vibrations (Sự tán xạ của các hạt tải điện tăng do dao động mạng)
B. Decreased carrier concentration (Nồng độ hạt tải giảm)
C. Increased diffusion of charge carriers (Sự khuếch tán của các hạt tải điện tăng)
D. Decreased thermal energy of the system (Năng lượng nhiệt của hệ thống giảm)
How does the mobility of ions in a solution affect the conductivity of the solution? (Độ linh động của các ion trong dung dịch ảnh hưởng đến độ dẫn điện của dung dịch như thế nào?)
A. Higher mobility leads to lower conductivity (Độ linh động cao hơn dẫn đến độ dẫn điện thấp hơn)
B. Higher mobility leads to higher conductivity (Độ linh động cao hơn dẫn đến độ dẫn điện cao hơn)
C. Mobility does not affect conductivity (Độ linh động không ảnh hưởng đến độ dẫn điện)
D. Mobility and conductivity are inversely related (Độ linh động và độ dẫn điện có quan hệ tỷ lệ nghịch)
Which of the following is the primary function of CMOS logic gates? (Chức năng chính của cổng logic CMOS là gì?)
A. To amplify analog signals (Để khuếch đại tín hiệu tương tự)
B. To perform mathematical operations (Để thực hiện các phép toán)
C. To perform logical operations with low power consumption (Để thực hiện các phép toán logic với mức tiêu thụ điện năng thấp)
D. To store data in memory (Để lưu trữ dữ liệu trong bộ nhớ)
Which of the following describes Read-Only Memory (ROM)? (Điều nào sau đây mô tả Bộ nhớ chỉ đọc (ROM)?)
A. A type of volatile memory that loses data when power is turned off (Một loại bộ nhớ dễ bay hơi, mất dữ liệu khi tắt nguồn)
B. A non-volatile memory that retains data even when power is lost (Một bộ nhớ không bay hơi, giữ lại dữ liệu ngay cả khi mất điện)
C. A memory used only for temporary storage of active data (Bộ nhớ chỉ dùng để lưu trữ tạm thời dữ liệu đang hoạt động)
D. A memory used for storing frequently accessed data (Bộ nhớ dùng để lưu trữ dữ liệu được truy cập thường xuyên)
Which of the following is a characteristic of Flash Memory? (Đặc điểm nào sau đây là của Bộ nhớ Flash?)
A. It is volatile, meaning it loses data when power is turned off (Nó dễ bay hơi, nghĩa là nó mất dữ liệu khi tắt nguồn)
B. It is a form of non-volatile memory, which retains data even when power is lost (Nó là một dạng bộ nhớ không bay hơi, giữ lại dữ liệu ngay cả khi mất điện)
C. Flash memory requires constant power to maintain data (Bộ nhớ flash cần nguồn điện liên tục để duy trì dữ liệu)
D. It stores data by using magnetic fields instead of electrical charge (Nó lưu trữ dữ liệu bằng cách sử dụng từ trường thay vì điện tích)
Which of the following is an advantage of Integrated Circuits (ICs) over discrete circuits? (Điều nào sau đây là một ưu điểm của Mạch tích hợp (IC) so với mạch rời rạc?)
A. More reliable than discrete circuits (Đáng tin cậy hơn mạch rời rạc)
B. Require more soldering joints (Yêu cầu nhiều mối hàn hơn)
C. Heavier and larger in size (Nặng hơn và lớn hơn về kích thước)
D. Cannot operate in harsh environments (Không thể hoạt động trong môi trường khắc nghiệt)
Which type of transition is responsible for optical absorption in semiconductors? (Loại chuyển tiếp nào chịu trách nhiệm cho sự hấp thụ quang học trong chất bán dẫn?)
A. Magnetic transition (Chuyển tiếp từ)
B. Optical transition (Chuyển tiếp quang)
C. Electronic transition between the valence band and conduction band (Chuyển tiếp điện tử giữa vùng hóa trị và vùng dẫn)
D. Vibrational transition (Chuyển tiếp dao động)
Which of the following is a characteristic of a body-centered cubic (BCC) structure? (Đặc điểm nào sau đây là của cấu trúc lập phương tâm khối (BCC)?)
A. Atoms are only at the corners of the unit cell. (Các nguyên tử chỉ ở các góc của ô cơ sở)
B. Atoms are at the corners and the center of the unit cell. (Các nguyên tử ở các góc và ở tâm của ô cơ sở)
C. Atoms are at the corners and the faces of the unit cell. (Các nguyên tử ở các góc và ở tâm các mặt của ô cơ sở)
D. Atoms are arranged randomly. (Các nguyên tử được sắp xếp ngẫu nhiên)
A spherical Gaussian surface encloses a charge q. If the radius of the Gaussian surface is doubled, how does the electric flux through the surface change? (Một mặt Gaussian hình cầu bao bọc một điện tích q. Nếu bán kính của mặt Gaussian tăng gấp đôi, thông lượng điện qua mặt thay đổi như thế nào?)
A. It doubles (Tăng gấp đôi)
B. It halves (Giảm một nửa)
C. It becomes four times larger (Tăng gấp bốn lần)
D. It remains unchanged (Không thay đổi)
A charged conductor in electrostatic equilibrium has: (Một vật dẫn tích điện ở trạng thái cân bằng tĩnh điện có:)
A. Electric field lines passing through it (Các đường sức điện đi qua nó)
B. No electric field inside the conductor (Không có điện trường bên trong vật dẫn)
C. A non-zero charge density inside the conductor (Mật độ điện tích khác không bên trong vật dẫn)
D. Electric field proportional to the distance from the center. (Điện trường tỷ lệ với khoảng cách từ tâm)
Kirchhoff's Voltage Law (KVL) states that: (Định luật Kirchhoff về điện áp (KVL) phát biểu rằng:)
A. The total resistance in a circuit is constant. (Tổng điện trở trong một mạch là không đổi)
B. The sum of all voltages around a closed loop is zero. (Tổng tất cả các điện áp xung quanh một vòng kín bằng không)
C. Voltage and current are inversely proportional. (Điện áp và dòng điện tỷ lệ nghịch)
D. Power is conserved in a circuit. (Công suất được bảo toàn trong một mạch)
According to the right-hand rule for the magnetic field produced by current: wrap the fingers around wire with the thumb pointing in direction of current, what statement is correct? (Theo quy tắc bàn tay phải đối với từ trường do dòng điện sinh ra: nắm bàn tay quanh dây với ngón tay cái chỉ theo chiều dòng điện, phát biểu nào sau đây là đúng?)
A. The fingers point in direction of magnetic field. (Các ngón tay chỉ theo chiều của từ trường)
B. The fingers point in direction of magnetic force. (Các ngón tay chỉ theo chiều của lực từ)
C. The fingers point in direction of motion of the current-carrying wire. (Các ngón tay chỉ theo chiều chuyển động của dây dẫn mang dòng điện)
D. None of the above (Không có câu nào đúng)
The self-inductance of a solenoid depends on: (Độ tự cảm của một ống dây solenoid phụ thuộc vào:)
A. The material of the core. (Vật liệu của lõi)
B. Length of the solenoid. (Chiều dài của ống dây)
C. The number of turns in the solenoid. (Số vòng dây trong ống dây)
D. All. (Tất cả)
The carrier concentration of a semiconductor increases as the temperature (Nồng độ hạt tải điện của chất bán dẫn tăng khi nhiệt độ)
A. Decreases (Giảm)
B. Increases (Tăng)
C. Stays the same (Không đổi)
D. Becomes constant (Trở nên không đổi)
Electroluminescence refers to: (Điện phát quang là:)
A. Emission of light from a chemical reaction (Sự phát sáng từ một phản ứng hóa học)
B. Emission of light when a material is heated (Sự phát sáng khi vật liệu bị nung nóng)
C. Emission of light from radioactive decay (Sự phát sáng từ sự phân rã phóng xạ)
D. Emission of light when an electric current is passed through a material (Sự phát sáng khi có dòng điện chạy qua vật liệu)
How does doping a semiconductor with donor atoms (N-type doping) affect the Fermi level? (Việc pha tạp chất bán dẫn bằng các nguyên tử donor (pha tạp loại N) ảnh hưởng đến mức Fermi như thế nào?)
A. It lowers the Fermi level (Nó làm giảm mức Fermi)
B. It raises the Fermi level (Nó làm tăng mức Fermi)
C. It keeps the Fermi level unchanged (Nó giữ nguyên mức Fermi)
D. It moves the Fermi level to the middle of the band gap (Nó di chuyển mức Fermi đến giữa vùng cấm)
For a p-type semiconductor, an Ohmic contact is formed when: (Đối với chất bán dẫn loại p, một tiếp xúc Ohmic được hình thành khi:)
A. The work function of the metal is larger than the work function of the semiconductor. (Công thoát của kim loại lớn hơn công thoát của chất bán dẫn)
B. The work function of the metal is smaller than the work function of the semiconductor. (Công thoát của kim loại nhỏ hơn công thoát của chất bán dẫn)
C. The work function of the metal is equal to the work function of the semiconductor. (Công thoát của kim loại bằng công thoát của chất bán dẫn)
D. The doping concentration in the semiconductor is very low. (Nồng độ pha tạp trong chất bán dẫn rất thấp)
The threshold voltage (V_th) of a MOSFET is: (Điện áp ngưỡng (V_th) của MOSFET là:)
A. The voltage at which the MOSFET turns off. (Điện áp mà tại đó MOSFET tắt)
B. The voltage at which V_DS becomes zero. (Điện áp mà tại đó V_DS bằng không)
C. The maximum drain-source voltage (V_DS) the MOSFET can handle. (Điện áp drain-source (V_DS) tối đa mà MOSFET có thể chịu được)
D. The minimum gate-source voltage (V_GS) required to create a conducting channel between the source and drain. (Điện áp gate-source (V_GS) tối thiểu cần thiết để tạo ra một kênh dẫn điện giữa cực nguồn và cực máng)
In which direction does the magnetic field line around a bar magnet travel outside the magnet?
A. From north to south (Từ bắc đến nam)
B. From south to north (Từ nam đến bắc)
C. Randomly (Ngẫu nhiên)
D. Always perpendicular to the magnet (Luôn vuông góc với nam châm)
If the resistance of a resistor is doubled, what happens to the current when the voltage remains constant?
A. The current is doubled (Dòng điện tăng gấp đôi)
B. The current is halved (Dòng điện giảm một nửa)
C. The current remains the same (Dòng điện không đổi)
D. The current is quadrupled (Dòng điện tăng gấp bốn)
In a semiconductor, the hole is considered to have what kind of charge?
A. Negative charge (Điện tích âm)
B. Positive charge (Điện tích dương)
C. Neutral charge (Trung hòa)
D. Variable charge depending on the material (Điện tích thay đổi tùy thuộc vào vật liệu)
In a semiconductor, what is the role of the valence band?
A. It contains electrons that are free to move and conduct electricity. (Nó chứa các electron tự do di chuyển và dẫn điện)
B. It is the highest energy band that is completely empty at absolute zero temperature. (Nó là vùng năng lượng cao nhất hoàn toàn trống ở nhiệt độ 0 K)
C. It is the band where electrons are bound to atoms but can jump to the conduction band when energy is supplied. (Nó là vùng mà các electron liên kết với nguyên tử nhưng có thể nhảy lên vùng dẫn khi được cung cấp năng lượng)
D. It lies above the conduction band and is responsible for electrical conductivity. (Nó nằm trên vùng dẫn và chịu trách nhiệm về độ dẫn điện)
In non-equilibrium conditions, the quasi-Fermi level for electrons and holes:
A. Is the same for both electrons and holes (Giống nhau cho cả electron và lỗ trống)
B. Can be different for electrons and holes (Có thể khác nhau cho electron và lỗ trống)
C. Does not exist (Không tồn tại)
D. Is always located at the Fermi level (Luôn nằm ở mức Fermi)
In a MOSFET, the gate is used to:
A. Control the current flow between the source and drain by creating an electric field. (Kiểm soát dòng điện giữa cực nguồn và cực máng bằng cách tạo ra một điện trường)
B. Provide a physical connection between the source and drain. (Cung cấp một kết nối vật lý giữa cực nguồn và cực máng)
C. Control the drain current by applying a bias voltage to the source. (Kiểm soát dòng điện máng bằng cách áp một điện áp phân cực vào cực nguồn)
D. Increase the current flow by decreasing the resistance between the source and drain. (Tăng dòng điện bằng cách giảm điện trở giữa cực nguồn và cực máng)
In a MOSFET, when the gate-source voltage (V_GS) exceeds the threshold voltage (V_th), the MOSFET:
A. Is in the cut-off region, and no current flows. (Ở vùng ngắt, và không có dòng điện)
B. Turns on, allowing current to flow from drain to source. (Bật, cho phép dòng điện chạy từ máng đến nguồn)
C. Is in the saturation region, and the current is independent of V_DS. (Ở vùng bão hòa, và dòng điện không phụ thuộc vào V_DS)
D. Operates as a diode and allows reverse current flow. (Hoạt động như một diode và cho phép dòng điện ngược)
In an ideal MOS capacitor, what is the role of the oxide layer?
A. It acts as a resistor to limit current flow. (Nó hoạt động như một điện trở để hạn chế dòng điện)
B. It forms the insulating barrier between the metal and semiconductor. (Nó tạo thành hàng rào cách điện giữa kim loại và chất bán dẫn)
C. It amplifies the voltage applied across the capacitor. (Nó khuếch đại điện áp đặt vào tụ điện)
D. It serves as a conductor for electrical signals. (Nó phục vụ như một dây dẫn cho các tín hiệu điện)
In the fabrication of a MOSFET, which of the following processes is used to create the gate oxide layer?
A. Ion implantation (Cấy ion)
B. Thermal oxidation (Oxy hóa nhiệt)
C. Chemical vapor deposition (CVD) (Lắng đọng hóa học pha hơi)
D. Etching (Ăn mòn)
In a Schottky contact, the depletion region is typically:
A. Very wide, causing a significant voltage drop. (Rất rộng, gây sụt áp đáng kể)
B. Narrow compared to p-n junctions. (Hẹp so với tiếp giáp p-n)
C. Nonexistent in the reverse bias condition. (Không tồn tại trong điều kiện phân cực ngược)
D. Zero under all biasing conditions. (Bằng không trong mọi điều kiện phân cực)
In a doped semiconductor, the Fermi level moves closer to the conduction band for: (Trong một chất bán dẫn được pha tạp, mức Fermi di chuyển đến gần vùng dẫn hơn đối với:)
A. N-type doping (Pha tạp loại N)
B. P-type doping (Pha tạp loại P)
C. Intrinsic semiconductor (Chất bán dẫn nội tại)
D. Both N-type and P-type (Cả loại N và loại P)
Two resistors, R1 and R2, are connected in parallel. The equivalent Resistance is given by: (Hai điện trở, R1 và R2, được mắc song song. Điện trở tương đương được cho bởi:)
A. The equivalent resistance is the sum of the resistances. (Điện trở tương đương là tổng các điện trở)
B. The equivalent resistance is the sum of the reciprocals of the resistances. (Điện trở tương đương là tổng các nghịch đảo của các điện trở)
C. The equivalent resistance is the product of the resistances. (Điện trở tương đương là tích của các điện trở)
D. The equivalent resistance is the reciprocal of the sum of the reciprocals of the resistances. (Điện trở tương đương là nghịch đảo của tổng các nghịch đảo của các điện trở)
According to the right-hand rule, how do you determine the direction of the force on a moving positive charge in a magnetic field? (Theo quy tắc bàn tay phải, làm thế nào để bạn xác định hướng của lực tác dụng lên một điện tích dương đang chuyển động trong một từ trường?)
A. Point your fingers in the direction of the magnetic field, curl your fingers in the direction of velocity, and your thumb points to the force. (Đặt các ngón tay theo hướng từ trường, xoay các ngón tay theo hướng vận tốc, và ngón tay cái chỉ lực)
B. Point your fingers in the direction of velocity, curl your fingers in the direction of the magnetic field, and your thumb points to the force. (Đặt các ngón tay theo hướng vận tốc, xoay các ngón tay theo hướng từ trường, và ngón tay cái chỉ lực)
C. Point your fingers in the direction of velocity, and your thumb points in the direction of the magnetic field. (Đặt các ngón tay theo hướng vận tốc, và ngón tay cái chỉ hướng từ trường)
D. Point your fingers in the direction of the force, and your thumb points in the direction of velocity. (Đặt các ngón tay theo hướng lực, và ngón tay cái chỉ hướng vận tốc)
What is ionization energy? (Năng lượng ion hóa là gì?)
A. The maximum energy needed to remove an electron from an atom of the element. (Năng lượng tối đa cần thiết để loại bỏ một electron khỏi một nguyên tử của nguyên tố)
B. The minimum energy needed to remove an electron from an atom of the element. (Năng lượng tối thiểu cần thiết để loại bỏ một electron khỏi một nguyên tử của nguyên tố)
C. The minimum energy needed to add an electron to an atom of the element. (Năng lượng tối thiểu cần thiết để thêm một electron vào một nguyên tử của nguyên tố)
D. The maximum energy needed to add an electron to an atom of the element. (Năng lượng tối đa cần thiết để thêm một electron vào một nguyên tử của nguyên tố)
What is the primary difference between fluorescence and phosphorescence? (Sự khác biệt chính giữa huỳnh quang và lân quang là gì?)
A. Fluorescence occurs over a longer period of time, while phosphorescence occurs quickly. (Huỳnh quang xảy ra trong một thời gian dài, trong khi lân quang xảy ra nhanh chóng)
B. Fluorescence occurs at higher temperatures, while phosphorescence occurs at lower temperatures. (Huỳnh quang xảy ra ở nhiệt độ cao hơn, trong khi lân quang xảy ra ở nhiệt độ thấp hơn)
C. Fluorescence involves the emission of ultraviolet light, while phosphorescence involves visible light. (Huỳnh quang liên quan đến sự phát ra tia cực tím, trong khi lân quang liên quan đến ánh sáng nhìn thấy)
D. Fluorescence involves a fast emission of light, while phosphorescence involves a delayed emission. (Huỳnh quang liên quan đến sự phát sáng nhanh, trong khi lân quang liên quan đến sự phát sáng chậm)
What is anti-bonding orbital of the composite two-electron wavefunctions? (Orbital phản liên kết của hàm sóng hai electron tổng hợp là gì?)
A. The even combination of the individual atomic orbital. (Sự kết hợp chẵn của orbital nguyên tử riêng lẻ)
B. The even and symmetric combination of the individual atomic orbital. (Sự kết hợp chẵn và đối xứng của orbital nguyên tử riêng lẻ)
C. The symmetric combination of the individual atomic orbital. (Sự kết hợp đối xứng của orbital nguyên tử riêng lẻ)
D. The odd or antisymmetric combination of the individual atomic orbital. (Sự kết hợp lẻ hoặc bất đối xứng của orbital nguyên tử riêng lẻ)
Which of the following statements correctly describes the behavior of charge carriers in semiconductors? (Phát biểu nào sau đây mô tả đúng hành vi của các hạt tải điện trong chất bán dẫn?)
A. Point your fingers in the direction of the magnetic field, curl your fingers in the direction of velocity, and your thumb points to the force. (Đặt các ngón tay theo hướng từ trường, xoay các ngón tay theo hướng vận tốc, và ngón tay cái chỉ lực)
B. Point your fingers in the direction of velocity, curl your fingers in the direction of the magnetic field, and your thumb points to the force. (Đặt các ngón tay theo hướng vận tốc, xoay các ngón tay theo hướng từ trường, và ngón tay cái chỉ lực)
C. Point your fingers in the direction of velocity, and your thumb points in the direction of the magnetic field. (Đặt các ngón tay theo hướng vận tốc, và ngón tay cái chỉ hướng từ trường)
D. Point your fingers in the direction of the force, and your thumb points in the direction of velocity. (Đặt các ngón tay theo hướng lực, và ngón tay cái chỉ hướng vận tốc)
What is ionization energy? (Năng lượng ion hóa là gì?)
A. The maximum energy needed to remove an electron from an atom of the element. (Năng lượng tối đa cần thiết để loại bỏ một electron khỏi một nguyên tử của nguyên tố)
B. The minimum energy needed to remove an electron from an atom of the element. (Năng lượng tối thiểu cần thiết để loại bỏ một electron khỏi một nguyên tử của nguyên tố)
C. The minimum energy needed to add an electron to an atom of the element. (Năng lượng tối thiểu cần thiết để thêm một electron vào một nguyên tử của nguyên tố)
D. The maximum energy needed to add an electron to an atom of the element. (Năng lượng tối đa cần thiết để thêm một electron vào một nguyên tử của nguyên tố)
What is the primary difference between fluorescence and phosphorescence? (Sự khác biệt chính giữa huỳnh quang và lân quang là gì?)
A. Fluorescence occurs over a longer period of time, while phosphorescence occurs quickly. (Huỳnh quang xảy ra trong một thời gian dài, trong khi lân quang xảy ra nhanh chóng)
B. Fluorescence occurs at higher temperatures, while phosphorescence occurs at lower temperatures. (Huỳnh quang xảy ra ở nhiệt độ cao hơn, trong khi lân quang xảy ra ở nhiệt độ thấp hơn)
C. Fluorescence involves the emission of ultraviolet light, while phosphorescence involves visible light. (Huỳnh quang liên quan đến sự phát ra tia cực tím, trong khi lân quang liên quan đến ánh sáng nhìn thấy)
D. Fluorescence involves a fast emission of light, while phosphorescence involves a delayed emission. (Huỳnh quang liên quan đến sự phát sáng nhanh, trong khi lân quang liên quan đến sự phát sáng chậm)
What is anti-bonding orbital of the composite two-electron wavefunctions? (Orbital phản liên kết của hàm sóng hai electron tổng hợp là gì?)
A. The even combination of the individual atomic orbital. (Sự kết hợp chẵn của orbital nguyên tử riêng lẻ)
B. The even and symmetric combination of the individual atomic orbital. (Sự kết hợp chẵn và đối xứng của orbital nguyên tử riêng lẻ)
C. The symmetric combination of the individual atomic orbital. (Sự kết hợp đối xứng của orbital nguyên tử riêng lẻ)
D. The odd or antisymmetric combination of the individual atomic orbital. (Sự kết hợp lẻ hoặc bất đối xứng của orbital nguyên tử riêng lẻ)
Which of the following statements correctly describes the behavior of charge carriers in semiconductors? (Phát biểu nào sau đây mô tả đúng hành vi của các hạt tải điện trong chất bán dẫn?)
A. Drift current is caused by the movement of charge carriers due to an electric field, while diffusion current is caused by the movement due to a concentration gradient. (Dòng trôi là do sự di chuyển của các hạt tải điện dưới tác dụng của điện trường, trong khi dòng khuếch tán là do sự di chuyển do chênh lệch nồng độ)
B. Drift current results from a concentration gradient, while diffusion current is caused by the applied electric field. (Dòng trôi là kết quả của chênh lệch nồng độ, trong khi dòng khuếch tán là do điện trường tác dụng)
C. Both drift and diffusion currents require a temperature difference to occur. (Cả dòng trôi và dòng khuếch tán đều cần có sự chênh lệch nhiệt độ để xảy ra)
D. Drift current is independent of the electric field, while diffusion current does not depend on the concentration gradient. (Dòng trôi không phụ thuộc vào điện trường, trong khi dòng khuếch tán không phụ thuộc vào chênh lệch nồng độ)
How does recombination affect the carrier distribution in a semiconductor? (Sự tái hợp ảnh hưởng đến sự phân bố hạt tải điện trong chất bán dẫn như thế nào?)
A. Recombination increases the uniformity of carrier distribution. (Sự tái hợp làm tăng tính đồng nhất của phân bố hạt tải)
B. Recombination causes a decrease in the number of free carriers, leading to non-uniform carrier distribution. (Sự tái hợp làm giảm số lượng hạt tải tự do, dẫn đến phân bố hạt tải không đồng đều)
C. Recombination has no impact on the carrier distribution. (Sự tái hợp không ảnh hưởng đến phân bố hạt tải)
D. Recombination results in a higher carrier concentration at the edges of the semiconductor. (Sự tái hợp dẫn đến nồng độ hạt tải cao hơn ở các cạnh của chất bán dẫn)
For a p-type semiconductor, an Ohmic contact is formed when: (Đối với chất bán dẫn loại p, một tiếp xúc Ohmic được hình thành khi:)
A. The work function of the metal is larger than the work function of the semiconductor. (Công thoát của kim loại lớn hơn công thoát của chất bán dẫn)
B. The work function of the metal is smaller than the work function of the semiconductor. (Công thoát của kim loại nhỏ hơn công thoát của chất bán dẫn)
C. The work function of the metal is equal to the work function of the semiconductor. (Công thoát của kim loại bằng công thoát của chất bán dẫn)
D. The doping concentration in the semiconductor is very low. (Nồng độ pha tạp trong chất bán dẫn rất thấp)
Which of the following best describes the Pauli Exclusion Principle? (Điều nào sau đây mô tả đúng nhất Nguyên lý loại trừ Pauli?)
A. Electrons in an atom can occupy any energy level without restriction. (Các electron trong một nguyên tử có thể chiếm bất kỳ mức năng lượng nào mà không bị hạn chế)
B. No two electrons in an atom can have the same set of four quantum numbers. (Không có hai electron nào trong một nguyên tử có thể có cùng một bộ bốn số lượng tử)
C. Electrons always fill the highest energy orbitals first. (Các electron luôn lấp đầy các orbital năng lượng cao nhất trước tiên)
D. Electrons in the same orbital must have the same spin. (Các electron trong cùng một orbital phải có cùng spin)
Which of the following is NOT a common type of transistor configuration? (Cấu hình nào sau đây KHÔNG phải là một kiểu cấu hình transistor phổ biến?)
A. Common base (CB) (Cực B chung)
B. Common emitter (CE) (Cực E chung)
C. Common collector (CC) (Cực C chung)
D. Common gate (CG) (Cực G chung)
Which of the following is NOT correct? (Phát biểu nào sau đây KHÔNG đúng?)
A. Holes are generally found at the top of the valence band (Lỗ trống thường được tìm thấy ở đỉnh vùng hóa trị)
B. Conduction band electrons are generally found at the bottom of the conduction band (Electron vùng dẫn thường được tìm thấy ở đáy vùng dẫn)
C. The current flow in a semiconductor is caused by the motion of holes and conduction band electrons (Dòng điện trong chất bán dẫn được gây ra bởi chuyển động của lỗ trống và electron vùng dẫn)
D. The current flow in a semiconductor is caused by the motion of free electrons (Dòng điện trong chất bán dẫn được gây ra bởi chuyển động của các electron tự do)
What element is not a single-element semiconductor? (Nguyên tố nào không phải là chất bán dẫn đơn nguyên tố?)
A. Si
B. Ge
C. As
D. Al
Which of the following is NOT a factor that affects the optical absorption of a material? (Yếu tố nào sau đây KHÔNG phải là yếu tố ảnh hưởng đến sự hấp thụ quang học của vật liệu?)
A. The wavelength of the incident light (Bước sóng của ánh sáng tới)
B. The energy band gap of the material (Vùng cấm năng lượng của vật liệu)
C. The temperature of the material (Nhiệt độ của vật liệu)
D. The thickness of the material (Độ dày của vật liệu)
