wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Hóa nano tổng hợp từ trên xuống

Total questions: 100

Worksheet time: 50mins

Name
Class
Date
1.

Nguyên lý chính của nghiền cơ học là:

a)

Phản ứng hóa học

b)

Va đập, ép nén và mài mòn

c)

Sóng siêu âm

d)

Từ trường

2.

Kích thước hạt nano thường thu được:

a)

1–100 µm

b)

1–100 nm

c)

>1 mm

d)

>100 µm

3.

Quá trình nghiền cơ học diễn ra theo thứ tự:

a)

Bay hơi – ngưng tụ – kết tinh

b)

Đập vỡ – biến dạng dẻo – nứt vỡ – cân bằng

c)

Hấp phụ – giải hấp – tái kết tụ

d)

Kết tinh – oxy hóa – hợp kim hóa

4.

Máy nghiền hiệu quả nhất để tạo hạt vài nm:

a)

Ball mill

b)

Planetary ball mill

c)

Mortar mill

d)

Hammer mill

5.

Vai trò của khí trơ (Ar, N₂):

a)

Tăng tốc độ quay

b)

Ngăn oxy hóa vật liệu nhạy

c)

Tăng nhiệt độ

d)

Giảm năng lượng va đập

6.

Dùng bi gốm thay bi thép để:

a)

Làm hạt nhỏ hơn

b)

Tránh nhiễm Fe

c)

Giảm chi phí

d)

Tăng nhiệt độ

7.

Tác dụng của chất trợ nghiền:

a)

Gây kết tụ

b)

Giúp phân tán, giảm dính kết

c)

Giảm năng lượng va chạm

d)

Làm tăng kích thước hạt

8.

Ưu điểm nổi bật của nghiền cơ học:

a)

Thiết bị đơn giản, dễ mở rộng

b)

Không gây nhiễm tạp

c)

Tạo kích thước đồng đều tuyệt đối

d)

Không sinh nhiệt

9.

Nhược điểm chính:

a)

Không tạo hạt nano

b)

Dễ nhiễm tạp và không đồng đều

c)

Không mở rộng quy mô

d)

Chỉ áp dụng cho polymer

10.

Ứng dụng trong pin Li-ion:

a)

Sol–gel

b)

Nghiền cơ học tạo nano Si từ Si khối

c)

Phun phủ

d)

CVD

11.

Khi tỉ lệ bi/vật liệu tăng:

a)

Hiệu quả giảm

b)

Hiệu quả tăng

c)

Không đổi

d)

Gây kết tụ

12.

Nghiền quá lâu dẫn đến:

a)

Kết tụ và nhiễm bẩn

b)

Hạt đồng đều hơn

c)

Nano <1 nm

d)

Không thay đổi

13.

Vật liệu không thích hợp để nghiền cơ học:

a)

Gốm

b)

Kim loại

c)

Dễ phân hủy hoặc mềm

d)

Hợp kim

14.

Ứng dụng trong y sinh:

a)

Nano hydroxyapatite cho cấy ghép xương

b)

CNT

c)

Graphene

d)

OLED

15.

Phản ứng xảy ra trong nghiền gọi là:

a)

Hydrothermal

b)

Cơ–hóa (mechanochemical)

c)

Sol–gel

d)

CVD

16.

Ưu điểm trong vật liệu composite:

a)

Không cần chất kết dính

b)

Dễ tạo hỗn hợp nano–matrix

c)

Không cần nhiệt độ

d)

Không cần áp suất

17.

Nghiền cơ học thuộc nhóm phương pháp:

a)

Top-down

b)

Bottom-up

c)

Hybrid

d)

In-situ

18.

Composite Al–Al₂O₃ nano có thể tổng hợp bằng:

a)

Nghiền cơ học

b)

Sol–gel

c)

Lắng đọng hơi

d)

Tự lắp ráp

19.

Hạt nano dễ kết tụ vì:

a)

Năng lượng bề mặt cao

b)

Nhiệt độ thấp

c)

Không có lực hút

d)

Không có lực bề mặt

20.

Hiệu suất nghiền phụ thuộc nhiều vào:

a)

Nhiệt độ phòng

b)

Tốc độ quay, thời gian, tỉ lệ bi

c)

Màu vật liệu

d)

Độ dẫn điện

21.

Cơ chế chính:

a)

Từ trường cao

b)

Trường điện cao áp kéo dung dịch polymer thành sợi

c)

Bay hơi hóa học

d)

Phản ứng nhiệt

22.

Đường kính sợi thường đạt:

a)

1–10 μm

b)

10–500 nm

c)

>1 mm

d)

>100 μm

23.

Hình nón dung dịch tại đầu kim gọi là:

a)

Nón Faraday

b)

Nón Taylor

c)

Nón Kelvin

d)

Nón Pascal

24.

Dung dịch polymer phun ra dưới dạng:

a)

Giọt

b)

Tia mảnh (jet)

c)

Bong bóng

d)

Hơi nước

25.

Thông số ảnh hưởng trực tiếp:

a)

Màu polymer

b)

Nồng độ, điện áp, khoảng cách kim–collector

c)

Nhiệt độ môi trường

d)

Loại khí

26.

Khi điện áp quá thấp:

a)

Không phun được sợi

b)

Sợi nhỏ hơn

c)

Sợi rỗng

d)

Polymer kết tủa

27.

Tăng điện áp sẽ:

a)

Làm sợi mảnh hơn

b)

Làm sợi dày hơn

c)

Không ảnh hưởng

d)

Ngừng phun

28.

Coaxial electrospinning tạo:

a)

Sợi đặc

b)

Sợi lõi–vỏ

c)

Sợi rỗng

d)

Sợi phân nhánh

29.

Melt electrospinning sử dụng loại polymer nào?

a)

Polymer nóng chảy

b)

Polymer pha khí

c)

Polymer đông lạnh

d)

Polymer rắn

30.

Electroblowing kết hợp những yếu tố nào?

a)

Điện trường + gió thổi

b)

Plasma + từ trường

c)

Laser + nhiệt

d)

Hóa học + cơ học

31.

Ưu điểm chính của electroblowing là gì?

a)

Tạo sợi siêu mảnh, diện tích bề mặt lớn

b)

Không cần điện áp

c)

Không cần dung môi

d)

Không cần polymer

32.

Nhược điểm chính của electroblowing là gì?

a)

Chỉ dùng với kim loại

b)

Cần polymer hòa tan và dẫn điện được

c)

Không tạo sợi dài

d)

Không ổn định

33.

Dung môi phổ biến cho PVA là gì?

a)

DMF

b)

Nước, ethanol

c)

Chloroform

d)

Axit acetic

34.

Dung môi phổ biến cho PAN là gì?

a)

DMF, DMSO

b)

Nước

c)

HCl

d)

Acetone

35.

Dung môi cho PCL là gì?

a)

Chloroform + acetone

b)

Nước

c)

Axit acetic

d)

DMF

36.

Khi nồng độ polymer quá cao, hiện tượng nào xảy ra?

a)

Không phun được sợi

b)

Sợi mảnh hơn

c)

Bay hơi nhanh

d)

Sợi gãy

37.

Khoảng cách kim–collector quá ngắn gây ra hiện tượng gì?

a)

Sợi không khô, bị dính

b)

Sợi rỗng

c)

Bề mặt xốp

d)

Sợi gãy

38.

Ứng dụng nào sau đây thuộc lĩnh vực y sinh?

a)

Băng vết thương, màng dẫn thuốc

b)

OLED

c)

Fullerene

d)

CNT

39.

Ứng dụng nào sau đây thuộc lĩnh vực năng lượng?

a)

Sợi TiO₂, CNT cho điện cực pin

b)

Graphene

c)

OLED

d)

Fullerene

40.

Trong xử lý nước, vật liệu nào sau đây được ứng dụng?

a)

Màng lọc nano

b)

Hạt hấp phụ

c)

Lõi từ

d)

Chất xúc tác

41.

Lithography là kỹ thuật dựa trên nguyên lý gì?

a)

Bay hơi nhiệt

b)

Ăn mòn và khắc mẫu bằng chùm bức xạ

c)

Kết tủa hóa học

d)

Hòa tan dung môi

42.

Lithography thường được sử dụng trong chế tạo gì?

a)

Vật liệu composite

b)

Vi mạch bán dẫn, vi điện tử

c)

Bê tông nano

d)

Vật liệu gốm

43.

Loại quang khắc phổ biến nhất hiện nay trong công nghiệp bán dẫn là gì?

a)

Photolithography

b)

Electron-beam lithography (EBL)

c)

Nanoimprint lithography

d)

Soft lithography

44.

Photolithography sử dụng nguồn bức xạ nào?

a)

Tia UV

b)

Tia X

c)

Electron

d)

Ion

45.

Vật liệu chính phủ trên bề mặt nền trong lithography gọi là gì?

a)

Mask

b)

Photoresist

c)

Substrate

d)

Layer

46.

Photoresist dương (positive resist) có tính chất nào sau đây?

a)

Vùng chiếu sáng bị cứng lại

b)

Vùng chiếu sáng bị hòa tan dễ dàng

c)

Không thay đổi

d)

Bị ăn mòn hoàn toàn

47.

Photoresist âm (negative resist) có đặc điểm gì?

a)

Vùng chiếu sáng bị phá hủy

b)

Vùng chiếu sáng bền và khó hòa tan hơn

c)

Không ảnh hưởng

d)

Vùng tối bị mất

48.

Giới hạn độ phân giải của photolithography phụ thuộc nhiều vào yếu tố nào?

a)

Kích thước mask

b)

Bước sóng ánh sáng

c)

Thời gian chiếu sáng

d)

Độ dày nền

49.

Electron-beam lithography (EBL) có ưu điểm chính nào?

a)

Độ phân giải siêu cao (cỡ vài nm)

b)

Tốc độ chế tạo nhanh

c)

Rẻ tiền

d)

Dễ thực hiện trên diện rộng

50.

Nhược điểm chính của EBL là:

a)

Độ phân giải thấp

b)

Tốc độ chậm và chi phí cao

c)

Không dùng được cho vi mạch

d)

Không cần chân không

51.

Ion-beam lithography (IBL) khác EBL ở điểm:

a)

Sử dụng chùm ion thay vì electron

b)

Dùng ánh sáng UV

c)

Dùng mask cứng

d)

Không dùng chân không

52.

Ứng dụng chính của IBL:

a)

Khắc trực tiếp các lớp màng cứng

b)

Tạo chấm lượng tử

c)

Sản xuất pin mặt trời

d)

Chế tạo composite polymer

53.

Nanoimprint lithography (NIL) dựa trên cơ chế:

a)

Nén khuôn cứng (stamp) vào lớp polymer mềm

b)

Chiếu tia UV

c)

Khắc plasma

d)

Bay hơi nhiệt

54.

Ưu điểm chính của NIL:

a)

Chi phí thấp, tốc độ nhanh

b)

Độ phân giải thấp

c)

Không chính xác

d)

Không dùng được với polymer

55.

Soft lithography sử dụng loại khuôn nào?

a)

Thủy tinh

b)

Kim loại

c)

Polymer mềm (PDMS)

d)

Ceramic

56.

Ứng dụng chính của soft lithography:

a)

Tạo mẫu vi lưu (microfluidics)

b)

Sản xuất chip CPU

c)

Pin mặt trời

d)

Composite nano

57.

Quá trình “developing” trong lithography là:

a)

Bước chiếu sáng

b)

Bước hòa tan phần photoresist cần loại bỏ

c)

Bước khắc plasma

d)

Bước phủ nền

58.

Quá trình “etching” nhằm:

a)

Hòa tan resist

b)

Ăn mòn nền theo mẫu

c)

Phủ lớp dẫn điện

d)

Đo độ dày màng

59.

“Lift-off process” dùng trong lithography để:

a)

Tạo mẫu bằng cách loại bỏ resist sau khi phủ kim loại

b)

Khắc plasma

c)

Chiếu xạ electron

d)

Nung chảy polymer

60.

Photolithography hiện đại đã đạt độ phân giải bao nhiêu?

a)

1 μm

b)

< 10 nm (EUV)

c)

0.1 mm

d)

100 μm

61.

EUV lithography sử dụng ánh sáng có bước sóng khoảng:

a)

193 nm

b)

13.5 nm

c)

100 nm

d)

400 nm

62.

EUV lithography được ứng dụng trong:

a)

Chế tạo chip bán dẫn thế hệ 5 nm, 3 nm

b)

Composite polymer

c)

Nano sợi carbon

d)

OLED

63.

Một ưu điểm của lithography so với các phương pháp khác:

a)

Độ chính xác mẫu cực cao

b)

Chi phí thấp

c)

Không cần thiết bị quang học

d)

Dễ thực hiện ở nhà máy nhỏ

64.

Lithography KHÔNG phù hợp để:

a)

Chế tạo vi mạch

b)

Tạo mẫu diện tích cực lớn giá rẻ

c)

Làm transistor nano

d)

Vi lưu sinh học

65.

Quang khắc (photolithography) giới hạn bởi:

a)

Bước sóng ánh sáng

b)

Loại kim loại phủ

c)

Độ dày wafer

d)

Thời gian xử lý

66.

Lithography thuộc nhóm phương pháp tổng hợp:

a)

Top-down

b)

Bottom-up

c)

Tự lắp ráp

d)

Hóa học dung dịch

67.

Phương pháp lithography nào có thể dùng cho bề mặt cong, linh hoạt?

a)

Soft lithography

b)

Photolithography

c)

E-beam lithography

d)

Ion-beam lithography

68.

Lithography quan trọng trong ngành:

a)

Điện tử – vi mạch

b)

Hóa học xanh

c)

Vật liệu xây dựng

d)

Nông nghiệp

69.

Phun phủ (sputtering) là quá trình gì?

a)

Nung chảy vật liệu rồi đổ khuôn

b)

Bay hơi bằng laser

c)

Bắn phá bề mặt bia bởi ion năng lượng cao để phóng ra nguyên tử và lắng đọng trên nền

d)

Hòa tan vật liệu trong dung dịch rồi kết tủa

70.

Ion nào thường được dùng trong phun phủ?

a)

H₂⁺

b)

Ar⁺

c)

O₂⁻

d)

N₂⁺

71.

Quá trình sputtering diễn ra trong môi trường:

a)

Chân không hoặc khí trơ

b)

Không khí

c)

Dung dịch nước

d)

Plasma kim loại lỏng

72.

DC sputtering phù hợp với vật liệu:

a)

Dẫn điện

b)

Cách điện

c)

Polymer

d)

Gốm

73.

Đối với vật liệu cách điện, thường sử dụng:

a)

DC sputtering

b)

RF sputtering

c)

Arc discharge

d)

Ball milling

74.

Magnetron sputtering có đặc điểm chính:

a)

Sử dụng từ trường để giữ electron gần bề mặt, tạo plasma bền hơn

b)

Sử dụng laser để tăng nhiệt độ

c)

Dùng dung dịch để hòa tan bia

d)

Sử dụng ánh sáng UV

75.

Reactive sputtering thường dùng để:

a)

Tạo lớp phủ oxit, nitride từ bia kim loại

b)

Tạo chấm lượng tử

c)

Làm composite nano

d)

Tạo polymer dẫn điện

76.

HiPIMS (High Power Impulse Magnetron Sputtering) là cải tiến giúp:

a)

Tăng ion hóa vật liệu bốc ra

b)

Giảm tốc độ lắng đọng

c)

Chỉ áp dụng cho polymer

d)

Làm giảm mật độ plasma

77.

Ưu điểm nổi bật của sputtering:

a)

Tạo màng mỏng bám dính tốt, đồng đều, tinh khiết

b)

Rẻ tiền, dễ làm ở quy mô lớn

c)

Không cần chân không

d)

Không cần năng lượng

78.

Thông số KHÔNG ảnh hưởng trực tiếp đến sputtering:

a)

Áp suất khí Ar

b)

Công suất plasma

c)

Khoảng cách bia – nền

d)

Màu sắc bia

79.

Sputtering thuộc nhóm phương pháp tổng hợp:

a)

Top-down

b)

Bottom-up

c)

Sol-gel

d)

Hydrothermal

80.

Sputtering thường được dùng để tạo:

a)

Màng mỏng kim loại, oxit, nitride

b)

Bột nano dạng hạt

c)

Ống nano carbon

d)

Fullerene

81.

Độ dày màng tạo bởi sputtering có thể kiểm soát nhờ:

a)

Thời gian phun xạ và công suất

b)

Màu sắc nền

c)

Loại dung môi

d)

Độ ẩm môi trường

82.

Ứng dụng sputtering trong công nghệ năng lượng:

a)

Màng TiO₂, ITO trong pin mặt trời

b)

Graphene

c)

Phân bón nano

d)

Composite cao su

83.

Trong cảm biến khí, sputtering thường tạo màng:

a)

ZnO, SnO₂

b)

CNT

c)

Fullerene

d)

Polymer PVP

84.

Trong điện tử, sputtering dùng để chế tạo:

a)

Mạch tích hợp, điện cực mỏng

b)

Phần tử sinh học

c)

Tế bào gốc

d)

Chất xúc tác sinh học

85.

Trong quang học, sputtering có thể tạo:

a)

Lớp chống phân xạ, gương phân xạ cao

b)

Chấm lượng tử phát quang

c)

Sợi polymer

d)

Fullerene

86.

Plasma trong sputtering được tạo ra bởi:

a)

Điện áp cao trong khí trơ

b)

Ánh sáng UV

c)

Laser xung

d)

Phản ứng hóa học

87.

Ion năng lượng cao trong sputtering chủ yếu tác động lên:

a)

Photoresist

b)

Target (bia)

c)

Substrate (nền)

d)

Lớp polymer

88.

Bia trong sputtering thường là:

a)

Kim loại, hợp kim, oxit

b)

Polymer

c)

Sinh học

d)

Nước

89.

Khi áp suất khí quá cao, sputtering sẽ:

a)

Plasma yếu đi, giảm hiệu quả

b)

Plasma mạnh hơn vô hạn

c)

Không ảnh hưởng

d)

Không tạo màng

90.

Khi tăng công suất plasma, tốc độ lắng đọng sẽ:

a)

Tăng

b)

Giảm

c)

Không đổi

d)

Ngừng hẳn

91.

Reactive sputtering kết hợp thêm:

a)

Khí O₂ hoặc N₂ vào plasma

b)

Dung dịch axit

c)

Siêu âm

d)

Từ trường

92.

Màng ITO (Indium Tin Oxide) dẫn điện trong suốt thường được tạo bằng phương pháp nào?

a)

Sputtering

b)

Sol-gel

c)

Hydrothermal

d)

Arc discharge

93.

Để tạo màng cứng (hard coating), người ta hay dùng phương pháp nào sau đây?

a)

TiN, TiC sputtering

b)

Ag nano

c)

CNT

d)

Graphene oxide

94.

HiPIMS cải tiến chủ yếu so với magnetron thường ở điểm nào?

a)

Ion hóa cao hơn, màng dày hơn

b)

Nhanh hơn nhưng kém bám dính

c)

Không tạo plasma

d)

Chỉ tạo được polymer

95.

Phun phủ thường được thực hiện trong điều kiện áp suất nào?

a)

10−1–10−310^{-1} – 10^{-3} Torr

b)

1 atm

c)

10 atm

d)

100 Torr

96.

Điểm hạn chế lớn của sputtering khi mở rộng sản xuất là gì?

a)

Chỉ phù thiết bị cao, tốc độ thấp

b)

Không tạo được màng mỏng

c)

Không dùng được kim loại

d)

Không thể điều khiển độ dày

97.

Arc discharge (hồ quang điện) là phương pháp dựa trên nguyên lý nào?

a)

Chiếu tia laser

b)

Phóng điện giữa hai điện cực trong khí trơ

c)

Hòa tan dung dịch

d)

Bay hơi bằng áp suất

98.

Môi trường thường dùng trong hồ quang điện để tạo CNT và fullerene là gì?

a)

Không khí

b)

Khí trơ (He, Ar)

c)

H₂O

d)

N₂O

99.

Trong hồ quang điện, nhiệt độ vùng plasma có thể đạt tới mức nào?

a)

500 °C

b)

~4000–6000 °C

c)

100 °C

d)

20 °C

100.

Sản phẩm nano nổi tiếng đầu tiên được tạo ra bằng phương pháp arc discharge là gì?

a)

Fullerene C₆₀

b)

Graphene oxide

c)

ZnO nanoparticle

d)

PANI nanofiber

Similar Resources on Wayground

Untitled Quiz

100 questions

Untitled Quiz

quiz

Worksheet

•

12th Grade - University

Trang 44 đến hết

96 questions

Trang 44 đến hết

quiz

Worksheet

•

University

cơ lưu chất chương 2

96 questions

cơ lưu chất chương 2

quiz

Worksheet

•

University

Câu hỏi chuong 8

100 questions

Câu hỏi chuong 8

quiz

Worksheet

•

University

Lý luận dạy học trắc nhiệm

100 questions

Lý luận dạy học trắc nhiệm

quiz

Worksheet

•

University

CHÚC AE THI TỐT <3

101 questions

CHÚC AE THI TỐT <3

quiz

Worksheet

•

11th Grade - University